【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET器件及其制备方法
[0001]本申请的所公开实施例涉及半导体
，且更具体而言，涉及一种MOSFET器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]晶体管作为电力电子系统的核心元件，一直是现代生活不可或缺的重要电子元件，其中，MOSFET器件更是广泛应用于消费类电子设备、汽车电子系统、智能电网，到各类工业设备、动力机车、航天、船舶系统。
[0003]通常，为了进一步减小MOSFET器件的导通电阻，会采用多边形单胞设计，然而，使用多边形单胞设计又会导致晶体管的反向耐压能力下降，降低可靠性。
[0004]因此，如何在减小MOSFET器件的导通电阻的同时，提高MOSFET器件的反向耐压能力，成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]根据本申请的实施例，本专利技术提出一种MOSFET器件及其制备方法，以在减小MOSFET器件的导通电阻的同时，提高MOSFET器件的反向耐压能力。
[0006]根据本申请的第一方面，提出一种MOSFET器件，包括：第一导电类型的半导体外延结...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体外延结构；在所述半导体外延结构内间隔设置的若干个第二导电类型的第一多边形区，所述第一多边形区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；若干个第一导电类型的第二多边形区，分别设置在对应的所述第一多边形区内，所述第二多边形区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；每一所述第二多边形区包括：与所述第一多边形区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸的多个第一侧壁，所述第二多边形区中相邻的两第一侧壁之间的拐角面为弧面。2.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述第二多边形区的第一侧壁为平面。3.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件，还包括：若干个第二导电类型的第三多边形区，分别设置在对应的所述第二多边形区内，所述第三多边形区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸，所述第三多边形区的掺杂浓度大于所述第一多边形区的掺杂浓度；每一所述第二多边形区还包括：与所述第三多边形区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸的多个第二侧壁，所述第二多边形区中相邻的两第二侧壁之间的拐角面为弧面。4.根据权利要求3所述的MOSFET器件，其特征在于，所述第二多边形区的第一侧壁与对应的第二侧壁平行，相邻的所述第一侧壁之间的拐角面的弧面曲率与相对的相邻的所述第二侧壁之间的拐角面的弧面曲率相同。5.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述半导体外延结构为碳化硅结构。6.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体外延结构；在所述半导体外延结构内间隔设置的若干个多边形掺杂区，每一所述多边形掺杂区，包括：第二导电类型的阱区，设置在所述第一导电类型的半导体外延结构内，所述阱区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；第一导电类型的源区，设置在所述阱区内，所述源区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；所述源区包括：与阱区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸的多个第一侧面，所述源区的相邻的第一侧面之间的拐角面为弧面。7.根据权利要求6所述的MOSFET器件，其特征在于，所述源区的第一侧面为平面。8.根据权利要求6所述的MOSFET器件，其特征在于，多边形掺杂区，还包括：第二导电类型的阱区接触区，所述阱区接触区设置在所述源区内，所述阱区接触区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸，所述阱区接触区的掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度；所述源区还包括：与所述阱区接触区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导
体外延结构内延伸的多个第二侧面，所述阱区接触区中相邻的两第二侧面之间的拐角面为弧面。9.根据权利要求6所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件，还包括：栅极结构，设置在所述半导体外延结构上，所述栅极结构的两端部分别设置在相邻的两多边形...
【专利技术属性】
技术研发人员：何志强，陶永洪，刘佳维，史军，肖帅，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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