一种大公斤碳化硅粉料合成方法和碳化硅粉料技术

本发明专利技术提供了一种大公斤碳化硅粉料合成方法和碳化硅粉料，涉及碳化硅粉料制备技术领域，该方法将炉腔升温至第一排杂温度T1，利用PVC颗粒层的一次分解气体将大量杂气得以清除，实现一次排杂，然后再将炉腔升温至第二排杂温度T2，利用持续分解产生的二次分解气体持续带走杂气，实现二次排杂，持续将杂质去除，最后将炉腔升温至第三排杂温度，利用三次分解气体实现三次排杂。相较于现有技术，本发明专利技术一方面采用分散装料的方式，减小原料积压，减少碳化挥发现象，实现大公斤粉料的制备，提升产出率。另一方面使得反应坩埚能够实现不同温区的多次换气排杂，大幅提升排杂效果，可以有效提高粉料纯度。高粉料纯度。高粉料纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种大公斤碳化硅粉料合成方法和碳化硅粉料


[0001]本专利技术涉及碳化硅粉料制备
，具体而言，涉及一种大公斤碳化硅粉料合成方法和碳化硅粉料。

技术介绍

常规的碳化硅粉料制备方案，通常是直接在大坩埚中加入碳、硅原料，并进行加热后实现合成反应，从而合成碳化硅粉料。这种制备方式，一方面无法实现大公斤数粉料的制备，当碳、硅原料过多时，会在合成过程中形成碳化结晶，影响后续合成。另一方面，其碳、硅原料均在较大坩埚中，损耗较多，积压效果明显，产出率较低。并且，常规的碳化硅粉料制备方案，其排杂效果较差，纯度较低。此外，常规的排杂方案，通常为单一高温区排杂，排杂效果差。

技术实现思路

[0002]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种大公斤碳化硅粉料合成方法和碳化硅粉料，其能够减少碳化量，有效提升产出率，并且能够对原料进行有效的换气排杂，可以有效提高粉料纯度，并且采用分散装料的方式，减少了原料的积压，减缓碳化结晶现象，实现大公斤粉料的制备。同时排杂效果好。
[0003]本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大公斤碳化硅粉料合成方法，其特征在于，包括：将碳、硅原料按预设比例装入多个反应坩埚，每个所述反应坩埚的顶端开设有排杂孔；将多个所述反应坩埚堆叠设置在容置坩埚中，并将所述容置坩埚放入炉腔；在容置坩埚的底部铺设一层PVC颗粒层；对所述炉腔进行置换抽真空动作；将所述炉腔升温至第一排杂温度T1，保持第一预设时间t1，并向所述炉腔中注入稀有气体后抽真空，以分解所述PVC颗粒层产生一次分解产物和一次分解气体，并利用所述一次分解气体实现一次排杂；将所述炉腔升温至第二排杂温度T2，保持第二预热时间t2，并向所述炉腔中注入稀有气体后抽真空，以分解所述一次分解产物产生二次分解产物和二次分解气体，并利用二次分解气体实现二次排杂；将所述炉腔升温至第三排杂温度T3，保持第三预热时间t3，并向所述炉腔中注入稀有气体后抽真空，以分解所述二次分解产物产生三次分解产物和三次分解气体，并利用三次分解气体实现三次排杂；将所述炉腔升温至初步反应温度T4，并保持第四预热时间t4，以使碳、硅原料进行初步合成反应；将所述炉腔升温至转型反应温度T5，并保持第五预热时间t5，以使碳、硅原料进行转型合成反应；冷却所述炉腔。2.根据权利要求1所述的大公斤碳化硅粉料合成方法，其特征在于，将碳、硅原料按预设比例装入多个反应坩埚的步骤之前，所述合成方法还包括：在多个所述反应坩埚的底部铺设一层PVC颗粒层。3.根据权利要求1或2所述的大公斤碳化硅粉料合成方法，其特征在于，将所述炉腔升温至第一排杂温度T1，保持第一预设时间t1，并向所述炉腔中注入稀有气体后抽真空的步骤，包括：将所述炉腔升温至100
‑
500℃，并保持1
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5h，以使所述PVC颗粒层分解并产生一次分解产物和一次分解气体；向所述炉腔中注入氩气至500
‑
700torr，保持10
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30min；将所述炉腔抽真空至至少e
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4pa，并利用所述一次分解气体粘带杂气排出。4.根据权利要求1或2所述的大公斤碳化硅粉料合成方法，其特征在于，将所述炉腔升温至第二排杂温度T2，保持第二预热时间t2，并向所述炉腔中注入稀有气体后抽真空的步骤，包括：将所述炉腔升温至500
‑
900℃，并保持10
‑
15h，以使所述一次分解产物分解产生二次分解产物和二次分解气体；向所述炉腔中注入氩气至100
‑
500...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐红立，林育仪，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：