无源电波透过膜及窗户产品制造技术

一种无源电波透过膜及窗户产品，无源电波透过膜包括：导电层，所述导电层具有阵列排布的单元图案，所述阵列排布的单元图案配置为对频率为目标频率的电磁波透射；其中，所述导电层的厚度为δ/2～2δ2或δ～λ/1000，δ为所述导电层的形成材料的趋肤深度，λ为所述电磁波的波长。通过本发明专利技术技术方案能够减少无线电波的传输损耗，实现强化电磁波透射性能的目的。的。的。

【技术实现步骤摘要】
无源电波透过膜及窗户产品


[0001]本专利技术涉及一种光学滤波
，尤其涉及一种无源电波透过膜及窗户产品。

技术介绍

[0002]随着通信技术的发展，对无线通信的需求正在增加。因此，可能已经研究了更先进的移动通信技术。近来，已经积极地进行了对第第五代移动通信技术(5th generation mobile networks or 5th generation wireless systems,5G)的研究，并且在5G无线通信中，为了增加数据传输速度，已经进行了使用比在常规的无线通信中使用的频段(如28GHz频段)更高的频段的研究。当使用高频段时，在传输速度方面存在优点，但因为传播损耗较大，因此已经对防止根据长距离传输的传播损耗的方法进行了各种研究。
[0003]考虑到宽广的覆盖范围和路径损耗，用于无线通信的基站的天线通常布置在房间的外部，但是在管理方面上，从基站的天线接收无线电波的用户驻地设备(Customer premises equipment,CPE)可以布置在房间内。当使用较高的频段时，传播损耗较大，并且特别是为了将从基站输出的无线电波发送至室内的CPE，无线电波应该穿过墙壁或窗户，并且在这种情况下，可能会发生更多的传播损耗。特别是近年来，为了提高窗户的隔热性能，包括透明金属涂层的低辐射玻璃的使用增加，而低辐射玻璃的金属涂层可能是干扰无线电波通过的主要因素。
[0004]因此，如何在不影响窗户的采光率及其他功能的前提下，解决无线电磁信号在穿透窗户过程中的衰减问题，成为了亟待解决的技术难题。目前在不改变窗户成分，不影响其功能性的基础上使电磁信号穿透窗户的主要技术手段是在窗户上加装有源天线，通过利用信号放大器对电磁信号进行放大实现在更多的电磁信号可以穿透窗户。
[0005]但是，现有在窗户外侧加装回传天线技术的不足在于至少存在以下问题之一：有源设备的制造成本较高；不利于节能。

