一种光电传感器及其制备方法、显示设备技术

本发明专利技术提供一种光电传感器及其制备方法、显示设备，涉及光电传感器领域，包括衬底、半导体层、至少一个支撑物、缓冲层和电极；半导体层覆盖在衬底上；支撑物设置在衬底与半导体层之间并高于衬底设定高度，在支撑物的周边，半导体层与衬底之间的距离在0至设定高度之间的区域为应变梯度区域；缓冲层设置在半导体层上并至少部分地覆盖应变梯度区域；电极与缓冲层电连接。本发明专利技术可以实现紫外到可见光波段的宽带检测以及高光电响应；而且三维应力固化的制备方法具有广泛提高电子/光电子器件载流子迁移率、增强器件光电特性以及突破传统机电耦合器件难于集成和实际应用方面局限性等优点，在可调谐光电子器件、增强光电探测器方面具有重要应用前景。应用前景。应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种光电传感器及其制备方法、显示设备
[0001]优先权要求和相关申请的交叉引用
[0002]本专利文件要求申请人“北京纳米能源与系统研究所”于2022年12月02日提交的申请号为202211542249.6、专利技术名称为“一种基于三维应力固化工艺的光电传感器”的中国专利申请的优先权和在先权益。


[0003]本专利技术涉及光电传感器
，具体涉及一种光电传感器及其制备方法和显示设备。

技术介绍

[0004]光电传感器，也称为光电探测器，是一种可以将光信号转换为电信号并实现光等电磁辐射检测的电子元件。二维过渡金属二硫化物半导体材料由于高本征载流子迁移率、高光吸收、以及机械灵活性而被广泛用于制造高性能和柔性的超薄光电传感器，在医学、生物传感、光通信和安全等方面有着潜在应用；其中二硫化钼(MoS2)作为二维光敏半导体，由于其可调带隙、高光电响应和热化学稳定性而成为下一代光电子学的潜在候选者。单层的MoS2基光电传感器已经在探测波段(400nm
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670nm)实现很高的光响应度；而多层MoS2由于比单层MoS2更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：衬底；半导体层，所述半导体层覆盖在所述衬底上；至少一个支撑物，所述支撑物设置在所述衬底与所述半导体层之间并高于所述衬底设定高度，在所述支撑物的周边，所述半导体层与所述衬底之间的距离从所述设定高度逐渐过渡至0，所述半导体层与所述衬底之间的距离在0至所述设定高度之间的区域为应变梯度区域；缓冲层，所述缓冲层设置在所述半导体层上并至少部分地覆盖所述应变梯度区域；电极，所述电极与所述缓冲层电连接。2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述缓冲层完全覆盖所述应变梯度区域。3.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述半导体层与所述衬底之间的距离为所述设定高度的区域为第一区域，所述半导体层与所述衬底之间的距离为0的区域为第二区域，所述应变梯度位于所述第一区域与所述第二区域之间；所述第一区域的高度高于所述第二区域的高度，并通过所述应变梯度区域逐渐过渡到所述第二区域。4.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述半导体层为具有光敏特性的二维过渡金属二硫属半导体材料，选自以下材料中的一种或更多种：MoS2、WS2、MoSe2、WSe2。5.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述半导体层的长度为5
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20μm、宽度为1
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5μm、厚度为1.3
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6.5nm。6.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述支撑物选自以下材料中的一种或更多种：hBN、SiO2、HfO2。7.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述支撑物的宽度为1
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5μm、厚度为30
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭鹏文，翟俊宜，
申请(专利权)人：北京纳米能源与系统研究所，
类型：发明
国别省市：