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本申请提供一种MOSFET器件及其制备方法，其中，MOSFET器件包括：第一导电类型的半导体外延结构；在半导体外延结构内间隔设置的若干个第二导电类型的第一多边形区，第一多边形区从半导体外延结构的表面向半导体外延结构内延伸；若干个第一导电类型...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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