具有静电放电（ESD）保护的开关制造技术

根据某些方面，一种芯片包括：焊盘；功率放大器；变压器，耦合在该功率放大器的输出和该焊盘之间；晶体管，耦合在该变压器和地之间；以及第一箝位电路，耦合在该晶体管的栅极和该晶体管的漏极之间。体管的漏极之间。体管的漏极之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有静电放电(ESD)保护的开关
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月10日在美国专利商标局提交的序列号17/118,253的未决非临时专利申请的权益和优先权，该申请的全部内容并入本文，如同在下文中为了所有可应用的目的而完全阐述一样。


[0003]本公开的方面总体上涉及静电放电(ESD)保护，并且更特别地，涉及具有ESD保护的开关。

技术介绍

[0004]在无线设备中，发射器和接收器可以使用时分双工(TDD)来共享天线，其中发射器在发射模式中经由天线发射信号并且接收器在接收模式中经由天线接收信号。无线设备还可以包括用于在发射模式和接收模式之间切换的开关。开关可能容易受到静电放电(ESD)事件的损坏。例如，ESD事件可能损坏或破坏(rupture)开关的栅极氧化物。ESD事件造成的损坏可能会降低制造产量和/或导致操作故障。

技术实现思路

[0005]以下给出了一个或多个实现方式的简化概述以便提供对这些实现方式的基本理解。此
技术实现思路
不是所有考虑实现的广泛综述并且既不旨在识别所有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种芯片，包括：焊盘；功率放大器；变压器，耦合在所述功率放大器的输出和所述焊盘之间；晶体管，耦合在所述变压器和地之间；以及第一箝位电路，耦合在所述晶体管的栅极和所述晶体管的漏极之间。2.根据权利要求1所述的芯片，其中所述第一箝位电路包括：第一二极管，耦合在所述栅极和所述漏极之间，其中所述第一二极管被定向在从所述栅极到所述漏极的正向方向上；以及第二二极管，耦合在所述漏极和所述栅极之间，其中所述第二二极管被定向在从所述漏极到所述栅极的正向方向上。3.根据权利要求2所述的芯片，其中所述第一箝位电路还包括第三二极管，所述第三二极管与所述第一二极管串联耦合在所述栅极和所述漏极之间，其中所述第三二极管被定向在在从所述栅极到所述漏极的所述正向方向上。4.根据权利要求1所述的芯片，还包括第二箝位电路，所述第二箝位电路耦合在所述晶体管的主体和所述漏极之间。5.根据权利要求4所述的芯片，其中：所述第一箝位电路包括：第一二极管，耦合在所述栅极和所述漏极之间，其中所述第一二极管被定向在从所述栅极到所述漏极的正向方向上；以及第二二极管，耦合在所述漏极和所述栅极之间，其中所述第二二极管被定向在从所述漏极到所述栅极的正向方向上；并且所述第二箝位包括：第三二极管，耦合在所述主体和所述漏极之间，其中所述第三二极管被定向在从所述主体到所述漏极的正向方向上；以及第四二极管，耦合在所述漏极和所述主体之间，其中所述第四二极管被定向在从所述漏极到所述主体的正向方向上。6.根据权利要求5所述的芯片，其中：所述第一箝位电路还包括第五二极管，所述第五二极管在所述栅极和所述漏极之间与所述第一二极管串联耦合，其中所述第五二极管被定向在从所述栅极到所述漏极的所述正向方向上；以及所述第二箝位电路还包括第六二极管，所述第六二极管在所述主体和所述漏极之间与所述第三二极管串联耦合，其中所述第六二极管被定向在从所述主体到所述漏极的所述正向方向上。7.根据权利要求4所述的芯片，还包括耦合在所述第二箝位电路和所述主体之间的电阻器。8.根据权利要求1所述的芯片，还包括与所述晶体管并联耦合的分流电感器。9.根据权利要求1所述的芯片，其中所述功率放大器的所述输出是包括第一输出和第二输出的差分输出，并且所述变压器包括：第一电感器，耦合在所述变压器的第一端子和第二端子之间，其中所述第一端子被耦
合到所述功率放大器的所述第一输出，并且所述第二端子被耦合到所述功率放大器的所述第二输出；以及第二电感器，耦合在所述变压器的第三端子和第四端子之间，其中所述第三端子被耦合到所述焊盘，并且所述晶体管被耦合在所述第四端子和所述地之间。10.根据权利要求9所述的芯片，其中所述第一箝位电路包括：第一二极管，耦合在所述栅极和所述漏极之间，其中所述第一二极管被定向在从所述栅极到所述漏极的正向方向上；以及第二二极管，耦合在所述漏极和所述栅极之间，其中所述第二二极管被定向在从所述漏极到所述栅极的正向方向上。11.根据权利要求9所述的芯片，还包括与所述晶体管并联耦合的分流电感器。12.根据权利要求9所述的芯片，其中所述晶体管的所述漏极耦合到所述变压器的所述第四端子，并且所述晶体管的源极耦合到所述地。13.根据权利要求1所述的芯片，其中所述功率放大器的所述输出是包括第一输出和第二输出的差分输出，并且所述变压器包括：第一电感器，耦合在所述变压器的第一端子和第二端子之间，其中所述第一端子被耦合到所述功率放大器的所述第一输出，并且所述第二端子被耦合到所述功率放大器的所述第二输出；以及第二电感器，耦合在所述变压器的第三端子和第四端子之间，其中所述第三端子被耦合到所述焊盘，所述第四端子被耦合到所述地，并且所述第二电感器的一部分与所述晶体管并联耦合。14.根据权利要求13所述的芯片，其中所述第一箝位电路包括：第一二极管，耦合在...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：