【技术实现步骤摘要】
高密度电容装置
[0001]本技术涉及半导体领域的基本器件,具体为一种高密度电容装置。
技术介绍
[0002]在当今电气化的时代,社会对能源的需求与日俱增,大到工厂的设备运转,小到每个人使用的电子设备。在一些设备的供电时,需要保证供电的正常和减少功耗,增强绿色能源的利用率。
[0003]电容是常见的半导体器件,如图1所示,C=εS/4πkd,其中,ε为由两极板之间介质决定的介电常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量,传统的电容器件耐压和密度不能同时兼顾,从而降低了产品的适用性。
技术实现思路
[0004]为了解决现有电容器件耐压和密度不能同时兼顾的问题,本技术提供了一种高密度电容装置,其在保证电容具备较高耐压的同时提升电容密度。
[0005]其技术方案是这样的:一种高密度电容装置,其包括上极板和下极板,所述上极板与所述下极板之间填充有绝缘介质,其特征在于,所述上极板与所述下极板之间的中间位置设置有中间极板。
[0006]其进一步特征在于,所述中间极板具有一定厚度使左右两侧均有耦合面积,所述中间极板的截面尺寸小于所述上极板和所述下极板;
[0007]所述绝缘介质左右两端开设有金属通孔;
[0008]所述中间极板与所述上极板、下极板相平行。
[0009]采用本技术后,在原先的上极板与下极板之间增加中间极板,从而增加了上下两面的耦合面积,有效的提高了电容密度,并且电容尺寸没有发生变化,同样具备较高的耐压性。
附图说明 >[0010]图1为现有技术结构示意图;
[0011]图2为本技术实施例一示意图;
[0012]图3为本技术实施例二示意图。
具体实施方式
[0013]实施例一:一种高密度电容装置,其包括上极板S1和下极板S3,上极板S1与下极板S3之间填充有绝缘介质,上极板S1与下极板S3之间的中间位置设置有中间极板S2,中间极板S2到上极板S1和下极板S3的距离均为d,相同面积下,电容值C1=2*C。
[0014]实施例二:其包括上极板S1和下极板S3,上极板S1与下极板S3之间填充有绝缘介质,上极板S1与下极板S3之间的中间位置设置有中间极板S2,中间极板S2一定厚度,对中间
极板S2的耦合面由上极板S1与下极板S3的2面的基础上再增加左右的S4和S5面,又会增加一定的耦合面积,最终C2=2C+2Cs,Cs表示左右每个面的耦合电容,并且中间极板的截面尺寸小于上极板和下极板,绝缘介质左右两端开设有金属通孔。中间极板S2与上极板S1、下极板S3一般相平行,可以获得上下最大的耦合面积。如果不平行,则距离d取不同距离的平均值。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高密度电容装置,其包括上极板和下极板,所述上极板与所述下极板之间填充有绝缘介质,其特征在于,所述上极板与所述下极板之间的中间位置设置有中间极板;所述中间极板具有一定厚度使左右两侧均有耦合面积,所述中间极板的截面尺寸小于...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵祥桂,孙金建,
申请(专利权)人:杭州思泰微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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