一种基于真空浇注工艺的峰化电容器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于真空浇注工艺的峰化电容器，主要由内芯、内层电极环、外层电极环、介质组成。峰化电容器为竖直中心线对称结构，内芯、内层电极环、外层电极环自内向外依次排列。介质位于内芯、内层电极环、外层电极环之间，以及内层电极环的内部。介质与内芯、内层电极环、外层电极环通过真空浇注固化在一起。本发明专利技术内层电极环均由环氧树脂材料包覆，无传统制作工艺中电极环、薄膜介质与气体绝缘介质构成的锐角型三结合点，不会发生传统制作工艺峰化电容器在较低工作电压下即发生闪络起始的问题，提高了峰化电容器的耐受电压。提高了峰化电容器的耐受电压。提高了峰化电容器的耐受电压。

【技术实现步骤摘要】
一种基于真空浇注工艺的峰化电容器及其制备方法


[0001]本专利技术属于电容器及高空电磁脉冲环境模拟生成
，具体是一种基于真空浇注工艺的峰化电容器。

技术介绍

[0002]在兆伏级高空电磁脉冲模拟装置中，最后一级压缩段中峰化电容器一般与辐射天线共形设计，峰化电容器中同轴结构电极环一侧末端构成的轮廓线与辐射天线锥角保持一致，串级结构的峰化电容器分布在辐射天线的传输路径上，以减少峰化电容器杂散电感对辐射场前沿的影响，获得纳秒级前沿的辐射场信号。为确保耐受电压能力，峰化电容器由多个同轴结构电容串联而成，在传统的峰化电容器制作工艺流程中，峰化电容器一般采用干式薄膜结构，由内芯、箍紧环以及多层电极环和多层薄膜介质卷绕而成。根据峰化电容器的实际运行经验，其薄膜介质的体绝缘性能余量较大，未发生过体击穿的现象，电容器的绝缘失效模式几乎全体现在薄膜介质的沿面闪络上。为此，在《圆形平板电极与薄膜层叠结构的沿面闪络性能》(doi:10.11884/HPLPB202032.190311)、《A Coaxial Film Capacitor with a Nove本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于真空浇注工艺的峰化电容器，其特征在于，主要由内芯(1)、N个内层电极环(2)、外层电极环(3)、介质(4)组成；N＝7～12；所述内芯(1)为关于竖直中心线对称的空心旋转体；所述内芯(1)、所述N个内层电极环(2)、所述外层电极环(3)自内向外依次同轴排列；所述介质(4)位于所述内芯(1)与最内侧的内层电极环(2)之间、所述外层电极环(3)与最外侧的内层电极环(2)之间，以及相邻内层电极环(2)之间；所述介质(4)与所述内芯(1)、所述内层电极环(2)、所述外层电极环(3)粘接在一起；所述内芯(1)、所述内层电极环(2)、所述外层电极环(3)的材料均为铝合金，所述介质(4)为聚合物材料；所述内层电极环(2)由若干个内层电极环单环组成，每个内层电极环单环均由两个半环构成，两个半环间设置有开口；每个内层电极环单环开口的分布，由内向外依次绕竖直中心线旋转90
°
角；每个内层电极环单环的底部平齐，高度自内向外线性减小；所述外层电极环(3)由两个半环构成，两个半环间设置有开口；外层电极环(3)侧面设置安装孔，用于安装外接铍铜弹片；外层电极环(3)的开口与相邻内层电极环单环的开口绕竖直中心线旋转90
°
角；外层电极环(3)底部与内层电极环(2)底部平齐，所述外层电极环(3)的高度小于相邻内层电极环单环的高度。2.根据权利要求1所述的基于真空浇注工艺的峰化电容器，其特征在于，所述内芯(1)可分为上部和下部两部分，上部为中空圆台形，上台面设置有通孔，用于真空浇注时放置内芯堵头(9)和峰化电容器的连接端口；下部为圆筒形，下底面设置有通孔，用于真空浇注时放置内芯堵头(9)和峰化电容器的连接端口。3.根据权利要求1或2所述的基于真空浇注工艺的峰化电容器，其特征在于，还包括浇注在介质(4)内的电极环定位工装(5)；所述电极环定位工...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志强，梅锴盛，贾伟，吴伟，郭帆，谢霖燊，程永平，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：