本公开实施例提供了一种驱动背板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该驱动背板包括衬底基板和依次层叠在衬底基板的承载面上的第一遮光结构、第一薄膜晶体管、第二遮光结构和第二薄膜晶体管。第一遮光结构位于第一薄膜晶体管的靠近衬底基板的一侧，且第一薄膜晶体管的有源层在承载面上的正投影位于第一遮光结构在承载面上的正投影内；第二遮光结构位于第二薄膜晶体管的靠近所述衬底基板的一侧，且第二薄膜晶体管的有源层在承载面上的正投影位于第二遮光结构在承载面上的正投影内。本公开实施例可以改善驱动背板中薄膜晶体管受光照影响导致性能不稳定的问题。受光照影响导致性能不稳定的问题。受光照影响导致性能不稳定的问题。
【技术实现步骤摘要】
驱动背板、显示面板和显示装置
[0001]本公开实施例涉及显示
，特别涉及一种驱动背板、显示面板和显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，简称OLED)显示装置，具有能耗低、亮度高、反应时间快、宽视角、重量轻等优点，广泛应用于手机、平板电脑等设备中。
[0003]OLED显示装置包括驱动背板和布置在驱动背板上的多个发光单元。驱动背板控制多个发光单元发光，以实现画面显示。
技术实现思路
[0004]本公开提供了一种驱动背板、显示面板和显示装置，可以改善驱动背板中TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)受光照影响导致性能不稳定的问题，所述技术方案如下：
[0005]一方面，提供了一种驱动背板，所述驱动背板包括：
[0006]衬底基板和驱动电路层，所述驱动电路层包括依次层叠在所述衬底基板的承载面上第一电路层和第二电路层；
[0007]所述驱动电路层包括多个驱动单元，所述多个驱动单元中的任一所述驱动单元包括第一遮光结构、第一TFT、第二遮光结构和第二TFT；
[0008]所述第一遮光结构和所述第一TFT位于所述第一电路层，所述第一遮光结构位于所述第一TFT的靠近所述衬底基板的一侧，且所述第一TFT的有源层在所述承载面上的正投影位于所述第一遮光结构在所述承载面上的正投影内；
[0009]所述第二遮光结构和所述第二TFT位于所述第二电路层，所述第二遮光结构位于所述第二TFT的靠近所述衬底基板的一侧，且所述第二薄TFT的有源层在所述承载面上的正投影位于所述第二遮光结构在所述承载面上的正投影内。
[0010]可选地，所述第一遮光结构和所述第二遮光结构在所述承载面上的正投影至少部分重叠，所述第一TFT和所述第二TFT在所述承载面上的正投影至少部分重叠。
[0011]在一种可能的实施方式中，所述第一遮光结构采用导电材料制成，所述驱动单元还包括第一引出电极，所述第一引出电极与所述第一遮光结构连接；或者，所述第二遮光结构采用导电材料制成，所述驱动单元还包括第二引出电极，所述第二引出电极与所述第二遮光结构连接。
[0012]在另一种可能的实施方式中，所述第一遮光结构和所述第二遮光结构均采用导电材料制成；所述驱动单元还包括第一引出电极、第二引出电极和引出电极连接结构；所述第一引出电极与所述第一遮光结构连接；所述第二引出电极与所述第二遮光结构连接；所述引出电极连接结构分别与所述第一引出电极和所述第二引出电极连接。
[0013]可选地，所述第一引出电极与所述第一TFT的栅极同层，或者，与所述第一TFT的源漏极同层；所述第二引出电极与所述第二TFT的栅极同层，或者，与所述第二TFT的源漏极同
层。
[0014]可选地，所述引出电极连接结构与所述第二遮光结构同层。
[0015]可选地，所述驱动单元还包括层间连接电极，所述第一TFT和所述第二TFT通过所述层间连接电极电连接。
[0016]可选地，所述层间连接电极与所述第二遮光结构同层。
[0017]可选地，所述多个驱动单元包括相邻的第一驱动单元和第二驱动单元；所述第一驱动单元还包括第三TFT，所述第三TFT位于所述第一电路层；所述第二驱动单元还包括第四TFT，所述第四TFT位于所述第二电路层，且所述第三TFT和所述第四薄TFT在所述承载面的正投影至少部分重叠。
[0018]在一些示例中，所述第二TFT为氧化物晶体管，所述第一TFT为低温多晶硅晶体管。
[0019]在一些示例中，所述第二TFT为驱动TFT，所述第一TFT为所述驱动单元中除了所述驱动TFT之外的与所述驱动TFT相连的任一TFT。
[0020]在一些示例中，所述第一电路层包括依次层叠在衬底基板上的所述第一遮光层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一栅极层、第一栅极绝缘层和第一源漏极层，所述第一遮光结构位于所述第一遮光层，所述第一TFT的有源层位于所述第一半导体层，所述第一TFT的栅极位于所述第一栅极层，所述第一TFT的源极和漏极位于所述第一源漏极层；
[0021]所述第二电路层包括依次层叠在所述第一电路层上的第二遮光层、第三绝缘层、第二半导体层、第四绝缘层、第二栅极层、第二栅极绝缘层和第二源漏极层，所述第二遮光结构位于所述第二遮光层，所述第二TFT的有源层位于所述第二半导体层，所述第二TFT的栅极位于所述第二栅极层，所述第二TFT的源极和漏极位于所述第二源漏极层；
[0022]其中，所述第一遮光层和所述第二遮光层的图案相同，所述第一半导体层和所述第二半导体层的图案相同，所述第一栅极层和所述第二栅极层的图案相同，所述第一源漏极层和所述第二源漏极层的图案相同。
