阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，解决了现有技术中阵列基板的制备成本较高的问题。其中，阵列基板包括衬底；沟道层，叠置在衬底的一侧表面；以及氧化物膜层，位于衬底和沟道层之间，氧化物膜层的光透过率小于沟道层。于沟道层。于沟道层。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]相关技术中，为了避免环境光对阵列基板中的金属氧化物薄膜晶体管造成不良影响，通常会在金属氧化物薄膜晶体管的靠近衬底的一侧增设遮光层，导致阵列基板的制备成本增加。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现有技术中阵列基板的制备成本较高的问题。
[0004]本申请第一方面提供了一种阵列基板，包括：衬底；沟道层，叠置在衬底的一侧表面；以及氧化物膜层，位于衬底和沟道层之间，氧化物膜层的光透过率小于沟道层。好处是，利用氧化物膜层113作为遮光层，氧化物膜层113和沟道层112可以通过一次黄光工艺同步进行图形化，从而降低工艺成本。
[0005]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，阵列基板还包括第一保护层，位于氧化物膜层和沟道层之间，第一保护层的迁移率小于沟道层；优选地，第一保护层的材料为金属氧化物。好处是，沟道层和氧化物膜层的材料不同，第一保护层可以阻隔沟道层和氧化物膜层，防止氧化物膜层对沟道层造成不良影响。与此同时，第一保护层还可以阻挡来自于衬底方向的水气和氧气，防止水气和氧气进入沟道层，对沟道层造成影响。
[0006]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，沟道层包括第一离子掺杂区和第二离子掺杂区；阵列基板还包括依次叠置在沟道层的远离衬底一侧的第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和金属层，金属层包括源极和漏极，源极连接第一离子掺杂区，漏极连接第二离子掺杂区。
[0007]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，阵列基板还包括第二保护层，位于沟道层的远离衬底的一侧，第二保护层的迁移率小于沟道层；优选地，第一保护层的材料为金属氧化物。好处是，第二保护层用于在进行离子注入，以形成第三离子掺杂区和第四离子掺杂区的过程中，阻挡注入离子进入沟道层，从而为沟道层提供保护。
[0008]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，第二保护层包括第三离子掺杂区和第四离子掺杂区；阵列基板还包括依次叠置在沟道层的远离衬底一侧的第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和金属层，金属层包括源极和漏极，源极连接第三离子掺杂区，漏极连接第四离子掺杂区。
[0009]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，在阵列基板的厚度方向上，氧化物膜层的正投影和沟道层的正投影重合。
[0010]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，氧化物膜层的材料包括二氧化钼、三氧化钼、二硫化钼、铜铟硒、碲化镉中的任一种。
[0011]结合第一方面，在一些可能的实现方式中，氧化物膜层的光透过率大于等于0％并且小于等于40％。好处是，确保氧化物膜层起到良好的遮光效果。
[0012]本申请第二方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上制备氧化物材料层和第一金属氧化物材料层；采用一次黄工工艺对氧化物材料层和第一金属氧化物材料层同步图形化，分别得到氧化物膜层和沟道层；制备与沟道层接触的源极区和漏极区；在沟道层的远离衬底的一侧依次制备第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层、金属层、平坦化层、阳极层和像素定义层，得到阵列基板。
[0013]本申请第三方面提供了一种显示面板，包括上述任一实施例提供的阵列基板。
[0014]根据本申请实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板，利用氧化物膜层作为遮光层。这种情况下，氧化物膜层和沟道层可以通过一次黄光工艺同步进行图形化，从而降低工艺成本。
附图说明
[0015]图1为相关技术中的阵列基板的局部结构示意图。
[0016]图2为本申请第一实施例提供的阵列基板的局部结构示意图。
[0017]图3为本申请第二实施例提供的阵列基板的局部结构示意图。
[0018]图4为本申请第三实施例提供的阵列基板的局部结构示意图。
[0019]图5为本申请一实施例提供的阵列基板的制备方法流程示意图。
具体实施方式
[0020]图1为相关技术中的阵列基板的局部结构示意图。如图1所示，阵列基板包括金属氧化物薄膜晶体管100。当环境光L照射到衬底111并被衬底111反射到金属氧化物薄膜晶体管100上时，金属氧化物薄膜晶体管100的沟道层112受到光照会导致阈值电压(threshold voltage，Vth)偏负，亚阈值斜率(sub
‑
threshold swing，SS)变大，导致金属氧化物薄膜晶体管100失效，进而导致显示异常。
[0021]为了解决上述问题，相关技术中，通常在沟道层112和衬底111之间增设遮光层200，以阻挡环境光L，避免环境光L照射到沟道层112，从而为金属氧化物薄膜晶体管100提供保护。
[0022]然而，遮光层200的制备过程需要额外光罩，导致工艺成本增加。
[0023]有鉴于此，本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，利用低光穿透率的氧化物膜层进行遮光，直接做在沟道层下方，从而可以和沟道层同时进行刻蚀，而不需要增加额外黄光制程，进而降低成本。
[0024]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]图2为本申请第一实施例提供的阵列基板的局部结构示意图。如图2所示，阵列基板包括衬底111、沟道层112和氧化物膜层113。
[0026]其中，衬底111用于提供承载作用，以承载上方膜层。衬底111可以是玻璃衬底、有
机薄膜、石英衬底、硅衬底中的任一种。
[0027]沟道层112叠置在衬底111的一侧表面。沟道层112包括第一离子掺杂区A和第二离子掺杂区B，第一离子掺杂区A作为源极区，用于和源极连接，第二离子掺杂区B作为漏极区，用于和漏极连接。
[0028]沟道层112具有高的载流子迁移率。沟道层112的材料可以是包含铟、镓、锌中任意两者的n元材料，这里的n值可以是3、4或5。例如，沟道层112的材料可以是氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铟锌、氧化石墨烯等。
[0029]沟道层112的厚度大于或等于100埃并且小于或等于500埃。
[0030]氧化物膜层113位于衬底111和沟道层112之间，氧化物膜层113和沟道层112接触，并且在阵列基板的厚度方向上，氧化物膜层113的正投影和沟道层112的正投影重合。这种情况下，氧化物膜层113和沟道层112可以采用一次黄光工艺同步进行图形化，从而降低工艺成本。需要说明的是，氧化物膜层113的正投影也可以大于沟道层112的正投影，这种情况下，氧化物膜层113可以取得更好的遮光效果。
[0031]氧化物膜层113的光透过率小于沟道层112。在一示例中，氧化物膜层113的光透过率大于等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；沟道层，叠置在所述衬底的一侧表面；以及氧化物膜层，位于所述衬底和所述沟道层之间，所述氧化物膜层的光透过率小于所述沟道层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一保护层，位于所述氧化物膜层和所述沟道层之间，所述第一保护层的迁移率小于所述沟道层；优选地，所述第一保护层的材料为金属氧化物。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道层包括第一离子掺杂区和第二离子掺杂区；所述阵列基板还包括依次叠置在所述沟道层的远离所述衬底一侧的第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和金属层，所述金属层包括源极和漏极，所述源极连接所述第一离子掺杂区，所述漏极连接所述第二离子掺杂区。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二保护层，位于所述沟道层的远离所述衬底的一侧，所述第二保护层的迁移率小于所述沟道层；优选地，所述第二保护层的材料为金属氧化物。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二保护层包括第三离子掺杂区和第四离子掺杂区；所述阵列基板还包括依次叠置在所述沟道层的远离所述衬底一侧的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈发祥，马应海，刘启迪，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：