喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备及基片处理方法技术

本发明专利技术提供一种喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备以及基片的处理方法，淋板一面为平面、另一面为非平面，可使得本体中部区域的厚度大于两侧区域的厚度，这样气道可以设置在本体的不同厚度处，使得位于中部的气道至喷淋面的距离大于两侧区域气道至喷淋面的距离，这样中部区域的喷淋路径较两侧区域的喷淋路径更长，而喷淋面的中部面向待加工基片的中部区域，喷淋面的两侧区域面向待加工基片的两侧区域，从而，可以通过喷淋路径长度不同，改善进气腔体的混气二次分配的效果，提高混气效率和均匀性，有利于镀膜均匀性的改善。有利于镀膜均匀性的改善。有利于镀膜均匀性的改善。

【技术实现步骤摘要】
喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备及基片处理方法


[0001]本专利技术涉及领域半导体制造设备领域，特别涉及一种喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备及基片处理方法。

技术介绍

[0002]原子层沉积(ALD，Atomic Layer Deposition)技术广泛应用于高端微纳器件的制造中，并已成为半导体制造核心装备之一。
[0003]目前，批量ALD设备是ALD设备的一个重要分支，其通过通入反应气体到放置有多个晶片的腔室内，同时对多片晶片进行原子层沉积工艺，可以有效提高生产效率，而如何提高成膜的一致性和均匀性则是批量ALD设备实现中的关键。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备及基片处理方法，优化反应气体的分配和扩散，提高成膜的均匀性和一致性。
[0005]为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：
[0006]一种喷淋板，包括本体、气道和喷淋孔；
[0007]所述本体包括相对的第一表面、第二表面以及相对的第一端面和第二端面，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷淋板，其特征在于，包括本体、气道和喷淋孔；所述本体包括相对的第一表面、第二表面以及相对的第一端面和第二端面，所述第一端面至第二端面的方向为端面方向，所述端面方向为待加工基片的层叠放置方向；所述第一表面为平面、所述第二表面为非平面，以使得本体中部区域的厚度大于两侧区域的厚度；所述气道从所述第一端面和/或第二端面沿所述端面方向设置于所述本体中，位于中部区域的气道至所述第一表面的距离大于位于两侧区域的气道至所述第一表面的距离；所述喷淋孔从所述第一表面贯通至所述气道。2.根据权利要求1所述的喷淋板，所述第二表面为凸出的弧面或球面。3.根据权利要求1所述的喷淋板，其特征在于，所述第二表面为弧面，所述气道在所述第一端面和/或第二端面呈弧线型排布。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的喷淋板，其特征在于，所述气道包括呈插指排布的第一喷淋气道和第二喷淋气道，所述本体的第一端和第二端分别设置有第一进气通道和第二进气通道，所述第一喷淋气道连通至所述第一进气通道，所述第二喷淋气道连通至所述第二进气通道。5.一种反应腔室，其特征在于，包括腔体、如权利要求1
‑
4中任一项所述的喷淋板、排气结构和格栅结构，其中，所述腔体侧壁上相对设置有进气端和出气端，所述进气端连接所述喷淋板，所述出气端连接所述排气结构；所述格栅结构绕所述侧壁内周形成且与腔体一体成型，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周芸福，郭云飞，王新征，许允昕，许所昌，周仁，黎微明，吴飚，侯彬，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：