曝光装置用构件、曝光装置用构件的制备方法及复合型曝光装置用构件制造方法及图纸

本发明专利技术是一种的含有玻璃状碳的曝光装置用构件。本发明专利技术还是一种曝光装置用构件的制备方法，其包括：将热固性树脂材料成型而制作树脂成型体的成型工序，以及将所述树脂成型体进行煅烧而得到玻璃状碳体的煅烧工序。另外，本发明专利技术是一种复合型曝光装置用构件，其包括上述曝光装置用构件。曝光装置用构件。曝光装置用构件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】曝光装置用构件、曝光装置用构件的制备方法及复合型曝光装置用构件


[0001]本专利技术涉及曝光装置用构件、曝光装置用构件的制备方法及复合型曝光装置用构件。

技术介绍

[0002]在硅晶片上进行半导体元件等的图案化的光刻工序中，使用曝光装置实施图案化。在上述曝光装置中，使用光掩模作为曝光用基底，在硅晶片上形成在光掩模上形成的电路。此时，如果异物附着在光掩模或中间掩模上，则有可能导致所形成的图案发生短路等不良情况。因此，在曝光装置内使用的构件即曝光装置用构件中，选定成为产生灰尘或异物的原因的成分不会脱离的材料。同样需要对曝光光线具有高耐受性且不会污染硅晶片本身的高纯度材料。
[0003]作为主要的曝光装置用构件，包括(a)一般为长方形的框体，其一端面为作为薄膜设置面的薄膜框架、(b)设置硅晶片的板状的台部件、(c)圆盘状的位置测定用的镜部件、(d)搬送部为U字形状的搬送用臂等的被曝光物保持构件、以及(e)其他构造部件等。另外，上述薄膜框架，通过在其薄膜设置面张设薄膜，构成具有对光掩模以及中间掩模防尘的功能的薄膜。以下，也将硅晶片简称为“晶片”。
[0004]以往，作为薄膜框架，除了广泛使用铝或铝合金制品之外，还提出了不锈钢等的其他的金属制薄膜框架，或者聚乙烯等的树脂制薄膜框架(例如，参照专利文献1、2)。
[0005]另外，上述台部件、镜部件以及搬送用臂等被曝光物保持构件，一般使用容易高纯度化且也能够对应复杂的表面形状的陶瓷材料，例如广泛使用氧化铝、碳化硅。此外，还提出了与具有负的热膨胀特性的陶瓷的复合材料等(例如，参照专利文献3)。
[0006]另外，已知台部件以提高位置精度为目的，使用线膨胀系数小的材料。
[0007]另外，已知，镜部件通过金属的蒸镀形成镜面，在镜面以外的部分减少反射。已知为了减轻搬运用臂等被曝光物保持构件对晶片的影响，使与晶片接触的接触面为锥状等。
[0008]近年来，以提高光刻工序(曝光工序)中的驱动系构件的移动速度、提高曝光装置用构件的操作性为目的，需要降低曝光装置用构件的质量。
[0009]例如，薄膜框架用的材料中广泛使用的铝的密度为2.7g/cm3左右，为了降低曝光装置用构件的质量，用比其密度小的材料构成薄膜框架是有效的。例如，作为由比铝密度低的材料制成的薄膜框架，可以考虑上述的树脂制薄膜框架。
[0010]但是，树脂制薄膜框架，一般由于树脂的线膨胀系数大，导致使用环境温度上升时较大地热膨胀。通常，在图案化工序中，曝光光源设置成不直接对薄膜框架进行曝光，但因曝光而产生杂散光，当该杂散光照射到薄膜框架上时，薄膜框架的温度便会上升。
[0011]如上所述，树脂制薄膜框架热膨胀时，该薄膜框架上张设的薄膜有可能产生褶皱、剥离、破损等。
[0012]另外，台部件、镜部件、搬送用臂等被曝光物保持构件，通常使用热膨胀小的氧化
铝(线膨胀系数＝7.2
×
10
‑6/K，密度＝3.9g/cm3)、碳化硅(线膨胀系数＝3.7
×
10
‑6/K，密度＝3.2g/cm3)。这些陶瓷与金属相比是线膨胀系数和密度小的材料，但如上所述，在因曝光光的照射而使构件的温度上升的情况下，会因热膨胀而使曝光精度恶化。因此，为了进一步提高操作性、曝光精度，要求线膨胀系数和密度更小的材料。另外，为了减轻对晶片的不良影响，期待表面硬度比晶片低的材料。
[0013]现有技术文件
[0014]专利文献
[0015]专利文献1：日本专利技术专利公开公报特开2009
‑
025559号
[0016]专利文献2：日本专利申请公开公报特开2018
‑
028659号
[0017]专利文献3：日本专利技术专利公开公报特开2006
‑
009088号

