一种铌酸锂薄膜电光调制器制造技术

本公开提供的一种铌酸锂薄膜电光调制器，包括：一维光子晶体，为由沿过该一维光子晶体中心点的X轴依次排布的若干第一结构单元和第二结构单元组成的单排结构，第一、第二结构单元分别位于一维光子晶体中心线的左右侧，通过在第一基本单元上刻蚀区域A1后形成第一结构单元，通过在第二基本单元上刻蚀与区域A1采用不同分布形式的区域A2后形成第二结构单元，单个第一、第二结构单元上区域A1与区域A2的大小相等；输入波导和输出波导，沿与X轴垂直的Y轴布设，且分别与一维光子晶体的上下侧连接；调制电极，沿X轴布设，且分别位于一维光子晶体的上下侧。本公开可提高电光调制器的集成度和稳定性、降低调制能耗。降低调制能耗。降低调制能耗。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂薄膜电光调制器


[0001]本公开涉及电光调制器领域，特别涉及一种铌酸锂薄膜电光调制器。

技术介绍

[0002]电光调制器是光通信系统的核心器件，它通过外加电场的变化来调控输出光的振幅或相位特性。凭借优越的电光系数，铌酸锂材料在电光调制领域应用广泛，但目前商用的体材料铌酸锂电光调制器面临着尺寸与功耗大，集成度低、制作成本高、难扩展等问题，很难满足未来不断增长的数据传输要求。
[0003]铌酸锂薄膜不仅具有优越的电光性能，且可以将光传输限制在更小的区域内，已经可以在多方面的性能上优于传统体材料器件。基于一维光子晶体的调制器相比与其他结构的调制器而言更加紧凑，最新研究进展(Li,M.,Ling,J.,He,Y.etal.Lithiumniobate photonic
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crystalelectro
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opticmodulator.NatCommun11,4123(2020).)验证了单排结构可以实现极小区域的调制，且单比特的调制能耗量级是目前器件远不能达到的。但是该结构其实是基于光子晶体缺陷实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，包括：一维光子晶体，所述一维光子晶体为由沿过所述一维光子晶体中心点的X轴依次排布的若干第一结构单元和第二结构单元组成的单排结构，由所有所述第一结构单元构成所述一维光子晶体的左侧部分，由所有所述第二结构单元构成所述一维光子晶体的右侧部分，通过在第一基本单元上刻蚀区域A1后形成所述第一结构单元，通过在第二基本单元上刻蚀与所述区域A1采用不同分布形式的区域A2后形成所述第二结构单元，单个所述第一结构单元上区域A1与单个所述第二结构单元上区域A2的大小相等，且单个所述第一结构单元上的区域A1同时关于X轴和Y轴对称布设，单个所述第二结构单元上的区域A2同时关于X轴和Y轴对称布设；输入波导和输出波导，沿与所述X轴垂直的Y轴布设，且分别与所述一维光子晶体的上下侧连接；以及调制电极，沿所述X轴布设，且分别位于所述一维光子晶体的上下侧。2.根据权利要求1所述的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述一维光子晶体、所述输入波导和所述输出波导选用X切铌酸锂制成，所述X轴沿铌酸锂晶轴的Y方向布设，所述Y轴沿铌酸锂晶轴的Z方向布设。3.根据权利要求1所述的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述一维光子晶体位于所述调制电极形成的电场内，待调制的光信号经所述输入波导垂直耦合进入所述一维光子晶体的中心区域。4.根据权利要求1所述的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，单个所述第一结构单元的区域A1与单个所述第二结构单元的区域A2为通过刻蚀形成的一个或多个独立的子区域，且单个结构单元上形成的的所有子区域同时关于所述X轴和所述Y轴对称。5.根据权利要求4所述的铌酸锂薄膜电光...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢金龙，陆龙钊，郝婷，周赤，吉贵军，王兴龙，
申请(专利权)人：珠海光库科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：