一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计制造技术

本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，解决了现有技术中器件在导通和关断时会出现不同区域导通和关断不均匀，以及器件叉指区边缘终端处引起曲率效应，电场聚集,器件易于击穿的问题，包括阳极金属区域、阴极金属区域、轻掺杂漂移区、RESURF掺杂区、RESURF沟槽和宽槽终端，能够缓解版图边缘部分的曲率效应，降低电场尖峰，提高器件整体阻断电压，通过增强型RESURF结构以及宽槽终端结构，宽槽终端的形状根据把不同的版图结构而确定，紧密贴合包围整个有源区，有效提高了器件阻断电压，降低了漏电流，增强型终端结构介于两电极之间，形状分布根据版图设计类别确定。定。定。

【技术实现步骤摘要】
一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计


[0001]本申请涉及半导体功率器件
，尤其是一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的不断发展，集成化、智能化、小型化成为了主要的发展方向。智能功率集成电路应运而生，它将控制电路，驱动电路，保护电路以及功率半导体器件等集成到一个芯片里面，从而增加了系统的智能度和集成度。为了将功率器件集成到同一个芯片里，横向功率器件是最常见和最可行的选择。
[0003]为提升器件击穿电压并且降低比导通电阻，RESURF技术被广泛应用于横向功率器件之中。为进一步优化了横向器件的表面电场分布，在传统的RESURF结构上引入沟槽结构并且在内部填充高电介质常数的介质形成一种增强型RESURF结构，从而引入了多个电场峰值，有效抑制了表面电场的掉落，在保证较低比导通电阻的同时提高了器件的耐压。此外，在横向器件有源区外围增加宽槽终端，有利于提升整体阻断电压，减小泄漏电流。为进一步将具有该结构的横向功率器件制造出来，针对该新型结构进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，包括阳极金属区域、阴极金属区域、轻掺杂漂移区、RESURF掺杂区、RESURF沟槽和宽槽终端，横向功率器件的新型版图设置呈叉指区状，所述阳极金属区域和阴极金属区域均包括叉指区和Pad区，所述叉指区和Pad区的转角处均设置呈圆弧形，所述阴极金属区域的外侧设置有宽槽终端，所述宽槽终端设置呈矩形且转角处均设置呈圆弧形，所述阳极金属区域的外侧和所述阳极金属区域的内侧均设置有轻掺杂漂移区，所述轻掺杂漂移区之间设置有多个RESURF沟槽，所述RESURF沟槽的两侧均设置有RESURF掺杂区。2.根据权利要求1所述的增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述RESURF沟槽为连续的条形分布。3.根据权利要求1所述的增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述RESURF沟槽为单元图形的条状点阵式分布。4.根据权利要求1所述的增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述横向功率器件的新型版图设置呈圆形，所述阳极金属区域设置呈圆形，所述阴极金属区域的靠近内侧设...

【专利技术属性】
技术研发人员：张銮喜，王珩宇，周翰，程浩远，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：