技术实现思路

[0018]本专利技术要解决的问题
[0019]近年来，以曝光图案的分辨率的进一步提高为目标，推进图案化时的曝光光的短波长化，例如，使用深紫外光(DUV)、波长10nm附近的区域的光(EUV)。在使用这些高能量的光源的情况下，曝光装置内的温度上升变得显著，推测有根据部件而达到数百℃的情况。特别是，在真空氛围下照射这些极短波长光时，也担心来自曝光装置内所使用的构件的因气体流动所引起的杂质等的脱离，认为由温度上升引起的热膨胀等的影响变得更高。
[0020]例如，就薄膜框架而言，不限于上述那样的树脂制薄膜框架，即使是铝制薄膜框架，由于加热时的膨胀，在该薄膜框架上张设的薄膜也可能产生褶皱、剥离、破损等。另外，在台部件、镜部件及被曝光物保持构件的情况下，可能由于热膨胀而导致位置精度降低。另外，无论是哪一个部件或构件，如果是与被曝光物接触的部件或构件，则可能影响被曝光物，如果是面向配置被曝光物的空间的部件或构件，则可能影响杂质等的脱离。
[0021]因此，需要一种曝光装置用构件，其轻量且不易热膨胀，进而能够提高驱动系构件的移动速度，使操作性优异，而且即使在使用高能量的光源的图案化中也不易产生变形。
[0022]本专利技术鉴于上述问题，其目的在于提供一种轻量且难以热膨胀的曝光装置用构件、曝光装置用构件的制备方法及复合型曝光装置用构件。
[0023]解决问题的手段
[0024]本专利技术人等为了解决上述课题反复进行了深入研究，结果发现，通过使曝光装置用构件为含有玻璃状碳的构件，能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0025]即，本专利技术提供以下的[1]‑
[13]。
[0026][1]一种曝光装置用构件，其含有玻璃状碳。
[0027][2]根据上述[1]所述的曝光装置用构件，其中，所述玻璃状碳的密度为1.6g/cm3以下。
[0028][3]根据上述[1]或[2]所述的曝光装置用构件，其中，所述玻璃状碳的肖氏硬度(HS)为100以上。
[0029][4]根据上述[1]‑
[3]中任意一项所述的曝光装置用构件，其中，所述玻璃状碳的线膨胀系数为4.0
×
10
‑6/K以下。
[0030][5]根据上述[1]‑
[4]中任意一项所述的曝光装置用构件，其中，所述玻璃状碳中
的灰分的质量分数为50ppm以下。
[0031][6]根据[1]‑
[5]中任意一项所述的曝光装置用构件，其中，在所述玻璃状碳的拉曼分光光谱中，在1,300～1,400cm
‑1的范围的D谱带的峰强度I
D
与在1,550～1,650cm
‑1的范围的G谱带的峰强度I
G
的峰强度比I
D
/I
G
为1.0～2.5，所述D谱带的半峰宽为50～130cm
‑1。
[0032][7]根据上述[1]‑
[6]中任意一项所述的曝光装置用构件，其中，所述曝光装置用构件中的至少一个面为研磨面。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种曝光装置用构件，其含有玻璃状碳。2.根据权利要求1所述的曝光装置用构件，其中，所述玻璃状碳的密度为1.6g/cm3以下。3.根据权利要求1或2所述的曝光装置用构件，其中，所述玻璃状碳的肖氏硬度(HS)为100以上。4.根据权利要求1
‑
3中任意一项所述的曝光装置用构件，其中，所述玻璃状碳的线膨胀系数为4.0
×
10
‑
6/K以下。5.根据权利要求1
‑
4中任意一项所述的曝光装置用构件，其中，所述玻璃状碳中的灰分的质量分数为50ppm以下。6.根据权利要求1
‑
5中任意一项所述的曝光装置用构件，其中，在所述玻璃状碳的拉曼分光光谱中，在1,300～1,400cm
‑
1的范围的D谱带的峰强度ID与在1,550～1,650cm
‑
1的范围的G谱带的峰强度IG的峰强度比ID/IG为1.0～2.5，所述D谱带的半峰宽为50～130cm
‑
1。7.根据权利要求1
‑
6中任意一项所述的曝光装置用构件，其中，所述曝光装置用构件中的至少一个面为研...

【专利技术属性】
技术研发人员：户泽恵介，间山和浩，
申请(专利权)人：日清纺化学株式会社，
类型：发明
国别省市：