抗辐射带隙基准源电路制造技术

本发明专利技术涉及一种抗辐射带隙基准源电路，包括用于产生基准电压带隙基准源结构电路和补偿电流产生电路，补偿电流产生电路用于对所述带隙基准源结构电路中的三极管进行电流补偿。本发明专利技术通过对带隙基准源结构的三极管进行电流补偿，降低了三极管受辐射效应后电流增益的影响。本发明专利技术在实现抗辐射抑制的同时，无需较大偏置电流，有效地降低系统功耗。有效地降低系统功耗。有效地降低系统功耗。

【技术实现步骤摘要】
抗辐射带隙基准源电路


[0001]本专利技术涉及电子电路
，特别是一种抗辐射带隙基准源电路。

技术介绍

[0002]随着核能技术和空间技术的发展，越来越多的电子设备要在各种辐射环境中应用，这些辐射环境包括宇宙中的电磁辐射和核电站等产生的辐射。微电子器件是组成电子设备的基本单元，而半导体和微电子器件对这些辐射非常敏感。辐射作用于电子设备，对其性能和功能产生不同程度的影响，甚至使其失效。空间系统对长寿命的要求日益增加，电子器件长寿命的一个重要设计难点是抗总剂量效应加固。
[0003]在空间辐射环境下，辐射环境会影响三极管的少数载流子寿命，从而影响三极管的电参数特性。辐射引起的氧化层空间电荷与界面态会增加表面复合速率，降低电流增益，进而影响基准电压的精度。例如，三极管的电流增益在100krad(Si)下会变小到正常值的50％左右。
[0004]在大部分电子电路中，都需要一个准确的基准电压，带隙基准结构由于其良好的温度系数和稳定性，作为基准电压的提供者得到普遍应用。而带隙基准结构主要是基于三极管，但辐射效应会减小三极管的电流增益，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗辐射带隙基准源电路，其特征在于，包括：带隙基准源结构电路，用于产生基准电压；补偿电流产生电路，用于对所述带隙基准源结构电路中的三极管进行电流补偿。2.根据权利要求1所述的抗辐射带隙基准源电路，其特征在于，所述带隙基准源结构电路包括：电流镜电路，其包括第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的两个源极相连接，两个栅极相连接，两个漏极分别作为该电流镜电路的第一输出臂和第二输出臂；第一三极管和第二三极管构成的三极管对；其中，所述第一三极管和第二三极管的集电极分别连接所述电流镜电路的第一输出臂和第二输出臂。3.根据权利要求2所述的抗辐射带隙基准源电路，其特征在于，所述带隙基准源结构电路还包括：连接所述第一三极管的集电极、第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极的启动电路的启动电路。4.根据权利要求3所述的抗辐射带隙基准源电路，其特征在于，所述带隙基准源结构电路还包括：分别连接所述第一三极管的基极以及第二三极管的集电极的单位增益缓冲器。5.根据权利要求4所述的抗辐射带隙基准源电路，其特征在于，所述带隙基准源结构电路还包括：连接在所述第一三极管和第二三极管的基极之间的基极电阻。6.根据权利要求5所述的抗辐射带隙基准源电路，其特征在于，所述带隙基准源结构电路还包括第一电阻和第二电阻，其中，第一电阻和第二电阻构成电阻分压网络，第一电阻的两端分别连接第一三极管和第二三极管的发射极，第二电阻的一端连接到第二三极管的发射极，另一端接地。7.根据权利要求1所述的抗辐射带隙基准源电路，其特征在于，所述补偿电流产生电路包括第一部分和第二部分，第一部分用于产生第一输出电流I
OUT1
和第二输出电流I
OUT2
，第二部分用于对第一输出电流和第二输出电流进行处理得到第一补...

【专利技术属性】
技术研发人员：董贤辉，李晓明，
申请(专利权)人：北京升宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：