一种TiZrV-Al磁控溅射靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种TiZrV

【技术实现步骤摘要】
一种TiZrV
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Al磁控溅射靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种TiZrV
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Al磁控溅射靶材及其制备方法，属于磁控溅射靶材


技术介绍

[0002]降低粒子加速器因表面出气和解吸而引起的弯转磁铁真空室(无法安装真空泵)内高的真空压力梯度，以及抑制因弯转磁铁真空室表面解吸而产生的动态真空效应是近年来粒子加速器领域主要研究的方向之一。粒子加速器领域针对此也提出了多种对应的解决方法，目前最主要的方法是在真空室内壁沉积一层NEG薄膜。由中国科学院近代物理研究所承建的强流重离子加速器(HIAF)，其动态真空效应主要发生在弯转薄壁钛合金内衬真空室内，为了提供满足束流寿命要求的极高真空环境，需要在薄壁钛合金内衬真空室内沉积NEG薄膜，然而，传统的加速器真空管道NEG镀膜方式是基于螺线管磁场的磁控溅射镀膜，靶材为纯金属缠绕状，即将Ti、Zr、V等纯金属细丝缠绕在一块进行磁控溅射。该技术方案主要是针对不同截面的、具有一定长度的直管道，其溅射功率(溅射电流小于0.8A，放电电压小于600V)极低，所得薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TiZrV
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Al磁控溅射靶材，包括内衬管和设于所述内衬管外的一段或多段TiZrV
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Al靶材；所述内衬管的材质为不锈钢；所述TiZrV
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Al靶材的原子数含量如下：10％≤Ti≤20％，30％≤Zr≤35％，30％≤V≤35％，15％≤Al≤25％。2.根据权利要求1所述的TiZrV
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Al磁控溅射靶材，其特征在于：所述内衬管呈圆形；所述内衬管的内径为8～72mm，外径为12～80mm。3.根据权利要求1或2所述的TiZrV
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Al磁控溅射靶材，其特征在于：每段所述TiZrV
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Al靶材的长度为10～170mm。4.根据权利要求3所述的TiZrV
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Al磁控溅射靶材，其特征在于：所述内衬管与所述TiZrV
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Al靶材之间设有0.2～0.3mm厚的铟垫。5.根据权利要求4所述的TiZrV
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Al磁控溅射靶材，其特征在于：所述内衬管的两端均螺纹配合一卡座，所述卡座的另一端与磁控溅射镀膜设备中的磁流体卡套以插入式的方式连接。6.权利要求1
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5中任一项所述TiZrV
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Al磁控溅射靶材的制备方法，包括如下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗成，蒙峻，魏宁斐，杨建成，李长春，焦纪强，朱小荣，杨伟顺，刘建龙，柴振，万亚鹏，蔺晓建，谢文君，马向利，张喜平，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：发明
国别省市：