基于参量上转换的被动红外成像系统技术方案

本发明专利技术提供了一种基于参量上转换的被动红外成像系统，涉及红外探测技术领域，包括：泵浦激光器，用于输出泵浦光；热辐射调制组件，用于接收和调制待成像物体的辐射光，并向回音壁模式微腔芯片输出调制信号光；光学滤波器；光电探测器，用于检测回音壁模式微腔芯片的输出信号以生成光强信息；回音壁模式微腔芯片生成上转换光；控制与计算成像模块，用于控制热辐射调制组件的调制过程并接收相应的光强信息，以获取单像素上转换光强度信息并进行红外图像重构。实现了对物体中远红外自发辐照光常温下的高灵敏被动成像，还具有可集成性强，成像不受探测器阵列大小影响的优势。不受探测器阵列大小影响的优势。不受探测器阵列大小影响的优势。

【技术实现步骤摘要】
基于参量上转换的被动红外成像系统


[0001]本专利技术涉及红外探测
，具体而言，涉及一种基于参量上转换的被动红外成像系统。

技术介绍

[0002]一切温度高于绝对零度的物体都可以自发的向外辐射出电磁波，这种自发辐射也被称为热辐射，常温物体的热辐射能量主要集中于波长较长的红外波段。被动红外成像主要就是指通过测量物体自发辐照出的红外光进行成像，与可见、近红外波段相比，对于常温黑体辐射发射出的中红外波段的研究和应用仍相对滞后，缺乏高灵敏、大阵列的成像器件。
[0003]目前，被动红外成像主要通过热敏器件实现，它们主要利用红外辐射的热效应来改变器件的电学特性来进行探测成像。然而，热敏器件的灵敏度往往较低，不适用于对精度需求较高的环境。半导体光敏器件，如碲镉汞探测器等，在实际使用中不仅需要超低温制冷，并且其大规模成像阵列难以实现，成本高昂。
[0004]参量上转换是通过光学非线性效应，将频率较低的中远红外光转换到高频的近红外、可见光波段。近红外、可见光波段有着价格低廉、性能优越、探测灵敏度可达单光子级别的探测器件。然而，现有的参量转换大多通过非线性晶体实现，为了提高转换效率，往往采用脉冲光的形式对成像物体进行照射来测量反射光，不适用于红外被动成像。此外，成像的视场大小、形状、质量等受限于相位匹配条件，很难做到高效、完整的红外成像。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少解决上述现有技术或相关技术中存在的技术问题之一，提供了一种基于参量上转换的被动红外成像系统，不但实现了对物体中远红外自发辐照光常温下的高灵敏被动成像，还具有可集成性强，成像不受探测器阵列大小影响的优势。
[0006]本专利技术是通过以下技术方案予以实现：一种基于参量上转换的被动红外成像系统，包括：泵浦激光器，通过光纤与回音壁模式微腔芯片的输入端连接，用于输出泵浦光；热辐射调制组件，通过光纤与回音壁模式微腔芯片的输入端连接，用于接收和调制待成像物体的辐射光，并向回音壁模式微腔芯片输出调制信号光；光学滤波器，通过光纤与回音壁模式微腔芯片的输出端连接；光电探测器，连接光学滤波器的输出端，用于检测回音壁模式微腔芯片的输出信号以生成光强信息；回音壁模式微腔芯片接收泵浦光和调制信号光，在腔体内部依靠非线性光学中的二阶和频效应生成上转换光；控制与计算成像模块，连接热辐射调制组件以及光电探测器的输出端，用于控制热辐射调制组件的调制过程并接收相应的光强信息，以获取单像素上转换光强度信息并进行红外图像重构。
[0007]在该技术方案中，系统包括两个光通路：光路一的光源为泵浦激光器，通过光纤依次与回音壁模式微腔芯片，光学滤波器，光电探测器连接；光路二则是待成像物体所发出的红外辐射光，红外辐射光经过热辐射调制组件调制后进入中红外光纤中，最终红外辐射光耦合进入回音壁模式微腔芯片上的波导中，与泵浦光在微腔中发生非线性频率转换产生出
高频率的上转换光。其中，光场通过透镜光纤耦合进出微腔芯片。控制与计算成像模块依据预置程序控制调制过程，并接收光电探测器测量得到的上转换光强度信息，最终通过计算得出物体的红外辐射图像。该系统以回音壁模式微腔作为非线性光学平台，将待测物体热辐射发出的中红外光经空间调制后与近红外或可见光波段的泵浦光一同注入到微腔中。然后，在腔体内通过非线性光学中的二阶和频效应将待测中红外光转换为近红外或可见光波段的上转换光。接着经过滤波处理，利用光电探测器获取上转换光的强度。每次测量会获取某一空间调制态下的上转换光强度，也就是单一像素的强度信息。通过特定规律编制多种调制态，并执行多态扫描，获取多个单像素强度信息，最终通过计算重构出具有空间分辨率的物体红外图像。
[0008]根据本专利技术提供的基于参量上转换的被动红外成像系统，优选地，热辐射调制组件具体包括：光学成像与滤波镜组，接收待成像物体的辐射光；空间光调制器，根据控制与计算成像模块的控制信号对辐射光进行调制；聚焦透镜，汇聚空间光调制器的输出光。
