一种用于感性负载自带保护的高边驱动电路制造技术

本发明专利技术属于集成芯片技术领域，具体公开了一种用于感性负载自带保护的高边驱动电路，包括MCU、供电电源DC、三极管Q1、MOS管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、感性负载、第一放大器U1、第二放大器U2以及电容C1。本发明专利技术提供的用于感性负载自带保护的高边驱动电路，通过用三极管搭配采样电阻的方式实现过流保护功能，能有效抑制由于负载突变引起的阶跃振荡问题，其次，通过硬件PID电路设计，将系统反应时间从ms缩短到us级，大大的提高了系统的响应时间及抗干扰性能。扰性能。扰性能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于感性负载自带保护的高边驱动电路


[0001]本专利技术涉及集成芯片
，更具体地，涉及一种用于感性负载自带保护的高边驱动电路。

技术介绍

[0002]现有高边驱动保护方案采用的是集成芯片方案——高边驱动集成芯片，其内置保护功能，负载端短路到地时，芯片自动关断。若负载需要电流闭环，则电流调节功能是通过MCU进行计算，电流信号经过差分放大器后输出通过MCU的ADC转换后输给MCU处理，MCU通过软件PID算法进行计算调整，通过MCU内置的PWM模块输出调节量至驱动电路进行控制调节。
[0003]现有高边驱动保护方案的主要问题在于：1，采用高边集成芯片，电流不能设置过大，带负载能力比分立方案弱，且主要该技术为国外芯片厂家垄断，成本高；2，采用软件PID算法的控制方式，由于采样延时及算法计算等因素，实时性不好，抗干扰能力弱，鲁棒性不强，当负载出现阶跃变化时，容易产生振铃现象。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的不足，本专利技术提供了一种用于感性负载自带保护的高边驱动电路，实现更宽的负载电流需求，规避了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于感性负载自带保护的高边驱动电路，其特征在于，包括MCU、供电电源DC、三极管Q1、MOS管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、感性负载、第一放大器U1、第二放大器U2以及电容C1；所述供电电源DC的正极分别连接所述三极管Q1的发射极和所述第一电阻R1的一端，所述第一电阻R1的另一端分别连接所述三极管Q1的基极和所述MOS管Q2的源极，所述三极管Q1的集电极连接所述MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极分别连接所述第一二极管D1的负极、所述第二电阻R2的一端和所述第一放大器U1的正输入端，所述第二电阻R2的另一端分别连接所述第一放大器U1的负输入端和所述感性负载的一端，所述感性负载的另一端和所述第一二极管D1的正极连接后接地，所述第一放大器U1的输出端连接所述第四电阻R4的一端，所述第四电阻R4的另一端连接所述第二放大器U2的负输入端，所述第二放大器U2的正输入端连接所述第三电阻R3的一端，所述第三电阻R3的另一端连接所述MCU的D...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲磊，
申请(专利权)人：南京威孚金宁有限公司，
类型：发明
国别省市：