【技术实现步骤摘要】
高转化率太阳能电池片
[0001]本技术为太阳能电池片领域,尤其涉及一种高转化率太阳能电池片。
技术介绍
[0002]太阳能电池片分为晶硅类和非晶硅类,其中晶硅类电池片又可以分为单晶电池片和多晶电池片;单晶硅的效率较多晶硅也有区别。
[0003]但是现有的太阳能电池片,在使用时,不能对太阳光进行充分的吸收,一部分太阳光会被反射浪费掉,因此不能进行高效率的转化。
[0004]因此,专利技术一种高转化率太阳能电池片显得非常必要。
技术实现思路
[0005]为了解决上述技术问题,本技术提供一种高转化率太阳能电池片,包括上硅电池片,下硅电池片,太阳光反射框,基板,其中:所述上硅电池片呈矩形阵列状固定安装在基板的正面,并把整个基板的正面铺满,且每个上硅电池片之间电性连接;所述下硅电池片设置有若干个,且下硅电池片呈对称的位置固定安装在基板底面外侧的一周,该每个下硅电池片之间电性连接;每个所述上硅电池片与各所述下硅电池片对应电性连接;所述上硅电池片和下硅电池片通过基板固定安装在太阳光反射框的内部。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.高转化率太阳能电池片,其特征在于:包括上硅电池片(1),下硅电池片(2),太阳光反射框(3),基板(9),其中:所述上硅电池片(1)呈矩形阵列状固定安装在基板(9)的正面,并把整个基板(9)的正面铺满,且每个上硅电池片(1)之间电性连接;所述下硅电池片(2)设置有若干个,且下硅电池片(2)呈对称的位置固定安装在基板(9)底面外侧的一周,该每个下硅电池片(2)之间电性连接;每个所述上硅电池片(1)与各所述下硅电池片(2)对应电性连接;所述上硅电池片(1)和下硅电池片(2)通过基板(9)固定安装在太阳光反射框(3)的内部。2.如权利要求1所述的高转化率太阳能电池片,其特征在于:所述上硅电池片(1)和下硅电池片(2)的表面呈对称的位置各开设有若干个相同的V型槽(8),且每个V型槽(8)的开口角度均为120
°
到160
°
;所述V型槽(8)用于增加吸光面积。3.如权利要求2所述的高转化率太阳能电...
【专利技术属性】
技术研发人员:张仲英,王斌,
申请(专利权)人:浙江绿远光伏科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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