[0009]在该技术方案中，泵浦激光器通过透镜光纤将泵浦光注入到芯片上的一路波导中，然后以倏逝场耦合的方式进入到环形微腔中，待成像物体发出的热辐射信号光则先通过滤波镜组过滤掉背景噪声，选出测量谱段的光场，然后经由空间光调制器对二维的信号光场进行可编程的二进制掩码调制，用来构造检测到的单像素图像强度。接着，空间光场由聚焦透镜汇聚进入到中红外光纤中，经由中红外透镜光纤耦合进入芯片上的另一路中红外波导中，最终也通过倏逝场耦合的方式进入到微腔中。
[0010]根据本专利技术提供的基于参量上转换的被动红外成像系统，优选地，红外图像重构的步骤具体包括：在保持泵浦光功率不变的情况下，对辐射光光场进行不同的掩膜编码，并获取对应掩膜编码的单像素上转换光强度信息，以表征该掩膜编码下的二维辐射光光场单像素强度；假设待成像物体的像素化图像I在某个基R中有一个稀疏表示，图像I表示为：
[0011]I＝RT
[0012]其中，T是一个系数的集合，基R是一个被认为适合图像的预期空间性质的基，包括小波基、傅里叶基或离散余弦基；
[0013]单像素强度矩阵S为：
[0014]S＝PI
[0015]其中，P为加载在空间光调制器上的二进制基，且PRT＝S；
[0016]通过计算重构出的像素化图像I
*
就可以表示为
[0017]I
*
＝RT
*
[0018]式中的T
*
满足下述关系：
[0019]T
*
＝argmin||T||1。
[0020]根据本专利技术提供的基于参量上转换的被动红外成像系统，优选地，生成上转换光的步骤具体包括：根据调制信号光波长与泵浦光波长确定微腔的几何结构和光场的模式分布，使得光场的频率与模式有效折射率满足如下关系式：
[0021]ω
s
+ω
p
＝ω
up
[0022]n
s
ω
s
+n
p
ω
p
＝n
up
ω
up
[0023]其中，ω
s
、ω
p
、ω
up
为调制信号光、泵浦光、上转换光的频率，对应光模式的有效折射率则分别记为n
s
、n
p
、n
up
。
[0024]在该技术方案中，微腔中的光场满足一定的条件便可高效率地发生三波混频中的和频效应。首先，注入的信号光、泵浦光与生成的上转换光都需要近似满足微腔的谐振条件，即光波长的整数倍等于对应波长下腔内环绕一周的光程长。微腔单一谐振峰具有一定的带宽，带宽的大小和微腔的Q值成反比，在一定带宽内都可与微腔谐振，只是光场的损耗大小不同，所以谐振条件并不需要非常严格的完美满足。第二，参量转换需要满足能量守恒关系，高效率转换的发生需要满足相位匹配。
[0025]根据本专利技术提供的基于参量上转换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于参量上转换的被动红外成像系统，其特征在于，包括：泵浦激光器，通过光纤与回音壁模式微腔芯片的输入端连接，用于输出泵浦光；热辐射调制组件，通过光纤与所述回音壁模式微腔芯片的输入端连接，用于接收和调制待成像物体的辐射光，并向所述回音壁模式微腔芯片输出调制信号光；光学滤波器，通过光纤与所述回音壁模式微腔芯片的输出端连接；光电探测器，连接所述光学滤波器的输出端，用于检测所述回音壁模式微腔芯片的输出信号以生成光强信息；所述回音壁模式微腔芯片接收所述泵浦光和所述调制信号光，在腔体内部依靠非线性光学中的二阶和频效应生成上转换光；控制与计算成像模块，连接所述热辐射调制组件以及所述光电探测器的输出端，用于控制所述热辐射调制组件的调制过程并接收相应的所述光强信息，以获取单像素上转换光强度信息并进行红外图像重构。2.根据权利要求1所述的基于参量上转换的被动红外成像系统，其特征在于，所述热辐射调制组件具体包括：光学成像与滤波镜组，接收所述待成像物体的辐射光；空间光调制器，根据所述控制与计算成像模块的控制信号对所述辐射光进行调制；聚焦透镜，汇聚所述空间光调制器的输出光。3.根据权利要求1所述的基于参量上转换的被动红外成像系统，其特征在于，所述红外图像重构的步骤具体包括：在保持泵浦光功率不变的情况下，对辐射光光场进行不同的掩膜编码，并获取对应掩膜编码的单像素上转换光强度信息，以表征该掩膜编码下的二维辐射光光场单像素强度；假设待成像物体的像素化图像I在某个基R中有一个稀疏表示，图像I表示为：I＝RT其中，T是一个系数的集合，基R是一个被认为适合图像的预期空间性质的基，包括小波基、傅里叶基或离散余弦基；单像素强度矩阵S为：S＝PI其中，P为加载在空间光调制器上的二进制基，且PRT＝S；通过计算重构出的像素化图像I
*
就可以表示为I
*
＝RT
*
式中的T
*
满足下述关系：T
*
＝argmin||T||1。4.根据权利要求1所述的基于参量上转换的被动红外成像系统，其特征在于，生成上转换光的步骤具体包括：根据调制信号光波长与泵浦光波长确定微腔的几何结构和光场的模式分布，使得光场的频率与模式有效折射率满足如下关系式：ω
s
+ω
p
＝ω

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓宝，常超，杨霄，王日德，罗治福，刘晓宇，娄菁，江润东，
申请(专利权)人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院，
类型：发明
国别省市：