技术实现思路

[0006]本专利技术实施例提供一种无源电波透过膜及窗户产品，能够通过具有特定厚度的导电层图案实现对预设频率的电磁波的透射，从而减少无线电波的传输损耗。
[0007]为解决上述技术问题，第一方面，本专利技术实施例提供一种无源电波透过膜，无源电波透过膜包括导电层，所述导电层具有阵列排布的单元图案，所述阵列排布的单元图案配置为对频率为目标频率的电磁波透射；其中，所述导电层的厚度为δ/2～2δ2或δ～λ/1000，δ为所述导电层的形成材料的趋肤深度，λ为所述电磁波的波长。
[0008]可选的，所述目标频率选自1～30GHz。
[0009]可选的，所述目标频率选自2～6GHz。
[0010]可选的，述单元图案包括导电区域和非导电区域，所述单元图案的外部轮廓为正方形，所述正方形的边长为λ/10～λ/2。
[0011]可选的，所述导电层中的各个单元图案具有相同的尺寸。
[0012]可选的，所述导电层中的各个单元图案具有不同的尺寸，与所述阵列排布的单元图案的几何中心的距离越大，单元图案的尺寸越小。
[0013]可选的，所述单元图案的尺寸为延迟相位对应的图案尺寸，所述延迟相位与相位差之和为0，所述相位差为所述单元图案的中心与所述几何中心的相位之差，具有不同尺寸的单元图案对应不同的延迟相位。
[0014]可选的，采用以下公式计算所述单元图案的中心与所述几何中心点的相位差：其中，表示相位差，f表示焦距，r表示单元图案的中心点与所述几何中心点的距离，λ表示所述电磁波的波长。
[0015]可选的，无源电波透过膜还包括：第一介电质层，所述第一介电质层位于所述导电层的第一侧；其中，所述第一介电质层包括：一层或多层基底层，所述基底层位于所述导电层的第一侧；和/或，一层或多层第一胶层，所述第一胶层位于所述导电层的第一侧。
[0016]可选的，所述第一介电质层的厚度为可选的，所述第一介电质层的厚度为其中，k1的取值为大于等于0的整数，ε
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表示所述第一介电质层的形成材料的介电常数。
[0017]可选的，所述第一介电质层的形成材料为透明材料。
[0018]可选的，所述第一介电质层的厚度为100～2600微米。
[0019]可选的，所述无源电波透过膜还包括：第二介电质层，所述第二介电质层位于所述导电层的第二侧；其中，所述第二介电质层包括：一层或多层支撑层，所述支撑层位于所述导电层的第二侧；和/或，一层或多层第二胶层，所述第二胶层位于所述导电层的第二侧。
[0020]可选的，所述第二介电质层的厚度与所述第二介电质层的介电常数的关系为：其中，h表示所述第二介电质层的厚度，ε
22
表示所述第二介电质层的介电常数。
[0021]可选的，所述第二介电质层的厚度为可选的，所述第二介电质层的厚度为其中，k2的取值为大于等于0的整数，ε
22
表示所述第二介电质层的形成材料的介电常数。
[0022]可选的，所述第二介电质层的形成材料为透明材料。
[0023]可选的，所述单元图案为内嵌有十字孔的正方形、内嵌有22n个正方形孔的正方形、内嵌有十字孔的正方形且所述十字孔的每个象限内嵌有22n个正方形孔、内设有22n个镂空井字形图案的正方形中一种或多种组合，n为大于等于0的整数。
[0024]可选的，所述单元图案为内嵌有十字孔的正方形时，所述正方形的边长为6～30毫米，所述十字孔的宽度为1～4毫米,所述十字孔的延伸部的宽边与所述单元图案的外部轮廓的距离为0.1～0.5毫米。
[0025]可选的，所述单元图案为内嵌有22n个正方形孔的正方形时，所述正方形的边长为6～30毫米，所述正方形孔与所述正方形的缝隙宽度为0.1～0.5毫米,相邻正方形孔的距离为1～4毫米。
[0026]可选的，所述单元图案为内嵌有十字孔的正方形且所述十字孔的每个象限内嵌有
一个正方形孔时，所述正方形的边长为6～30毫米，所述正方形孔的外轮廓与所述正方形的内轮廓的距离与所述正方形的边长的比例为0.0295，所述正方形孔的内轮廓与外轮廓的宽度与所述正方形的边长的比例为0.035，相邻正方形孔的间距与所述正方形的边长的比例为0.056，所述正方形的内轮廓与外轮廓的宽度与所述正方形的边长的比例为0.015。
[0027]可选的，所述单元图案为内嵌有一个正方形孔，且正方形孔内设有4个镂空井字形图案的正方形时，所述正方形的边长为6～30毫米，镂空井字形的同侧相邻延伸部的间距为0.03～3毫米，所述镂空井字形的延伸部的宽边与所述正方形孔的轮廓的间距为0.03～1毫米，所述镂空井字形的延伸部的宽度为0.3～3毫米，相邻镂空井字形的延伸部的宽边的间距为0.03～1毫米，所述正方形孔的轮廓与所述正方形的间距为0.02～1毫米，镂空井字形的内轮廓与外轮廓的间距为0.01～1毫米。
[0028]可选的，所述单元图案为内嵌有一个镂空井字形图案的正方形时，所述正方形的边长为6～30毫米，镂空井字形的同侧相邻延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无源电波透过膜，其特征在于，包括：导电层，所述导电层具有阵列排布的单元图案，所述阵列排布的单元图案配置为对频率为目标频率的电磁波透射；其中，所述导电层的厚度为δ/2～2δ2或δ～λ/1000，δ为所述导电层的形成材料的趋肤深度，λ为所述电磁波的波长。2.根据权利要求1所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述目标频率选自1～30GHz。3.根据权利要求1所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述目标频率选自2～6GHz。4.根据权利要求1所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述单元图案包括导电区域和非导电区域，所述单元图案的外部轮廓为正方形，所述正方形的边长为λ/10～λ/2。5.根据权利要求1所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述导电层中的各个单元图案具有相同的尺寸。6.根据权利要求1所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述导电层中的各个单元图案具有不同的尺寸，与所述阵列排布的单元图案的几何中心的距离越大，单元图案的尺寸越小。7.根据权利要求6所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述单元图案的尺寸为延迟相位对应的图案尺寸，所述延迟相位与相位差之和为0，所述相位差为所述单元图案的中心与所述几何中心的相位之差，具有不同尺寸的单元图案对应不同的延迟相位。8.根据权利要求7所述的无源电波透过膜，其特征在于，采用以下公式计算所述单元图案的中心与所述几何中心点的相位差：案的中心与所述几何中心点的相位差：其中，表示相位差，f表示焦距，r表示单元图案的中心点与所述几何中心点的距离，λ表示所述电磁波的波长。9.根据权利要求1所述的无源电波透过膜，其特征在于，还包括：第一介电质层，所述第一介电质层位于所述导电层的第一侧；其中，所述第一介电质层包括：一层或多层基底层，所述基底层位于所述导电层的第一侧；和/或，一层或多层第一胶层，所述第一胶层位于所述导电层的第一侧。10.根据权利要求9所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述第一介电质层的厚度为毫米，其中，k1的取值为大于等于0的整数，ε
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表示所述第一介电质层的形成材料的介电常数。11.根据权利要求9所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述第一介电质层的形成材料为透明材料。12.根据权利要求9所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述第一介电质层的厚度为100～2600微米。13.根据权利要求1或9所述的无源电波透过膜，其特征在于，还包括：第二介电质层，所述第二介电质层位于所述导电层的第二侧；其中，所述第二介电质层包括：一层或多层支撑层，所述支撑层位于所述导电层的第二侧；和/或，一层或多层第二胶层，所述第二胶层位于所述导电层的第二侧。
14.根据权利要求13所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述第二介电质层的厚度与所述第二介电质层的介电常数的关系为：其中，h表示所述第二介电质层的厚度，ε
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表示所述第二介电质层的介电常数。15.根据权利要求13所述的无源电波透过膜，其特征在于，所述第二介电质层的厚度为毫米，其中，k2的取值为大于等于0的整数，ε
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【专利技术属性】
技术研发人员：富永龙，沈燕，
申请(专利权)人：艾杰旭中国投资有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：