温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于VO2夹层阵列的太赫兹吸收器及其制备方法，该方法包括以下步骤：利用微液滴自组装法制备单层SiO2微球阵列基板；利用电子束真空镀膜仪，设置靶材蒸发入射角和样品台方位角参数，在单层SiO2微球阵列基板上依次沉积Ag
...
该专利属于江苏师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过江苏师范大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。