一种变频控制电路及半导体设备制造技术

本发明专利技术提供一种变频控制电路及半导体设备，包括一种变频控制电路，包括：变频控制单元，包括半桥电路，所述半桥电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述半桥电路还包括第一MOS管，所述第一MOS管的漏极与所述第一晶体管的集电极连接，所述第一MOS管的源极与所述第一晶体管的发射极连接，所述第一MOS管的栅极与所述第一晶体管的栅极连接；所述半桥电路还包括第二MOS管，所述第二MOS管的漏极与所述第二晶体管的集电极连接，所述第二MOS管的源极与所述第一晶体管的发射极连接，所述第二MOS管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接。的栅极与所述第二晶体管的栅极连接。的栅极与所述第二晶体管的栅极连接。

【技术实现步骤摘要】
一种变频控制电路及半导体设备


[0001]本专利技术涉及变频控制
，特别是涉及一种变频控制电路及半导体设备。

技术介绍

[0002]变频控制电路用于控制电机等负载。传统技术中，变频控制电路用桥式电路驱动负载，如图1所示，智能功率模块（IPM，Intelligent Power Module）应用的变频器控制电机时会产生反向电流，而绝缘栅双极型晶体管 (IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)的结构决定一旦出现反向电压，电压会直接加在栅极上，因此，IGBT一定要配合反向回流用的快速恢复二极管（FRD，Freewheeling
‑
Diode）使用。
[0003]然而，FRD功能单一，且成本较高。
[0004]因此，有必要提供一种变频控制电路及半导体设备，以有效解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种变频控制电路及半导体设备。
[0006]本专利技术实施例提供一种变频控制电路，包括：变频控制单元，包括半桥电路，所述半桥电路包括第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变频控制电路，其特征在于，包括：变频控制单元，包括半桥电路，所述半桥电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极分别输入不同的驱动信号，所述第一晶体管的集电极输入母线电压，所述第一晶体管的发射极与所述第二晶体管的集电极连接并用于与负载连接以用于驱动所述负载；第一晶体管和所述第二晶体管均为IGBT；所述半桥电路还包括第一MOS管，所述第一MOS管的漏极与所述第一晶体管的集电极连接，所述第一MOS管的源极与所述第一晶体管的发射极连接，所述第一MOS管的栅极与所述第一晶体管的栅极连接；所述半桥电路还包括第二MOS管，所述第二MOS管的漏极与所述第二晶体管的集电极连接，所述第二MOS管的源极与所述第二晶体管的发射极连接，所述第二MOS管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接。2.根据权利要求1所述的变频控制电路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为NMOS管。3.根据权利要求2所述的变频控制电路，其特征在于，所述半桥电路还包括第一限流电阻，所述第一限流电阻连接于所述第一MOS管的栅极与所述第一晶体管的栅极之间。4.根据权利要求2或3所述的变频控制电路，其特征在于，所述半桥电路还包括第二限流电阻，所述第二限流电阻连接于所述第二MOS管的栅极与所述第二晶体管的栅极之间。5.根据权利要求1所述的变频控制电路，其特征在于，所述变频控制单元还包括控制器、电平转换电路、第一死区电路、第一驱动电路及第二驱动电路，所述控制器与所述电平转换电路、第二死区电路连接，所述电平转换电路和所述第一死区电路连接，所述第一死区电路与所述第一驱动电路连接，所述第一驱动电路还与所述第一晶体管的栅极连接以输入第一驱动信号，所述第二死区电路还与所述第二驱动电路连接，所述第二驱动电路还与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕慧瑜，罗杰馨，柴展，张艳争，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：