一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置，涉及晶片清洗领域。该发明专利技术包括装置主体，所述装置主体的内侧壁设置有启动电机，转动清理机构，整体呈转盘型设置，对晶片进行固定后，通过相互反转的方式对晶片表面进行清理，吹风机构；设置在安装腔外，对晶片表面进行提前吹风预处理，通过清洁箱内的喷气筒的设置，可以实现在使用时，当带动圆台缓慢转动带动清洁箱对晶片进行清洗时，位于清洁箱内的喷气筒在磁力的带动下，会对晶片进行提前吹风预处理，将晶片表面的表面的灰尘和附着力较弱杂质进行吹离，对附着力较强的杂质进行吹风松动，方便后续的清洁海绵的刮擦清理，有效的避免了在晶片的表面留下划痕。避免了在晶片的表面留下划痕。避免了在晶片的表面留下划痕。

【技术实现步骤摘要】
一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置


[0001]本专利技术涉及晶片清洗领域，具体而言，涉及一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置。

技术介绍

[0002]有关半导体晶片，首先要了解的是晶片的制配材料，主要是由硅构成，硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素，也是大多数半导体和微电子芯片的主要原料，有意思的是，硅自身的导电性并不是很好，然而，可以通过添加适当的掺杂剂来精确控制它的电阻率，制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片，这要从硅锭的生长开始，单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料，多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路，多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。
[0003]半导体晶片制作完成后，其表面会掺杂有制作留下的细小灰尘、微金属元素和有机物杂质等，进而在晶片使用前需要进行充分清洗，以避免后期对晶片内部电路造成损伤，现有的清洗装置通常都是直接采用有机水对晶片的表面进行冲洗刮擦清理，未对表面附着力较强的杂质进行提前预处理，这就导致在清洗附着力较强的杂质时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置，其特征在于，包括装置主体(1)，所述装置主体(1)的内侧壁设置有启动电机(107)；转动清理机构；整体呈转盘型设置，对晶片(110)进行固定后，通过相互反转的方式对晶片(110)表面进行清理；吹风机构；设置在安装腔外，对晶片(110)表面进行提前吹风预处理，使附着力较弱的表面颗粒被吹离；洒液机构；设置在吹风机构的侧边，吹风机构对晶片(110)吹风预处理后，洒液机构可以根据晶片(110)的转速来自动控制调节清洁液的浓度。2.根据权利要求1所述的一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置，其特征在于，所述转动清理机构包括设置在启动电机(107)输出端的传动杆(109)，所述传动杆(109)贯穿至装置主体(1)的外部，所述传动杆(109)的外侧壁上固定连接有减速砂轮(104)，所述传动杆(109)的顶端固定连接有转动圆盘(101)，所述转动圆盘(101)的上端安装设置有晶片(110)，所述转动圆盘(101)的两侧均固定连接有安装凸块(102)，所述安装凸块(102)上安装设置有触发磁石(103)。3.根据权利要求1所述的一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置，其特征在于，所述装置主体(1)的外侧壁上固定连接有多个弹力杆(105)，多个所述弹力杆(105)的上端部固定连接有接水盒(106)，所述接水盒(106)的底部固定连接有与减速砂轮(104)对应的接触砂轮(111)。4.根据权利要求1所述的一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置，其特征在于，所述装置主体(1)的内侧壁转动连接有转动杆(2)，所述装置主体(1)与转动杆(2)的外侧壁上均分别套接有转动齿轮(108)与带动齿轮(201)，所述转动齿轮(108)与带动齿轮(201)呈啮合设置，所述转动杆(2)的上端部固定连接有带动圆台(202)，所述带动圆台(202)的两侧均安装设置有清洁箱(3)。5.根据权利要求1所述的一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置，其特征在于，所述吹风机构包括设置在清洁箱(3)内侧壁的喷气筒(303)，所述喷气筒(303)的内侧壁滑动连接有推动活塞杆(301)，所述推动活塞杆(301)的底部固定连接有推动磁石(302)，所述推动磁石(302)的磁极与触发磁石(103)的磁极相反。6.根据权利要求5所述的一种降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗装置，其特征在于，所述喷气筒(303)的输出端连通设置有输气管(304)，所述输气管(304)远离喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭劲松，万翠凤，郭天宇，张巍，
申请(专利权)人：江苏爱矽半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：