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本发明提供一种光电传感器及其制备方法、显示设备，涉及光电传感器领域，包括衬底、半导体层、至少一个支撑物、缓冲层和电极；半导体层覆盖在衬底上；支撑物设置在衬底与半导体层之间并高于衬底设定高度，在支撑物的周边，半导体层与衬底之间的距离在0至设定...
该专利属于北京纳米能源与系统研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京纳米能源与系统研究所授权不得商用。

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