一种具有超结分裂栅的LDMOS器件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有超结分裂栅的LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由分裂栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将器件两区域分隔。分裂栅区由两个尺寸、掺杂、连接方式和功能均不同的P

【技术实现步骤摘要】
一种具有超结分裂栅的LDMOS器件


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种具有超结分裂栅的LDMOS器件。

技术介绍

[0002]功率半导体器件，在高压集成电路和智能功率集成电路领域中扮演着重要角色，作为电子电力的核心元器件，故也可以称为电子电力器件。半导体功率器件在变频、整流以及功率放大等方面具有重要的应用，也正是将各种一次能源高效的转变为人们生活所需要的电能，实现了改善电力、节能环保和提高人们的生活质量。随着微电子工艺的迅速进步和新型半导体技术的不断涌现，目前电子电力器件广泛的应用在我们日常生活以及高精尖行业中，从传统的信息通信、工业控制、计算机领域向汽车电子、新能源、智能医疗、智能电网、消费电子等领域扩展。LDMOS作为一种横向功率器件，能够实现高耐压、低功耗及高功率密度，因此被广泛应用于射频电路、功率集成电路和工业控制电路。相比于体硅技术，SOI技术集成度更高、寄生电容极更小和隔离性能更好。基于SOI技术的LDMOS器件与其他的大多数新型有源器件如HEMT、HBT等相比，拥有更好的CMOS工艺兼容性以及方便集成的特点，且本身本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有超结分裂栅的LDMOS器件，其特征在于：该器件包括衬底(5)、埋氧层(4)、LDMOS导电区和分裂栅区；所述埋氧层(4)位于衬底(5)上；所述LDMOS导电区和分裂栅区设置于所述埋氧层(4)上，LDMOS导电区与分裂栅区通过二氧化硅隔离层Ⅰ(16)隔离。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述LDMOS导电区包括依次设置的源极P+区(1)、源极N+区(2)、P
‑
body区(3)、N型漂移区(6)和漏极N+区(7)。3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述分裂栅区包括对称设置在器件两侧的侧面栅极P+接触区(8)、P型辅助耗尽区(9)、N型导电区、浮空电极N+接触区、P型漏极延伸区(15)、侧面漏极P+接触区(14)；所述侧面栅极P+接触区(8)分别与二氧化硅隔离层Ⅰ(16)和P型辅助耗尽区(9)相邻；所述P型辅助耗尽区(9)分别与侧面栅极P+接触区...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟中，何玉婷，段祖兵，张红升，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：