一种种子注入式ArF准分子激光装置制造方法及图纸

技术编号:3853276 阅读:204 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种种子注入式ArF准分子激光装置,包括全固态种子激光器,ArF准分子激光器,所述全固态种子激光器包括全固态激光器、非线性光学晶体变频器和KBe2BO3F2晶体倍频器,所述全固态激光器用于产生基频激光,所述非线性光学晶体变频器用于接收所述基频激光将其变频至波长为386.8nm,所述KBe2BO3F2晶体倍频器用于接收所述386.8nm的激光并将其倍频成为波长193.4nm的种子激光,所述全固态种子激光器将所述种子激光注入到所述ArF准分子激光器中;所述ArF准分子激光器接收并放大所述种子激光。根据本发明专利技术的种子注入式ArF准分子激光装置结构简单,更易于实用化、工程化,并且能够同时实现高功率、高光束质量与窄线宽的193.4nm激光输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光
,具体涉及一种种子注入式ArF准分子激光装置。
技术介绍
准分子激光器是以准分子为工作物质的一种气体激光器。准分子激光器最重要 的特征是可高效输出高功率的紫外或深紫外激光,因而在微电子、微纳加工、光化学、光生 物学、同位素分离以及核聚变等领域获得重要应用。尤其是在半导体光刻方面,输出波长 为193. 4nm的ArF准分子激光器是当前正在发展的新一代光刻系统的主流光源。在光刻系 统中,需要由复杂且昂贵的光学成像系统将掩膜反射或透射的激光束成像到感光层,为获 得高分辨率的图像,要求激光源具有极高的光束质量(近衍射极限)与极窄的线宽(小于 Ipm)。激光波长越短、光束质量越好,光学成像的分辨率越高,从而实现极窄(小于0. 1 μ m) 的光刻。一般自由运转的波长193. 4nm的ArF准分子激光器的线宽为500pm,压窄其线宽 的技术手段主要包括两种。第一种是在ArF准分子激光器的谐振腔内插入色散元件。例 如1998年美国Das等人提出在腔内插入棱镜获得窄线宽准分子激光器的方案 ;1998年美国Wakabayashi等人提出在腔内插入光栅获得窄线宽准分子激光 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种种子注入式ArF准分子激光装置,包括全固态种子激光器,ArF准分子激光器,所述全固态种子激光器包括全固态激光器、非线性光学晶体变频器和KBe↓[2]BO↓[3]F↓[2]晶体倍频器,所述全固态激光器用于产生基频激光,所述非线性光学晶体变频器用于接收所述基频激光将其变频至波长为386.8nm,所述KBe↓[2]BO↓[3]F↓[2]晶体倍频器用于接收所述386.8nm的激光并将其倍频成为波长193.4nm的种子激光,所述全固态种子激光器将所述种子激光注入到所述ArF准分子激光器中;所述ArF准分子激光器接收并放大所述种子激光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许祖彦薄勇彭钦军王志敏许家林高宏伟
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
类型:发明
国别省市:11

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