一种双柜自动化晶体生长设备制造技术

本发明专利技术公开了一种双柜自动化晶体生长设备，属于晶体制造技术领域，其包括柜体和电控柜，所述柜体的内壁固定安装有炉体，所述炉体的顶部设置有坩埚，所述炉体的下方设置有干燥室。本方案通过采用了电控柜独立的方式，实现了反应和控制分离的双柜设计方案，通过自动化的电控柜进行控制，使其实现整体的自动化控制，在炉体下方设置储料仓、干燥室、驱动器和隔板，使其在驱动器控制过盈环转动时，挡板随之移动在干燥室的内壁，在此过程中电控柜合理控制除湿管和传输管的通断状态实现自动化的密封更换无水氧化钙，避免传统的更换方式难度大，提高了晶体生成的稳定性，同时整体采用了电控柜进行独立的自动化控制，形成互不干扰的双柜组合。双柜组合。双柜组合。

【技术实现步骤摘要】
一种双柜自动化晶体生长设备


[0001]本专利技术属于晶体制造
，具体地说，涉及双柜自动化晶体生长设备。

技术介绍

[0002]晶体生长设备中热交换法的使用尤为广泛，通过定向凝固结晶法，晶体生长驱动力来自固液界面上的温度梯度。
[0003]目前的晶体生长设备大多采用工程师进行操作，使其保障晶体生长过程的稳定性，当出现异常及时进行调整即可。
[0004]其中热交换法在部分晶体生成的过程中，基于内部的原料特性，会出现较为少量的水蒸气，使其在保护性气体的长时间作用下会影响结晶的正常进行，其中目前较为常见的方式就是采用一个无水氧化钙在密封的空间下与反应的坩埚连通，使其将多余的水分吸附，保障结晶过程的稳定性，然而目前的这种方式在长时间结晶过程中为保障良好的除湿效果，需要在保障密封的前提下进行更换，使其操作难度较大，对工程师的经验要求高。
[0005]有鉴于此特提出本专利技术。

