包括稠环化合物的发光装置、电子设备和稠环化合物制造方法及图纸

实施方式提供了稠环化合物、包括该稠环化合物的发光装置和包括该发光装置的电子设备。发光装置包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层包括稠环化合物。稠环化合物由式1表示，其在说明书中解释：[式1][式1][式1][式1]

【技术实现步骤摘要】
包括稠环化合物的发光装置、电子设备和稠环化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2022年2月15日提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0019788号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]实施方式涉及包括稠环化合物的发光装置、包括该发光装置的电子设备和稠环化合物。

技术介绍

[0004]有机发光装置为自发射装置，其与相关领域的装置相比，具有宽视角，高对比度，短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性，并且产生全色图像。
[0005]在示例中，有机发光装置可具有这样的结构：其中第一电极布置在基板上，并且在第一电极上依次形成空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁至基态，因此生成光。
[0006]要理解，本
技术介绍
章节旨在部分地提供用于理解该技术的有用的背景。然而，本
技术介绍
章节也可包括在本文中公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的想法、概念或认知。

技术实现思路

[0007]实施方式包括：包括新型稠环化合物的发光装置、包括该发光装置的电子设备和稠环化合物。
[0008]另外的方面将部分地在如下的描述中陈述，并且部分地将从描述中是显而易见的，或可通过本公开的实施方式的实践而了解到。
[0009]根据实施方式，发光装置可包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层包括由式1表示的稠环化合物：
[0010][式1][0011][0012]在式1中，
[0013]Y1可为硼(B)、P(＝O)或P(＝S)，
[0014]环CY1至环CY3可各自独立地为C5‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，
[0015]环CY4和环CY5可各自独立地为包括至少一个氮原子的C1‑
C
60
杂环基，
[0016]Ar1至Ar4可各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，
[0017]R1至R5可各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，
[0018]a1至a5可各自独立地为选自0至10的整数，
[0019]数量为a1的R1中的两个或更多个R1可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，
[0020]数量为a2的R2中的两个或更多个R2可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，
[0021]数量为a3的R3中的两个或更多个R3可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，R
10a
可为：
[0022]氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；
[0023]各自未取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；
[0024]各自未取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中所述发射层包括由式1表示的稠环化合物：式1其中在式1中，Y1为B、P(＝O)或P(＝S)，环CY1至环CY3各自独立地为C5‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，环CY4和环CY5各自独立地为包括至少一个氮原子的C1‑
C
60
杂环基，Ar1至Ar4各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，R1至R5各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，a1至a5各自独立地为选自0至10的整数，数量为a1的R1中的两个或更多个R1任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，数量为a2的R2中的两个或更多个R2任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，数量为a3的R3中的两个或更多个R3任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，R
10a
为：
氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；各自未取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基或C2‑
C
60
杂芳烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基；C7‑
C
60
芳烷基；或C2‑
C
60
杂芳烷基。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述由式1表示的稠环化合物的三重态能级和单重态能级之间的差等于或小于0.2eV。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有430nm至480nm的范围内的最大发射波长的光。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括：作为第一化合物的所述由式1表示的稠环化合物；和包括由式20表示的基团的第二化合物、包括至少一个缺π电子的含氮C1‑
C
60
环状基团的第三化合物、包括过渡金属的第四化合物或其任何组合，并且所述第一化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同：式20其中在式20中，环CY
71
和环CY
72
各自独立地为富π电子的C3‑
C
60
环状基团或吡啶基，X
71
为：单键；或包括O、S、N、B、C、Si或其任何组合的连接基团，*指示与相邻原子的结合位点，并且所述第二化合物中排除CBP和mCBP：
5.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述发射层包括：作为所述第一化合物的包括所述由式1表示的稠环化合物；和所述第二化合物和所述第三化合物中的至少一种，并且所述发射层任选地进一步包括所述第四化合物。6.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述第三化合物包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或其任何组合。7.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述第四化合物包括由式401表示的化合物：式401M(L
401
)
xc1
(L
402
)
xc2
其中在式401中，M为过渡金属，L
401
为由式402表示的配体，式402xc1为1、2或3，当xc1为2或更大时，两个或更多个L
401
彼此相同或不同，L
402
为有机配体，xc2为0、1、2、3或4，当xc2为2或更大时，两个或更多个L
402
彼此相同或不同，在式402中，X
401
和X
402
各自独立地为氮或碳，
环A
401
和环A
402
各自独立地为C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，T
401
为单键、*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
N(Q
411
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)(Q
412
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)＝C(Q
412
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)＝*'或*＝C＝*'，X
403
和X
404
各自独立地为化学键、O、S、N(Q
413
)、B(Q
413
)、P(Q
413
)、C(Q
413
)(Q
414
)或Si(Q
413
)(Q
414
)，R
401
和R
402
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
‑
Si(Q
401
)(Q
402
)(Q
403
)、
...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲜于卿，金洗栾，朴宣映，白长烈，沈文基，吴灿锡，河莫兰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：