一种多通道同轴封装结构制造技术

技术编号:38468057 阅读:15 留言:0更新日期:2023-08-11 14:45
提供一种多通道同轴封装结构,包括管座、管帽、射频探针、第一热沉及激光器;所述管座包括彼此背离的第一面及第二面;所述管帽包括彼此相对的开口端及出光板;所述开口端密封连接至所述管座的第一面,所述出光板设有至少一透明窗;两根以上射频探针并排贯穿所述管座的第一面及第二面;第一热沉固定连接至所述管座的第一面;两个以上激光器并排安装至所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面;每一激光器包括一发光面,与所述出光板相对设置;每一发光面发出的光束从一透明窗射出;每一射频探针电性连接至一激光器,并为该激光器提供射频信号。本申请的优点在于,在保持封装结构的高频性能和气密性的同时,有效提升封装结构的散热性能和降低成本。性能和降低成本。性能和降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种多通道同轴封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体器件封装
,尤其涉及一种多通道同轴封装结构。

技术介绍

[0002]半导体器件封装技术中,必须要确保封装结构整体的气密性良好,也就是说封装结构不能漏气。然而,电子器件工作中会产生热量,器件过热就无法正常工作,还要确保封装结构的散热性能良好,因此必须要解决散热性与气密性兼顾的技术问题。
[0003]常用技术的TO同轴封装方案均为单通道结构,涉及多通道场景的封装结构,特别是气密性、散热性要求较高的封装结构,多采用陶瓷金属BOX方案来实现。
[0004]然而,陶瓷金属BOX结构虽然气密性和散热性良好,但是其加工工艺复杂,材料成本及加工成本较高,难以满足企业的降本需求。如果采用TO同轴封装结构,虽然成本可以降低,但气密空间内电子器件增加几倍,发热量也会增加几倍,常规的TO封装结构难以实现良好的散热效果。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于,提供一种多通道同轴封装结构,用以解决现有技术中气密性封装结构存在的散热性良好与成本降低难以兼顾的技术问题。
[0006]为了实现上述目的,本专利技术提供一种多通道同轴封装结构,包括管座、管帽、射频探针、第一热沉及激光器;所述管座包括彼此背离的第一面及第二面;所述管帽包括彼此相对的开口端及出光板;所述开口端密封连接至所述管座的第一面,所述出光板设有至少一透明窗;两根以上射频探针并排贯穿所述管座的第一面及其第二面;第一热沉固定连接至所述管座的第一面;两个以上激光器并排安装至所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面;每一激光器包括一发光面,与所述出光板相对设置;每一发光面发出的光束从一透明窗射出;每一射频探针电性连接至一激光器,并为该激光器提供射频信号。
[0007]进一步地,所述的多通道同轴封装结构还包括凹陷区,设于所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面;半导体冷却器,设于所述凹陷区内;所述半导体冷却器包括发热板以及吸热板,所述发热板连接至所述第一热沉,所述激光器并排安装至所述吸热板表面;以及第一射频基板,固定连接至所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面,且位于所述管座与所述激光器之间;所述射频探针及所述激光器皆电性连接至所述第一射频基板。
[0008]进一步地,所述第一射频基板包括两个以上第一连接件,其为金属导线;每一射频探针通过金锡焊料焊接至一第一连接件,每一激光器通过一金线焊接至一第一连接件,通过该第一连接件电连接至一射频探针。
[0009]进一步地,所述的多通道同轴封装结构还包括第二热沉,固定连接至所述管座的第二面,且位于所述管帽外;其中,两根以上射频探针的中轴线彼此平行,两根以上射频探针的中轴线所处平面与所述第二热沉朝向所述射频探针一侧的表面平行。
[0010]进一步地,所述激光器包括:激光器基板,并排设置于所述第一热沉的表面或一半
导体冷却器的吸热板的表面;以及激光二极管,安装至一激光器基板上;所述激光二极管包括所述发光面;其中,所述激光器基板安装有所述激光二极管一侧的表面与所述第一射频基板朝向所述射频探针一侧的表面相齐平。
[0011]进一步地,所述的多通道同轴封装结构还包括密封环,设于至少一射频探针与所述管座的衔接处,或者,设于至少一直流探针与所述管座的衔接处。
[0012]进一步地,所述的多通道同轴封装结构还包括直流探针,并排贯穿所述管座的第一面及其第二面,每一直流探针电性连接至一激光器,用以为该激光器提供直流电;以及接地探针,连接至所述管座的第二面,且设于所述管帽外部。
[0013]进一步地,所述管座的第二面的边缘处设有至少一定位槽;所述管座的第二面的形状包括矩形或圆形。
[0014]本申请的一个实施例中提供一种多通道同轴封装结构,还包括第二射频基板,固定连接至所述第二热沉朝向所述射频探针一侧的表面,且紧邻所述管座的第二面;所述第二射频基板包括两个以上第二连接件,其为金属导线,每一第二连接件电连接至一射频探针。
[0015]本申请的一个实施例中提供一种多通道同轴封装结构,还包括射频软板,其一端固定连接至所述管座的第二面;所述射频软板设有两个以上第三连接件,其为金属导线;每一第三连接件的一端紧邻所述管座的第二面,且电连接至一射频探针。所述射频软板位于所述射频探针与所述第二热沉之间,所述射频软板与所述第二热沉之间电隔离。
