一种低温漂的低压检测电路制造技术

本发明专利技术涉及低压检测技术领域，公开了一种低温漂的低压检测电路，包括基准电流产生单元、第一电流复制单元、第二电流镜单元、检测电流产生单元、第三电流镜单元和信号整形单元；在实际使用时，本发明专利技术通过温度特性相同的第一电阻、第二电阻和第四电阻来产生温度特性相同的基准电流和检测电流进行比较，这样基准电流和检测电流可以随着工艺变化或者温度变化发生对应的变化，可以降低因工艺或者温度不同对检测精度的影响。检测精度的影响。检测精度的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种低温漂的低压检测电路


[0001]本专利技术涉及低压检测
，具体涉及一种低温漂的低压检测电路。

技术介绍

[0002]随着电子技术和半导体技术的发展，电路系统的工作电压逐步降低，因此电路系统中的低电压检测电路的可检测区间也逐渐缩小，导致对低电压检测电路提出了更高的电压精度检测要求。
[0003]在电路系统中，低电压检测电路是以一种保证电路在低电压下不工作的电路，当检测到电路系统的供电电压低于某个电压时，低电压检测电路输出的检测信号使电路系统停止工作，处于待机状态，在检测到电路系统的供电电压高于待机电压时，低电压检测电路输出的检测信号使电路系统进入文档工作状态。其中低电压检测电路输出的信号通常用于电路系统的复位，其基本要求是在各种极端工作状态下不会出现太大的波动，同时还要保证电路系统在待机状态时功耗很低。
[0004]目前低电压检测电路有一下两种结构：第一种结构的示意图如图1所示，其包括由电阻R1、R2、R3、R4、R5、三极管Q1、三极管Q2和比较器AMP1组成的基准电压电路、由电阻R6和R7组成的分压电路和用于对基准电压和分压电路输出的检测电压进行的比较器AMP2，虽然该结构可以让电压检测点在各种极端工作状态下不会出现太大的波动，但是由于需要产生基准电压则会导致需要较多的功耗和电路结构复杂；第二种结构是通过MOS管的阈值电压做比较点，虽然该结构较为简单，但是容易受器件制造工艺和温度影响，检测精度不高。

