确定由图案化工艺形成的目标的所关注参数的值的方法技术

公开了确定所关注参数的值的方法。在一种布置中，导出来自照射目标的检测到的光瞳表示的对称分量和非对称分量。表征对称分量的第一度量和表征非对称分量的第二度量在所关注参数的值的参考范围上根据所关注参数非单调地变化。使用所导出的对称分量和所导出的非对称分量的组合来从所关注参数的多个候选值中标识正确值。识正确值。识正确值。

【技术实现步骤摘要】
确定由图案化工艺形成的目标的所关注参数的值的方法
[0001]分案申请说明
[0002]本申请是申请日为2019年04月10日、申请号为201980026801.6、名称为“确定由图案化工艺形成的目标的所关注参数的值的方法”的中国专利申请的分案申请。


[0003]本公开涉及确定通过图案化工艺(诸如使用光刻的图案化工艺)形成的目标的所关注参数的值。

技术介绍

[0004]光刻装置是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将图案形成装置(替代地称为掩模或掩模版)用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或几个管芯)上。图案的转印通常是经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。
[0005]制造诸如半导体器件等器件通常涉及使用很多制造工艺来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征并且通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于采样的方法，包括：针对从对应目标集合获取的检测到的光瞳表示的集合中的每个检测到的光瞳表示，导出对称分量和非对称分量，其中所述对称分量和所述非对称分量在关注参数的值的参考范围上根据所述关注参数非单调地变化；针对所述目标集合中的每个目标，导出所述对称分量的第一度量，并且使用所得到的所导出的第一度量和所述关注参数的对应值，估计所述第一度量相对于所述参考范围的子区域中的所述关注参数的所述值的变化率的至少符号；针对所述目标集合中的每个目标，导出所述非对称分量的第二度量，并且使用所得到的所导出的第二度量和所述关注参数的对应值，估计所述第二度量相对于所述参考范围的所述子区域中的所述关注参数的所述值的变化率的至少符号；使用所述第一度量的所述变化率的所述至少符号和所述第二度量的所述变化率的所述至少符号，标识所述子区域在所述参考范围中的位置。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：选择所述目标集合中的所述目标，使得针对所述集合中的所有目标，所述关注参数的所述值在所述参考范围的所述子区域中。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述非单调变化至少大致为周期性变化。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述关注参数的值的所述参考范围与具有四个象限的所述周期性变化的一个周期相对应。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述子区域的所述位置如下被标识：当所述第一度量的所述变化率为正、并且所述第二度量的所述变化率为负时，确定所述子区域位于所述四个象限中的第一象限中；当所述第一度量的所述变化率为正、并且所述第二度量的所述变化率为正时，确定所述子区域位于所述四个象限中的第二象限中；当所述第一度量的所述变化率为负、并且所述第二度量的所述变化率为正时，确定所述子区域位于所述四个象限中的第三象限中；以及当所述第一度量的所述变化率为负、并且所述第二度量的所述变化率为负时，确定所述子区域位于所述四个象限中的第四象限...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：