[0016]本申请的一个实施例中提供一种多通道同轴封装结构,还包括两个以上第一准直透镜,设于所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面;每一第一准直透镜与一发光面及一透明窗相对设置,且位于该发光面与该透明窗之间。
[0017]本申请的一个实施例中提供一种多通道同轴封装结构,所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面依次设有两个以上第一准直透镜、合波器、光隔离器以及第二准直透镜;其中,所述合波器包括至少一入光面,每一入光面与一第一准直透镜相对设置;以及出光面,所述光隔离器的一面与所述出光面相对设置,其另一面与所述第二准直透镜相对设置。
[0018]本申请的一个实施例中提供一种多通道同轴封装结构,所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面依次设有两个以上第一准直透镜、合波器、光隔离器以及第二准直透镜;所述合波器的一侧面设有两个以上滤波片,每一滤波片与一发光面或一第一准直透镜相对设置,所述合波器远离所述滤波片的另一侧面设有反射区及增透区;所述光隔离器的一面与所述增透区相对设置,其另一面与所述第二准直透镜相对设置。
[0019]本申请的有益效果在于,本申请提供一种多通道同轴封装结构,其为基于常用TO同轴封装结构的改进方案,在管座的两面分别设置一个热沉,将激光器直接安装至或通过冷却器安装至热沉的侧面,使得电子器件工作中产生的热量通过两个热沉及管座快速转移到外部。在保持封装结构的高频性能和气密性的同时,有效提升封装结构的散热性能和降低成本。
附图说明
[0020]下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,呈现本申请的技术方案及其它有益效果。
[0021]图1为本申请实施例1的多通道同轴封装结构的整体结构示意图。
[0022]图2为本申请实施例1的管帽的结构示意图。
[0023]图3为本申请实施例1的管座的第一面的结构示意图。
[0024]图4为本申请实施例1的管座的第二面的结构示意图。
[0025]图5为本申请实施例1的多通道同轴封装结构在管帽内部的结构示意图。
[0026]图6为本申请实施例2中多通道同轴封装结构在管帽内部的结构示意图。
[0027]图7为本申请实施例2中多通道同轴封装结构在管帽外部的结构示意图。
[0028]图8为本申请实施例3中多通道同轴封装结构在管帽内部的结构示意图。
[0029]图9为本申请实施例4中多通道同轴封装结构在管帽内部的结构示意图。
[0030]图10为本申请实施例5中多通道同轴封装结构在管帽内部的结构示意图。
[0031]图中部件标识如下:
[0032本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多通道同轴封装结构,其特征在于,包括管座,包括彼此背离的第一面及第二面;管帽,包括彼此相对的开口端及出光板;所述开口端密封连接至所述管座的第一面,所述出光板设有至少一透明窗;两根以上射频探针,并排贯穿所述管座的第一面及其第二面;第一热沉,固定连接至所述管座的第一面;以及两个以上激光器,并排安装至所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面;每一激光器包括一发光面,与所述出光板相对设置;每一发光面发出的光束从一透明窗射出;每一射频探针电性连接至一激光器,并为该激光器提供射频信号。2.如权利要求1所述的多通道同轴封装结构,其特征在于,还包括凹陷区,设于所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面;半导体冷却器,设于所述凹陷区内;所述半导体冷却器包括发热板以及吸热板,所述发热板连接至所述第一热沉,所述激光器并排安装至所述吸热板表面;以及第一射频基板,固定连接至所述第一热沉朝向所述射频探针一侧的表面,且位于所述管座与所述激光器之间;所述射频探针及所述激光器皆电性连接至所述第一射频基板。3.如权利要求2所述的多通道同轴封装结构,其特征在于,所述第一射频基板包括两个以上第一连接件;每一射频探针通过金锡焊料连接至一第一连接件,每一激光器通过金线连接至一第一连接件,并通过该第一连接件电连接至一射频探针。4.如权利要求1所述的多通道同轴封装结构,其特征在于,还包括第二热沉,固定连接至所述管座的第二面,且位于所述管帽外;其中,两根以上射频探针的中轴线彼此平行,两根以上射频探针的中轴线所处平面与所述第二热沉朝向所述射频探针一侧的表面平行。5.如权利要求4所述的多通道同轴封装结构,其特征在于,还包括第二射频基板,固定连接至所述第二热沉朝向所述射频探针一侧的表面,且紧邻所述管座的第二面;所述第二射频基板包括两个以上第二连接件,每一射频探针电性连接至一第二连接件。6.如权利要求4所述的多通道同轴封装结构,其特征在于,还包括射频软板,其一端...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏尹江桓肖鹏何海峰
申请(专利权)人:成都旭创科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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