一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉制造技术

本发明专利技术公开了一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉，包括炉体，炉体连接有真空子系统，炉体内设有感应熔炼坩埚、急冷铜辊、中间包、挡流板以及粗冷却转盘，炉体内壁横向设有位于粗冷却转盘上方的套筒，炉体外壁设有第一电机，急冷铜辊位于中间包正下方，中间包位于感应熔炼坩埚侧面，挡流板设置在感应熔炼坩埚与中间包之间，粗冷却转盘转动设置于急冷铜辊正下方，粗冷却转盘与炉体底部的第二电机连接，炉体内壁上设有伸缩式抛光结构，粗冷却转盘下方设有对粗冷却转盘内部物料再次降温的可调控精冷却机构。本发明专利技术用以调控合金薄片的降温速度，使合金薄片能迅速的完成适合高性能材料制备的冷速特性的降温，避免出现团聚、结块现象，同时还能对急冷铜辊进行自动打磨抛光。光。光。

【技术实现步骤摘要】
一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉


[0001]本专利技术涉及真空速凝炉
，具体涉及一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉。

技术介绍

[0002]真空速凝炉是目前生产钕铁硼稀土永磁合金材料及稀土储氢合金材料的主要设备，其主要包括综合控制子系统、真空子系统、真空炉体、感应熔炼坩埚、中间包、急冷铜辊及冷却盘等，主要工作原理是：通过综合控制子系统控制真空子系统使得真空炉内部处于真空环境，控制中频感应加热方式使金属及合金材料熔化，并将熔液浇筑在中间包上，熔液再通过中间包流向冷水热交换的急冷铜辊上，急冷铜辊使熔液急速冷却，材料内部微观上形成柱状晶结晶，宏观上凝固成薄片，薄片再掉落到下方的冷却盘内冷却。该种真空速凝炉在将材料制备成薄片过程中，降温速度相对较慢且不受控制，铸态速凝合金薄片的微观柱状晶织构还不太理想，主相成分晶粒在自由面和铜轮面的贯穿度、晶核间距、柱状晶宽度都不能较大程度满足工艺技术要求，由于急速冷却的铸片温度大约为700℃，进入收料器后，易造成薄片粘接在一起，形成团聚、结块现象，这样用此薄片制得的产品，如Nd/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉，包括炉体(1)，炉体(1)连接有真空子系统(17)，其特征在于，所述炉体(1)内设有感应熔炼坩埚(5)、急冷铜辊(3)、中间包(4)、挡流板(19)以及粗冷却转盘(11)，炉体(1)内壁横向设有位于粗冷却转盘(11)上方的套筒(2)，炉体(1)外壁设有第一电机(18)，第一电机(18)的输出端贯穿套筒(2)后与急冷铜辊(3)一端连接，急冷铜辊(3)位于中间包(4)正下方，中间包(4)位于感应熔炼坩埚(5)侧面，挡流板(19)设置在感应熔炼坩埚(5)与中间包(4)之间，中间包(4)出料口朝向急冷铜辊(3)表面，粗冷却转盘(11)转动设置于急冷铜辊(3)正下方，粗冷却转盘(11)与炉体(1)底部的第二电机(14)连接，炉体(1)内壁上设有与急冷铜辊(3)对应的伸缩式抛光结构，粗冷却转盘(11)下方设有对粗冷却转盘(11)内部物料再次降温的可调控精冷却机构。2.根据权利要求1所述的一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉，其特征在于，所述伸缩式抛光机构包括底座(10)、环形支架(6)、气缸(9)及砂纸(25)，底座(10)固定在急冷铜辊(3)对立的炉体(1)内侧壁上，气缸(9)固定在底座(10)侧面，气缸(9)的输出端与环形支架(6)通过支撑杆(7)连接，环形支架(6)的内环允许急冷铜辊(3)通过，砂纸(25)适配的贴合在环形支架(6)的内环上。3.根据权利要求2所述的一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉，其特征在于，所述砂纸(25)与环形支架(6)内壁之间设有一圈适配的气囊(24)，气囊(24)内注入有压缩空气或者带压惰性气体。4.根据权利要求3所述的一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉，其特征在于，所述砂纸(25)边缘位置通过螺钉固定在环形支架(6)侧面上。5.根据权利要求2所述的一种集调控急冷与抛光一体的真空速凝炉，其特征在于，所述支撑杆(7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨阳，李世贵，赵导文，刘波，任林，王常在，刘旭东，
申请(专利权)人：绵阳西磁磁电有限公司，
类型：发明
国别省市：