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本发明涉及一种具有超结分裂栅的LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由分裂栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将器件两区域分隔。分裂栅区由两个尺寸、掺杂、连接方式和功能均不同的P
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该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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