一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件制造技术

本实用新型专利技术公开了开出模件技术领域的一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，包括：微控单元MCU；启停按钮、拨码开关、绝缘栅双极型晶体管驱动电路分别与所述微控开关MCU电连接；绝缘栅双极型晶体管分别与防护电路和所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路电连接；本实用新型专利技术既能满足快速开出的时间要求，又能满足抗电磁干扰要求。又能满足抗电磁干扰要求。又能满足抗电磁干扰要求。

【技术实现步骤摘要】
一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件


[0001]本技术属于开出模件
，具体涉及一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件。

技术介绍

[0002]随着智能电网的不断发展，对电力二次设备的要求也越来越高。电力二次设备时间顺序记录(Sequence of Event，SOE)具有自动化系统准确记录和分辨现场发生事件的功能，是电力运行人员正确处理事故、分析和判断复杂电网故障的重要工具。为了确保电力二次设备开入回路在电磁干扰条件下的抗干扰性能，对任意两路开入回路施加共浪涌干扰、快速瞬变干扰、慢速阻尼震荡波干扰时，装置任意两路开入回路要满足最低1ms的SOE分辨率要求。目前，市场上缺少既能够满足微秒级快速开出，又能满足电磁干扰条件下，不影响装置开入特性的电力自动化测试仪。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术中的不足，本技术提供一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，既能满足快速开出的时间要求，又能满足抗电磁干扰要求。
[0004]为达到上述目的，本技术所采用的技术方案是：一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，包括：微控单元MCU；启停按钮、拨码开关、绝缘栅双极型晶体管驱动电路分别与所述微控开关MCU电连接；绝缘栅双极型晶体管分别与防护电路和所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路电连接。
[0005]进一步地，所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路包括非门芯片U1、隔离光耦D1、隔离光耦D2、PMOS管Q1和NMOS管Q2，其中，隔离光耦D1的1脚通过电阻R1接电压VCC；隔离光耦D1的2脚接微控单元MCU的第一GPIO管脚；隔离光耦D1的3脚通过电阻R3、电阻R4接PMOS管Q1的栅极，通过电阻R3、电阻R2接+15V电压；隔离光耦D1的4脚接+5V电压；隔离光耦D2的1脚通过电阻R5接电压VCC；隔离光耦D2的2脚通过非门芯片U1接微控单元MCU的第二GPIO管脚；隔离光耦D2的3脚通过电阻R6接NMOS管Q2的栅极，通过电阻R6、电阻R7接地；隔离光耦D2的4脚接+5V电压；PMOS管Q1的源极接+15V电压；NMOS管Q2的源极接地；PMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极分别通过电阻R8接绝缘栅双极型晶体管Q3。
[0006]进一步地，所述绝缘栅双极型晶体管Q3的门极通过电阻R8分别接PMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极，通过电阻R9接地，双向TVS管V1与电阻R9并联；所述绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极接负接点OUT
‑
；所述绝缘栅双极型晶体管Q3的集电极接正接点OUT+，所述绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极接地。
[0007]进一步地，所述电阻R8、电阻R9为氧化膜电阻。
[0008]进一步地，所述防护电路连接在所述绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极和集电极之间。
[0009]进一步地，所述防护电路包括二极管V2、二极管V3、电阻R10、压敏电阻RV1～RV3、
电容C1～C3；二极管V2并联于绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极和集电极之间；二极管V3并联电阻R10后串联电容C3组成RCD缓冲电路，然后并联于绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极和集电极之间；压敏电阻RV1并联于绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极和集电极之间；电容C1一端与绝缘栅双极型晶体管Q3的集电极连接，另一端接地；压敏电阻RV2一端与绝缘栅双极型晶体管Q3的集电极连接，另一端接地；电容C2一端与绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极连接，另一端接地；压敏电阻RV3一端与绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极连接，另一端接地。
