一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器及其制备方法，该方法包括以下步骤：利用微液滴自组装法制备单层SiO2微球阵列基板；利用电子束真空镀膜仪，设置靶材蒸发入射角和样品台方位角参数，在单层SiO2微球阵列基板上依次沉积Ag

【技术实现步骤摘要】
一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器及其制备方法


[0001]本专利技术属于微纳
，具体涉及一种太赫兹吸收器，特别涉及一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器及其制备方法。

技术介绍

[0002]THz超材料吸收器(Metamaterial Absorbers)是一种对入射电磁波有高吸收率的器件，在红外探测、电磁隐身和传感等领域展现出了广阔的应用前景。在太赫兹技术的发展进程中，设计和制造在太赫兹波段下的调控器件始终占据着十分重要的地位，人们通过改变材料结构和组成来获得一些超常特性的人工材料，其性能超过常规的天然材料。然而，大部分吸收器都是金属
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介质
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金属结构，这种吸收器的尺寸和形状比较固定，其吸收性能无法根据需求进行动态调节，因此其应用范围受到限制。众多研究人员通过引入VO2相变材料，来实现具有多功能的可调谐THz器件，拓展其应用范围。
[0003]很多研究者通过设计不同的阵列结构，如开口环、谐振腔等来获得某一波段或者多波段的高吸收，但这些结构在制备方法上大都采用模板法、光刻技术等，在设计、制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用微液滴自组装法制备单层SiO2微球阵列基板；(2)利用电子束真空镀膜仪，设置靶材蒸发入射角和样品台方位角参数，在步骤(1)制备的单层SiO2微球阵列基板上依次沉积Ag
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V2O5‑
Ag靶材，沉积完成后，取出基板，获得夹层结构基板；(3)将步骤(2)获得的夹层结构基板放入高温管式炉中退火即得基于VO2微球阵列的太赫兹吸收器。2.根据权利要求1所述一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器的制备方法，其特征在于，步骤(1)具体步骤如下：(1
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1)预处理基板：将玻璃基板切成设备要求所需尺寸的形状，将玻璃基板浸泡在食人鱼溶液中加热清洗，待冷却后将玻璃基板超声清洗后用氮气吹干；(1
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2)在步骤(1
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1)预处理后的玻璃基板上滴加一定配置比例的SiO2微球溶液，然后放在恒温加热台上干燥即得到规则有序排列的单层SiO2微球阵列基板。3.根据权利要求2所述一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器的制备方法，其特征在于，步骤(1
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1)中，食人鱼溶液由体积比为4：1的硫酸和双氧水配制而成。4.根据权利要求2所述一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器的制备方法，其特征在于，步骤(1
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1)的具体步骤为：将玻璃基板切成1.2cm
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1.2cm的正方形，将玻璃基板浸泡在食人鱼溶液中加热清洗20min，待冷却后将玻璃基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩彩芹，黄佳炜，刘正淋，李瑞，段培同，
申请(专利权)人：江苏师范大学，
类型：发明
国别省市：