发光器件和包括发光器件的电子设备制造技术

提供了一种发光器件，该发光器件包括第一电极、第二电极和在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层。电子注入层和电子传输层在发射层和第一电极之间。电子注入层包括以下的氧化物：Zn；Ti；Mg；或它们的任何组合，电子传输层包括氧化膦化合物，并且发光器件的第一电极可为反射电极。电极可为反射电极。电极可为反射电极。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括发光器件的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年2月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2022
‑
0019099的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本公开的一个或多个实施方案的方面涉及发光器件和包括发光器件的电子设备。

技术介绍

[0004]与相关领域的器件相比，发光器件为自发光器件，而自发光器件相对具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面优异或合适的特性。
[0005]这种发光器件可具有第一电极(或第二电极)在衬底上并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极(或第一电极)从第一电极(或第二电极)依次形成的结构。从第一电极(或第二电极)提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极(或第一电极)提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中重新结合以生成光。

技术实现思路

[0006]本公开的一个或多个实施方案的方面涉及与相关领域的器件相比具有改善的效率和寿命的器件。
[0007]附加的方面部分地将在随后的说明书中阐述，并且部分地将通过说明书而显而易见，或者可通过实践本公开的呈现的实施方案而知晓。
[0008]根据一个或多个实施方案，发光器件包括：
[0009]第一电极；
[0010]面对第一电极的第二电极；以及
[0011]在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层，
[0012]其中，电子注入层和电子传输层在发射层和第一电极之间，
[0013]电子注入层包括以下的氧化物：Zn；Ti；Mg；或它们的一种或多种组合，
[0014]电子传输层包括氧化膦化合物，并且
[0015]第一电极为阴极。
[0016]根据一个或多个实施方案，
[0017]电子设备包括发光器件。
附图说明
[0018]结合附图，本公开的某些实施方案的以上和其他的方面和特征将通过随后的描述而更加显而易见，在附图中：
[0019]图1是根据实施方案的发光器件的示意性视图；
[0020]图2是显示根据实施方案的发光设备的剖视图；并且
[0021]图3显示了示出根据另一实施方案的发光设备的剖视图。
具体实施方式
[0022]现将更详细地参考其实例在附图中阐明的实施方案，其中，类似的附图标记始终是指类似的元件，并且可不提供其重复描述。在这点上，本公开的实施方案可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，仅通过参考附图来描述实施方案，以解释本公开的方面。如本文中利用，术语“和/或”包括相关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者(例如，同时)、a和c二者(例如，同时)、b和c二者(例如，同时)、a、b和c的所有、或其变体。
[0023]与现有技术中的现有器件结构相比，倒置型LED可具有优异或合适的氧化稳定性，并且可在n型(或N
‑
沟道)TFT中驱动。
[0024]本公开的实施方案的方面涉及发光器件，发光器件包括：
[0025]第一电极；
[0026]面对第一电极的第二电极；以及
[0027]在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层，
[0028]其中，电子注入层和电子传输层在发射层和第一电极之间，
[0029]电子注入层包括以下的氧化物：Zn；Ti；Mg；或它们的一种或多种组合，
[0030]电子传输层包括氧化膦化合物，并且
[0031]第一电极为阴极。
[0032]图1的描述
[0033]图1为根据实施方案的发光器件10的示意性剖视图。发光器件10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0034]在下文中，将参考图1描述根据实施方案的发光器件10的结构和制造发光器件10的方法。
[0035]第一电极110
[0036]在图1中，衬底可附加地排列在第一电极110下方或第二电极150上方。在实施方案中，作为衬底，可利用玻璃衬底或塑料衬底。在一个或多个实施方案中，衬底可为柔性衬底，并且例如可包括具有优异或合适的耐热性和耐久性的塑料，诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或它们的一种或多种组合。
[0037]第一电极110可为阴极，阴极为电子注入电极，并且作为用于形成第一电极110的材料，可利用金属、合金、导电化合物或它们的一种或多种组合，它们各自具有低功函。
[0038]在实施方案中，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或它们的一种或多种组合。
[0039]在一个或多个实施方案中，用于形成第一电极110的材料可包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、铟(In)、或它们的一种或多种组合。第一电极110可具有包括单层(例如，由单层组成)的单层结构或包括多层的多层结构。
[0040]当第一电极110为反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括ITO、IZO、SnO2、ZnO或它们的一种或多种组合，并且同时(兼具)可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、In或它们的一种或多种组合。例如，第一电极110可具有Ag/ITO的双层结构或ITO/Ag/ITO的三层结构。
[0041]中间层130
[0042]如本文中利用的术语“中间层”是指在发光器件的第一电极和第二电极之间的单层和/或多个层中的所有。
[0043]中间层130可在第一电极110上。中间层130可包括发射层。
[0044]中间层130可还包括在第二电极150和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第一电极110之间的电子传输区。
[0045]在实施方案中，除了一种或多种合适的有机材料之外，中间层130可还包括含金属化合物(诸如有机金属化合物)、无机材料(诸如量子点)和/或类似物。
[0046]在一个或多个实施方案中，中间层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发光单元；以及ii)在两个或更多个发光单元之间的电荷产生层。当中间层130包括两个或更多个发光单元和电荷产生层时，发光器件10可为串联发光器件。
[0047]中间层130中的电子传输区
[0048]电子传输区可具有：i)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，单层包括单一材料(例如，由单一材料组成)；ii)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中，电子注入层和电子传输层在所述发射层和所述第一电极之间，所述电子注入层包括以下的氧化物：Zn；Ti；Mg；或它们的任何组合，所述电子传输层包括氧化膦化合物，并且所述第一电极为阴极。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化锌或它们的任何组合。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极包括银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、铟、或它们的任何组合。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子注入层和所述电子传输层彼此接触，和/或所述电子注入层和所述第一电极彼此接触，和/或所述电子传输层和所述发光层彼此接触。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述氧化膦化合物为化合物101至化合物109中的至少一个：
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子传输层还包括含金属材料。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述含金属材料为化合物201至化合物209中的至少一个：
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子传输层和/或所述发射层通过固化包括式1的化合物的组合物来形成：式1N3‑
(R1)
m
‑
N3其中，在式1中，R1选自：未被取代或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
亚烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
亚炔基、
‑
O
‑
、
‑
Si(Q1)(Q2)
‑
、
‑
B(Q1)
‑
、
‑
N(Q1)
‑
、
‑
P(Q1)
‑
、
‑
C(＝O)
‑
、
‑
S(＝O)
‑
、
‑
S(＝O
)2‑
、
‑
P(＝O)Q1‑
和
‑
P(＝S)Q1‑
，m为1至10的整数，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或它们的任何组合；C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基或C2‑
C
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或它们的任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1、Q2、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者C3‑
C
60

【专利技术属性】
技术研发人员：金世勋，李昌熙，金志允，金兴奎，河在国，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：