[0010]进一步地，所述拨码开关采用至少4位的8421码。
[0011]与现有技术相比，本技术所达到的有益效果：本技术通过微控单元MCU；启停按钮、拨码开关、绝缘栅双极型晶体管驱动电路分别与微控开关MCU电连接；绝缘栅双极型晶体管与绝缘栅双极型晶体管驱动电路电连接，制成一种既能满足快速开出的时间要求，又能满足抗电磁干扰要求的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件；有利于电力二次设备开入回路的测试，既提高了产品质量，又能够降低企业成本。
附图说明
[0012]图1是本技术实施例提供的一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件的整体结构框图；
[0013]图2是本技术实施例中绝缘栅双极型晶体管驱动电路的电路结构示意图；
[0014]图3是本技术实施例中防护电路的电路结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图对本技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0016]如图1所示，一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，包括微控单元MCU；启停按钮、拨码开关、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路分别与微控开关MCU电连接；绝缘栅双极型晶体管与绝缘栅双极型晶体管驱动电路电连接；启停按钮用于向微控单元MCU发送启动或停止信号；微控单元MCU用于读取拨码开关的状态信息，并根据拨码开关的状态信息通过绝缘栅双极型晶体管驱动电路控制绝缘栅双极型晶体管的导通与关断。
[0017]启停按钮与微控单元MCU的其中一个GPIO口连接，微控单元根据启停按钮的状态判断模件是工作还是停止；当启停按钮按下，则微控单元MCU读取启停按钮的状态为高，微控单元MCU判断模件需要工作，微控单元MCU通过其中一个GPIO口输出驱动信号控制IGBT的导通与关断；当启停按钮没有按下时，微控单元MCU读取启停按钮的状态为低，微控单元MCU停止输出驱动信号，IGBT关断。
[0018]拨码开关与微控单元MCU的其中一个GPIO口连接，微控单元MCU根据读取到的高低电平(高电平为1，低电平为0)进行判断当前拨码开关的具体数值，进行判断两路IGBT信号的导通间隔时间。拨码开关采用4位8421码的方式进行设置，最小值为四位零，两路IGBT信号的导通时间间隔为1ms，每增加1，两路IGBT信号的导通时间增加1ms，最大间隔15ms。微控单元MCU通过GPIO口输出驱动信号，通过IGBT驱动电路后驱动IGBT的导通与关断，IGBT则将输出接点提供给被测装置任意两路开入回路中。直流电压源输出的直流电压经不同的信号发生器后，通过不同的耦合/去耦网络，电磁干扰信号以共模或差模方式叠加到直流电压，
带有电磁干扰信号的直流电压经IGBT出口后接入被测装置开入回路，通过控制IGBT的通断，以实现被测装置两路开入先后得到直流电压，继而达到开入先后动作的要求，进而实现对开入回路SOE分辨率的测试。本实施例中的拨码开关也可以通过采用更多位8421码进行设置时间间隔。
[0019]如图2所示，绝缘栅双极型晶体管驱动电路包括非门芯片U1、隔离光耦D1、隔离光耦D2、PMOS管Q1和NMOS管Q2；其中，隔离光耦D1的1脚通过电阻R1上拉到电压VCC；隔离光耦D1的2脚接微控单元MCU的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，包括：微控单元MCU；启停按钮、拨码开关、绝缘栅双极型晶体管驱动电路分别与所述微控开关MCU电连接；绝缘栅双极型晶体管分别与防护电路和所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路电连接。2.根据权利要求1所述的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路包括非门芯片U1、隔离光耦D1、隔离光耦D2、PMOS管Q1和NMOS管Q2，其中，隔离光耦D1的1脚通过电阻R1接电压VCC；隔离光耦D1的2脚接微控单元MCU的第一GPIO管脚；隔离光耦D1的3脚通过电阻R3、电阻R4接PMOS管Q1的栅极，通过电阻R3、电阻R2接+15V电压；隔离光耦D1的4脚接+5V电压；隔离光耦D2的1脚通过电阻R5接电压VCC；隔离光耦D2的2脚通过非门芯片U1接微控单元MCU的第二GPIO管脚；隔离光耦D2的3脚通过电阻R6接NMOS管Q2的栅极，通过电阻R6、电阻R7接地；隔离光耦D2的4脚接+5V电压；PMOS管Q1的源极接+15V电压；NMOS管Q2的源极接地；PMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极分别通过电阻R8接绝缘栅双极型晶体管Q3。3.根据权利要求2所述的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管Q3的门极通过电阻R8分别接PMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极，通过电阻R9接地，双向TVS管V1与电...

【专利技术属性】
技术研发人员：史志伟，牟晋力，门殿卿，岳峰，陈庆旭，吴焱，吴凯，
申请(专利权)人：南京国电南自电网自动化有限公司，
类型：新型
国别省市：