【技术实现步骤摘要】
一种基于ADC自校准的低温漂带隙基准电路
[0001]本专利技术属于集成电路领域，具体涉及一种基于ADC自校准的低温漂带隙基准电路。
技术介绍
[0002]带隙基准因其高精度和温度无关而广泛应用于模拟电路、数字电路和混合信号电路，如运算放大器、A/D转换器、锁相环和功率转换器等。其精度对后续电路的性能起着至关重要的作用。例如，带隙基准电路被用于模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)，它们需要高精度的参考电压来提供高分辨率和高速的数据转换。因此，高精度低温漂带隙基准电路的设计已经成为一个备受关注的问题。
[0003]由于三极管的二阶温度特性，传统带隙基准的温漂很难做到很低，因而一些高阶曲率补偿技术和分段线性补偿技术被提出，但是系统不稳定，无法保证各个PVT(process voltage temperature，工艺电压温度)下系统的性能，往往需要trimming(修正)，而trimming增加了成本，降低了成品率。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于ADC自校准的低温漂带隙基准电路，其特征在于，包括：带隙基准核心电路BGR、可编程电阻阵列PRA、模数转换器ADC、温漂提取电路TDE以及反馈控制电路FBC；其中，所述带隙基准核心电路BGR用于产生采样参考电压和输出参考电压；所述模数转换器ADC用于采集所述采样参考电压并量化，输出量化后的参考电压作为量化结果；所述温漂提取电路TDE用于当PVT变化引起所述采样参考电压变化，随之所述模数转换器ADC输出的量化后的参考电压发生变化时，提取所述量化后的参考电压的变化方向及大小，生成监测信号；所述反馈控制电路FBC用于根据当前的控制码和所述监测信号计算输出新的控制码；所述可编程电阻阵列PRA用于根据所述反馈控制电路FBC输出的控制码调整选通支路以改变负载电阻的大小，从而调整所述输出参考电压，使得所述输出参考电压保持恒定。2.根据权利要求1所述的基于ADC自校准的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路BGR，包括：运算放大器、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、和MOS管M4；其中，运算放大器的反相输入端接节点X，运算放大器的同相输入端接节点Y，运算放大器的输出端接第一节点；三极管Q1的基极接三极管Q2的基极之后接地，三极管Q1的发射极接所述节点X，三极管Q1的集电极接地；三极管Q2的发射极接电阻R1，三极管Q2的集电极接地；电阻R1的一端接三极管Q2的发射极，另一端接所述节点Y；电阻R2的一端接所述节点X，另一端接地；电阻R3的一端接所述节点Y，另一端接地；电阻R4的一端接MOS管M3的漏极，另一端接地；MOS管M1的栅极接所述第一节点，MOS管M1的源极接VDD，MOS管M1的漏极接所述节点X；MOS管M2的栅极接所述第一节点，MOS管M2的源极接VDD，MOS管M2的漏极接所述节点Y；MOS管M3的栅极接所述第一节点，MOS管M3的源极接VDD，MOS管M3的漏极接所述电阻R4；MOS管M4的栅极接所述第一节点，MOS管M4的源极接VDD，MOS管M4的漏极接所述可编程电阻阵列PRA。3.根据权利要求2所述的基于ADC自校准的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路BGR，在所述MOS管M3的漏极与所述电阻R4之间引出所述采样参考电压；在所述MOS管M4的漏极与所述可编程电阻阵列PRA之间引出所述输出参考电压。4.根据权利要求1所述的基于ADC自校准的低温漂带隙基准电路，其特征在于，所述温漂提取电路TDE，包括：D触发器DFF1、第一补码计算模块complement1、加法器add1、第二补码计算模块complement2和选择器sel；其中，D触发器DFF1的输入端接收模数转换器ADC上一次的量化结果，所述D触发器DFF1的输出端接所述第一补码计算模块complement1的输入端；
所述第一补码计算模块complement1的输出端接加法器add1的第一输入端；所述加法器add1的第二输入端接收模数转换器ADC当前次的量化结果，所述加法器add1的第一输出端接第二补码计算模块complement2的输入端，同时接选择器sel的第二输入端，所述加法器add1的第二输出端接所述选择器sel的第三输入端；所述第二补码计算模块complement2的输出端接所述选择器sel的第一输...
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