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本公开提供的一种铌酸锂薄膜电光调制器，包括：一维光子晶体，为由沿过该一维光子晶体中心点的X轴依次排布的若干第一结构单元和第二结构单元组成的单排结构，第一、第二结构单元分别位于一维光子晶体中心线的左右侧，通过在第一基本单元上刻蚀区域A1后形成...
该专利属于珠海光库科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海光库科技股份有限公司授权不得商用。

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