技术实现思路

[0005]鉴于
技术介绍
的不足，本专利技术是提供了一种结构简单、不需要基准电压、不受工艺影响且低温漂的低压检测电路。
[0006]为解决以上技术问题，本专利技术提供了如下技术方案：一种低温漂的低压检测电路，包括基准电流产生单元、第一电流复制单元、第二电流镜单元、检测电流产生单元、第三电流镜单元和信号整形单元；所述基准电流产生单元用于在第一电阻和第二电阻上产生第一电流和第二电流，并输出基准电流，所述基准电流为第一电流和第二电流之和，所述第一电阻和第二电阻的温度特性相同，所述基准电流的温度特性与第一电阻的温度特性为反比关系；所述第一电流复制单元用于复制所述基准电流并输出所述第一复制电流和第二复制电流，所述第一复制电流输入到第二电流镜单元；所述第二电流镜单元基于输入的第一复制电流输出第三复制电流，所述第三复制电流的电流输入端与所述信号整形单元的输入端电连接，所述第三复制电流的电流输出端接地；
所述检测电流产生单元与所述第一电流复制单元输出第二复制电流的支路电连接，在所述第一电流复制单元输出第二复制电流时将输入的检测电压施加到第四电阻并在第四电阻上产生检测电流，所述第四电阻的温度特性与所述第二电阻相同，所述第三电流镜单元用于复制所述检测电流并输出第四复制电流，所述第四复制电流的电流输出端与所述信号整形单元的输入端电连接；在所述第四复制电流大于所述第三复制电流时，所述信号整形单元的输入端输入高电平信号，在所述第四复制电流小于第三复制电流时，所述信号整形单元的输入端输入低电平信号；所述信号整形单元对输入的信号进行反相。
[0007]在某种实施方式中，所述检测电流产生单元在所述检测电压大于高电压阈值时产生的检测电流达到最大值。
[0008]在某种实施方式中，所述基准电流产生单元包括电阻R3、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5和MOS管M1；所述电阻R3一端被配置于输入电源电压，所述电阻R3另一端分别与三极管Q1的集电极、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极和三极管Q3的基极电连接；三极管Q2的集电极分别与三极管Q3的集电极、MOS管M1的漏极和MOS管M1的栅极电连接，MOS管M1的源极被配置于输入电源电压，三极管Q3的发射极通过所述第二电阻接地；三极管Q1的发射极分别与三极管Q4的集电极和三极管Q5的基极电连接；三极管Q2的发射极分别与三极管Q5的集电极和三极管Q4的集电极电连接；三极管Q4的发射极接地，三极管Q5的发射极通过所述第一电阻接地。
[0009]在某种实施方式中，所述第一电流复制单元包括MOS管M2和MOS管M3；所述第二电流镜单元包括MOS管M8、MOS管M9和MOS管M11；所述MOS管M2的源极和MOS管M3的源极被配置于输入电源电压，所述MOS管M1的栅极分别与MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极电连接；所述MOS管M2的漏极分别与MOS管M8的漏极、MOS管M8的栅极、MOS管M9的栅极和MOS管M11的栅极电连接，所述MOS管M8的源极和MOS管M11的源极接地，所述MOS管M3的漏极分别与所述检测电流产生单元和MOS管M9的漏极电连接，所述MOS管M9的源极与所述检测电流产生单元的检测电压输入端电连接。
[0010]在某种实施方式中，所述检测电流产生单元包括三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8、三极管Q9和MOS管M10；所述三极管Q6的集电极分别与所述MOS管M3的漏极、三极管Q6的基极、三极管Q7的基极和MOS管M10的源极电连接，三极管Q6的发射极与三极管Q8的发射极电连接，三极管Q8的基极为所述检测电压输入端，三极管Q8的集电极接地；所述三极管Q7的发射极与第四电阻一端电连接，第四电阻另一端分别与三极管Q9的发射极和MOS管M10的栅极电连接，三极管Q9基极、MOS管M10的漏极和三极管Q9的集电极均接地。
[0011]在某种实施方式中，所述第三电流镜单元包括MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6；所述MOS管M4的源极、MOS管M5的源极和MOS管M6的源极被配置于输入电源电压；所述MOS管M4的栅极分别与MOS管M5的栅极、MOS管M5的漏极和MOS管M6的栅极电连接；所述MOS管M4的漏极与三极管Q6的集电极电连接；所述MOS管M6的漏极与MOS管M11的漏极电连接。
[0012]在某种实施方式中，所述信号整形单元包括施密特反相器X1、反相器X2和反相器
X3，所述施密特反相器X1的输入端为所述信号整形单元的输入端，所述施密特反相器X1通过反相器X2与反相器X3电连接，所述反相器X3的输出端为所述信号整形单元的输出端。
[0013]在某种实施方式中，本专利技术还包括MOS管M7和MOS管M12，所述MOS管M7的漏极与信号整形单元的输入端电连接，所述MOS管M7的栅极与信号整形单元的输出端电连接，所述MOS管M7的源极与MOS管M12的漏极电连接，MOS管M12的栅极与MOS管M11的栅极电连接，MOS管M12的源极接地。
[0014]本专利技术与现有技术相比所具有的有益效果是：首先本专利技术通过利用三极管特性、第一电阻和第二电阻来产生反比与电阻温度特性的电流，与第四电阻产生的反比与电阻温度特性的电流进行比较；这样基准电流和检测电流可以随着工艺变化或者温度变化发生对应的变化，并且针对于不同工艺，可以通过调节第一电阻和第二电阻比例对其电流进行修调，适用于各种工艺和温度；其次，本专利技术不用产生基准电压，降低了电路使用功耗；最后通过调整不同的电源电压大小和/或设置不同阻值的第二电阻、第三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温漂的低压检测电路，其特征在于，包括基准电流产生单元、第一电流复制单元、第二电流镜单元、检测电流产生单元、第三电流镜单元和信号整形单元；所述基准电流产生单元用于在第一电阻和第二电阻上产生第一电流和第二电流，并形成基准电流，所述基准电流为第一电流和第二电流之和，所述第一电阻和第二电阻的温度特性相同，所述基准电流的温度特性与第一电阻的温度特性为反比关系；所述第一电流复制单元用于复制所述基准电流并输出所述第一复制电流和第二复制电流，所述第一复制电流输入到第二电流镜单元；所述第二电流镜单元基于输入的第一复制电流输出第三复制电流，所述第三复制电流的电流输入端与所述信号整形单元的输入端电连接，所述第三复制电流的电流输出端接地；所述检测电流产生单元与所述第一电流复制单元输出第二复制电流的支路电连接，在所述第一电流复制单元输出第二复制电流时将输入的检测电压施加到第四电阻并在第四电阻上产生检测电流，所述第四电阻的温度特性与所述第二电阻相同，所述第三电流镜单元用于复制所述检测电流并输出第四复制电流，所述第四复制电流的电流输出端与所述信号整形单元的输入端电连接；在所述第四复制电流大于所述第三复制电流时，所述信号整形单元的输入端输入高电平信号，在所述第四复制电流小于第三复制电流时，所述信号整形单元的输入端输入低电平信号；所述信号整形单元对输入的信号进行反相。2.根据权利要求1所述的一种低温漂的低压检测电路，其特征在于，所述检测电流产生单元在所述检测电压大于高电压阈值时产生的检测电流达到最大值。3.根据权利要求2所述的一种低温漂的低压检测电路，其特征在于，所述基准电流产生单元包括电阻R3、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5和MOS管M1；所述电阻R3一端被配置于输入电源电压，所述电阻R3另一端分别与三极管Q1的集电极、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极和三极管Q3的基极电连接；三极管Q2的集电极分别与三极管Q3的集电极、MOS管M1的漏极和MOS管M1的栅极电连接，MOS管M1的源极被配置于输入电源电压，三极管Q3的发射极通过所述第二电阻接地；三极管Q1的发射极分别与三极管Q4的集电极和三极管Q5的基极电连接；三极管Q2的发射极分别与三极管Q5的集电极和三极管Q4的集电极电连接；三极管Q4的发射极接地，三极管Q5的发射极通过所述第一电阻接地。4.根据权利要求3所述的一种低温漂的低压检测电路，其特征在于，所述第一电流复制单元包括MOS管M2和MOS管M3；所述第二电流镜单元包括MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭在超，罗寅，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：