[0023]另一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括前述任一种驱动背板和依次层叠在所述驱动背板上的发光功能层、封装层和触控层。
[0024]另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括如前述任一种显示面板和供电电路，所述供电电路用于为所述显示面板供电。
[0025]本公开提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0026]通过分别在所述第一TFT和第二TFT靠近所述衬底基板的一侧设置第一遮光结构和第二遮光结构，第一遮光结构和第二遮光结构可以遮挡从衬底基板所在的一侧照射到对应的TFT的有源层的光线，减少了第一TFT和第二TFT受到光照的可能性，有利于提高第一TFT和第二TFT的性能稳定性，保证了显示装置的显示效果。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本公开实施例提供的一种驱动背板的平面结构示意图；
[0029]图2是本公开实施例提供的一种驱动背板的部分区域的剖视图；
[0030]图3是本公开实施例提供的另一种驱动背板的剖视图；
[0031]图4是本公开实施例提供的又一种驱动背板的剖视图；
[0032]图5是本公开实施例提供的相邻两个驱动单元的关系示意图；
[0033]图6是本公开实施例提供的一种7T1C像素驱动电路的电路图；
[0034]图7是本公开实施例提供的一种驱动背板的制作方法的流程图；
[0035]图8是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
[0036]图例说明：
[0037]11、第一遮光结构12、第一TFT
[0038]12a、第一TFT的有源层12b、第一TFT的栅极
[0039]12c、第一TFT的源极12d、第一TFT的漏极
[0040]13、第一引出电极110、层间介质层
[0041]101、第本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种驱动背板，其特征在于，所述驱动背板包括：衬底基板和驱动电路层，所述驱动电路层包括依次层叠在所述衬底基板的承载面上第一电路层和第二电路层；所述驱动电路层包括多个驱动单元，所述多个驱动单元中的任一驱动单元包括第一遮光结构、第一薄膜晶体管、第二遮光结构和第二薄膜晶体管；所述第一遮光结构和所述第一薄膜晶体管位于所述第一电路层，所述第一遮光结构位于所述第一薄膜晶体管的靠近所述衬底基板的一侧，且所述第一薄膜晶体管的有源层在所述承载面上的正投影位于所述第一遮光结构在所述承载面上的正投影内；所述第二遮光结构和所述第二薄膜晶体管位于所述第二电路层，所述第二遮光结构位于所述第二薄膜晶体管的靠近所述衬底基板的一侧，且所述第二薄膜晶体管的有源层在所述承载面上的正投影位于所述第二遮光结构在所述承载面上的正投影内。2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一遮光结构和所述第二遮光结构在所述承载面上的正投影至少部分重叠，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管在所述承载面上的正投影至少部分重叠。3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一遮光结构采用导电材料制成，所述驱动单元还包括第一引出电极，所述第一引出电极与所述第一遮光结构连接；或者，所述第二遮光结构采用导电材料制成，所述驱动单元还包括第二引出电极，所述第二引出电极与所述第二遮光结构连接。4.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一遮光结构和所述第二遮光结构均采用导电材料制成；所述驱动单元还包括第一引出电极、第二引出电极和引出电极连接结构；所述第一引出电极与所述第一遮光结构连接；所述第二引出电极与所述第二遮光结构连接；所述引出电极连接结构分别与所述第一引出电极和所述第二引出电极连接。5.根据权利要求3或4所述的驱动背板，其特征在于，所述第一引出电极与所述第一薄膜晶体管的栅极同层，或者，与所述第一薄膜晶体管的源漏极同层；所述第二引出电极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层，或者，与所述第二薄膜晶体管的源漏极同层。6.根据权利要求4所述的驱动背板，其特征在于，所述引出电极连接结构与所述第二遮光结构同层。7.根据权利要求1至4任一项所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动单元还包括层间连接电极，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管通过所述层间连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：向炼，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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