喷头及薄膜制备装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种喷头及薄膜制备装置，喷头设有分气流道、第一扩幅腔、第一扩散流道、第二扩幅腔、第二扩散流道、匀压腔及出气口，分气流道与第一扩幅腔连通，第一扩幅腔通过第一扩散流道与第二扩幅腔连通，第二扩幅腔通过第二扩散流道与匀压腔连通，匀压腔与出气口连通，第二扩幅腔沿第二扩幅腔的长度方向的尺寸大于第一扩幅腔沿第一扩幅腔的长度方向的尺寸。本申请中喷头通过第一扩幅腔、第一扩散流道、第二扩幅腔及第二扩散流道之间的相互配合实现喷头的扩大化设计，并采用静压平衡出气的理念，使得喷头能够在保持较大出气幅长的基础上进行均匀且稳定的出气，提高了喷头及薄膜制备装置的适用性和工业生产效率。装置的适用性和工业生产效率。装置的适用性和工业生产效率。

【技术实现步骤摘要】
喷头及薄膜制备装置


[0001]本专利技术涉及薄膜制备
，特别是涉及一种喷头及薄膜制备装置。

技术介绍

[0002]原子层沉积技术(ALD)是一种薄膜制备技术，以其低生长温度，原子级可控的厚度，优异的均匀性与一致性等优点，被广泛应用于锂电，光伏，催化，半导体器件行业。作为ALD技术工业化的扩展——空间隔离原子层沉积(S
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ALD)。采用空间隔离的方式替代时间上的隔离使得薄膜生长速度扩大1
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2个数量级。而喷头气体的均匀性和可延展性极大的影响了沉积薄膜的速度、面积及稳定性。传统的喷头大多适用于小面积沉积，并且在扩展到大面积喷头时沉积薄膜的均匀性差，现有适用于较大面积沉积的静压喷头通过各级挡板和静压室的静压作用，使喷头实现均匀出气的效果，但扩展到更大面积时均匀性变差，即扩展性差，并且存在着出气口流速均匀性随入口流量变化波动大，即稳定性差。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有的静压喷头在扩展到更大面积时均匀性变差，即扩展性差，并且存在着出气口流速均匀性随入口流量变化波动大，即稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷头，其特征在于，所述喷头设有分气流道、第一扩幅腔、第一扩散流道、第二扩幅腔、第二扩散流道、匀压腔及出气口，所述分气流道与所述第一扩幅腔连通，所述第一扩幅腔通过所述第一扩散流道与所述第二扩幅腔连通，所述第二扩幅腔通过所述第二扩散流道与所述匀压腔连通，所述匀压腔与所述出气口连通，所述第二扩幅腔沿所述第二扩幅腔的长度方向的尺寸大于所述第一扩幅腔沿所述第一扩幅腔的长度方向的尺寸。2.根据权利要求1所述的喷头，其特征在于，所述喷头还设有第三扩幅腔及第三扩散流道，所述第二扩幅腔通过所述第二扩散流道与所述第三扩幅腔连通，所述第三扩幅腔通过所述第三扩散流道与所述匀压腔连通，所述第三扩幅腔沿所述第三扩幅腔的长度方向的尺寸大于所述第二扩幅腔沿所述第二扩幅腔的长度方向的尺寸。3.根据权利要求2所述的喷头，其特征在于，所述分气流道具有第一出气端，所述第一出气端与所述第一扩幅腔的中间位置连通，所述第一扩散流道为两个，两个所述第一扩散流道均具有第一进气端，沿所述第一扩幅腔的长度方向，两个所述第一进气端分别位于所述第一出气端的两侧。4.根据权利要求3所述的喷头，其特征在于，两个所述第一扩散流道均具有第二出气端，所述第二扩散流道为四个，四个所述第二扩散流道均具有第二进气端，沿所述第二扩幅腔的长度方向，四个所述第二进气端分别与两个所述第二出气端的两侧一一对应设置。5.根据权利要求4所述的喷头，其特征在于，所述第三扩散流道设有第三进气端及第四出气端，沿所述第三扩幅腔的长度方向，所述第三扩幅腔的尺寸与所述第三进气端的尺寸、所述第四出气端的尺寸、所述匀压腔的尺寸及所述出气口的尺寸均相同。6.根据权利要求5所述的喷头，其特征在于，所述第一出气端的轴线方向与所述第一扩幅腔的长度方向垂直设置；所述第一出气端的轴线方向与所述第一进气端的轴线方向呈夹角设置；所述第二出气端的轴线方向与所述第二扩幅腔的长度方向垂直设置；所述第二出气端的轴线方向与所述第二进气端的轴线方向呈夹角设置；所述第二扩散流道具有第三出气端，所述第三出气端的轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈蓉，马更，杨帆，单斌，蒋雪薇，聂煜峰，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：