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本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，解决了现有技术中器件在导通和关断时会出现不同区域导通和关断不均匀，以及器件叉指区边缘终端处引起曲率效应，电场聚集,器件易于击穿的问题，...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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