技术实现思路

[0006]为解决上述技术问题，本专利技术采用技术方案的基本构思是：
[0007]一种双柜自动化晶体生长设备，包括柜体和电控柜，所述柜体的内壁固定安装有炉体，所述炉体的顶部设置有坩埚，所述炉体的下方设置有干燥室。
[0008]所述干燥室的下表面贯穿固定有驱动器，所述驱动器的输出端固定连接有过盈块，所述过盈块的表面设置有过盈环，所述过盈环的表面固定有若干个隔板。
[0009]所述干燥室的内壁开设有汇聚凹陷，所述干燥室的上表面通过传输管与储料仓相连通。
[0010]作为本专利技术的进一步方案：所述柜体内壁的四角处均固定有安装架，且四个安装架的表面共同安装有下撑架，所述下撑架固定在炉体的下表面。
[0011]作为本专利技术的进一步方案：所述柜体的底部设置有受控电器仓，所述电控柜的底部设置有主控电器仓，且主控电器仓与受控电器仓之间设置有用于线路铺设的线束管。
[0012]作为本专利技术的进一步方案：所述炉体的上表面固定连接有上撑架，所述坩埚滑动在上撑架的内壁。
[0013]作为本专利技术的进一步方案：所述电控柜的正面设置有封门，所述封门的表面设置有显示面板和控制面板。
[0014]作为本专利技术的进一步方案：所述储料仓的上表面固定连接有连接架，所述连接架的上表面固定连接在下撑架的下表面，所述柜体内壁的下表面固定有底座，所述底座的上表面与干燥室的下表面固定连接。
[0015]作为本专利技术的进一步方案：所述柜体内壁的上表面安装有用于控制坩埚位于炉体顶部垂直运动的升降机，所述柜体的上表面安装有用于控制升降机的升降电机。
[0016]作为本专利技术的进一步方案：所述坩埚的上表面开设有密封接头，所述干燥室的上表面开设有快拆接头，所述密封接头与快拆接头之间通过除湿管相连通。
[0017]作为本专利技术的进一步方案：所述汇聚凹陷的内壁贯穿开设有排出口，所述排出口的下方设置有废料盒，所述储料仓的上表面开设有补充口。
[0018]作为本专利技术的进一步方案：所述炉体的表面开设有视窗，所述传输管与除湿管的表面均设置有电磁阀。
[0019]有益效果：
[0020]本方案通过采用了电控柜独立的方式，实现了反应和控制分离的双柜设计方案，通过自动化的电控柜进行控制，使其实现整体的自动化控制，在炉体下方设置储料仓、干燥室、驱动器和隔板，使其在驱动器控制过盈环转动时，挡板随之移动在干燥室的内壁，在此过程中电控柜合理控制除湿管和传输管的通断状态实现自动化的密封更换无水氧化钙，避免传统的更换方式难度大，提高了晶体生成的稳定性，同时整体采用了电控柜进行独立的自动化控制，形成互不干扰的双柜组合。
[0021]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的描述。
附图说明
[0022]在附图中：
[0023]图1为本专利技术立体的结构示意图；
[0024]图2为本专利技术另一视角立体的结构示意图；
[0025]图3为本专利技术柜体正视的结构示意图；
[0026]图4为本专利技术储料仓和干燥室截面结构示意图；
[0027]图5为本专利技术干燥室立体的剖面。
[0028]图中：1、柜体；2、炉体；3、坩埚；4、储料仓；5、干燥室；6、除湿管；7、废料盒；8、电控柜；9、上撑架；10、连接架；11、底座；12、安装架；13、升降电机；14、升降机；15、下撑架；16、视窗；17、密封接头；18、快拆接头；19、驱动器；20、传输管；21、线束管；22、受控电器仓；23、主控电器仓；24、补充口；25、排出口；26、过盈块；27、过盈环；28、隔板；29、汇聚凹陷；30、封门。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下实施例用于说明本专利技术。
[0030]实施例一
[0031]请参阅图1至图5，本专利技术提供一种技术方案：一种双柜自动化晶体生长设备，包括柜体1和电控柜8，柜体1的内壁固定安装有炉体2，炉体2的顶部设置有坩埚3，炉体2的下方设置有干燥室5。
[0032]干燥室5的下表面贯穿固定有驱动器19，驱动器19的输出端固定连接有过盈块26，过盈块26的表面设置有过盈环27，过盈环27的表面固定有若干个隔板28。
[0033]干燥室5的内壁开设有汇聚凹陷29，干燥室5的上表面通过传输管20与储料仓4相连通。
[0034]本方案通过设置柜体1和电控柜8的独立设置，使其相关电气设备能够进行分离，
降低对晶体制造过程的影响，同时实现过程的自动监控与调节，无需经验丰富的人工进行操作。
[0035]通过采用过盈块26和过盈环27的搭配方式，当过盈块26随着驱动器19的控制下进行转动过程中，其表面过盈配合的过盈套随之转动，若出现较大的作用力下过盈块26和过盈环27出现错位，防止出现安全事故，在带动挡板转动过程中更为柔和。
[0036]通过设置汇聚凹陷29，当对应两个挡板之间间隙的废弃无水氧化钙材料移动到汇聚凹陷29位置后，能够掉落，使其挡板移动后重新接触到干燥室5的内壁，并在贴合中进行密封，随即汇聚凹陷29内部的废弃无水氧化钙通过排出口25掉落到废料盒7中即可统一清理。
[0037]这里需要知道的是，挡板与过盈环27接触干燥室5的一侧均有密封处理，常用的采用耐高温橡胶配合。
[0038]传输管20作用在连接坩埚3和干燥室5，这里管道的选择以耐高温波节管或硬质金属管为主。
[0039]具体的，如图1所示：柜体1内壁的四角处均固定有安装架12，且四个安装架12的表面共同安装有下撑架15，下撑架15固定在炉体2的下表面。
[0040]通过设置安装架12，安装架12位于柜体1内壁的四角处安装，使其能够对上撑架9、下撑架15进行安装和固定，上撑架9与下撑架15能够依据需要进行不同高度的固定，针对于炉体2的高度能够进行适配。
[0041]具体的，如图2所示：柜体1的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双柜自动化晶体生长设备，包括柜体(1)和电控柜(8)，其特征在于，所述柜体(1)的内壁固定安装有炉体(2)，所述炉体(2)的顶部设置有坩埚(3)，所述炉体(2)的下方设置有干燥室(5)；所述干燥室(5)的下表面贯穿固定有驱动器(19)，所述驱动器(19)的输出端固定连接有过盈块(26)，所述过盈块(26)的表面设置有过盈环(27)，所述过盈环(27)的表面固定有若干个隔板(28)；所述干燥室(5)的内壁开设有汇聚凹陷(29)，所述干燥室(5)的上表面通过传输管(20)与储料仓(4)相连通。2.根据权利要求1所述的一种双柜自动化晶体生长设备，其特征在于，所述柜体(1)内壁的四角处均固定有安装架(12)，且四个安装架(12)的表面共同安装有下撑架(15)，所述下撑架(15)固定在炉体(2)的下表面。3.根据权利要求1所述的一种双柜自动化晶体生长设备，其特征在于，所述柜体(1)的底部设置有受控电器仓(22)，所述电控柜(8)的底部设置有主控电器仓(23)，且主控电器仓(23)与受控电器仓(22)之间设置有用于线路铺设的线束管(21)。4.根据权利要求2所述的一种双柜自动化晶体生长设备，其特征在于，所述炉体(2)的上表面固定连接有上撑架(9)，所述坩埚(3)滑动在上撑架(9)的内壁。5.根据权利要求3所述的一种双柜自动化晶体生长设备，其特征在于，所述电控柜(8)...

【专利技术属性】
技术研发人员：万文，
申请(专利权)人：安徽环巢光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：