高分子基材反射式光栅盘制造技术

本实用新型专利技术涉及光栅盘技术领域，具体公开了一种高分子基材反射式光栅盘，包括由上至下依次层叠设置的薄膜组件、胶层、基板；所述薄膜组件远离吸光胶层的一侧设置有形成光发射取和光吸收区的光栅图案。本实用新型专利技术避免了直接在基板上蚀刻出现较大粗糙度，造成光形成漫反射，从而降低光反射区和光吸收区的对比度，影响测量精度的问题出现。响测量精度的问题出现。响测量精度的问题出现。

【技术实现步骤摘要】
高分子基材反射式光栅盘


[0001]本技术涉及光栅盘
，更具体地讲，涉及一种高分子基材反射式光栅盘。

技术介绍

[0002]非玻璃基板的光电码盘，具有极佳的抗冲击能力，非常适合军工宇航行业，是一类重要的光栅盘品类。但一般非玻璃基板不具有透光的性质，因此只能采用光反射式。为提高反射的光信号质量和精度，须具备能制备出高精度的光栅刻线且光栅反光区、吸光区具有大对比度；
[0003]目前常采用金属基板制作反射式光栅，如铝、钢等。但其存在如下技术难度：
[0004]1.铝作为较为活泼的金属，容易被酸碱腐蚀，使得在铝基板上蚀刻制备精密结构，需要较为繁琐的工艺流程，成品率不高；
[0005]2.制备精密光栅一般使用重量更轻、体积更小的薄板，但铝材薄板在运输、切割、制作过程中极容易弯曲，低平面度的光栅盘会造成测量精度的极具下降；
[0006]3.蚀刻后的铝材表明，粗糙度较大，会使光形成漫反射，降低反射区和吸光区间的对比度，影响测量精度；
[0007]4.使用化学、电化学抛光工艺，会过度腐蚀已经成形的刻线，导致光栅线条精度下降。

技术实现思路

[0008]本技术所要解决的技术问题是，提供一种高分子基材反射式光栅盘；本技术大大提高了光反射区与光吸收区的对比度，避免造成光漫反射，大大提高了测量精度。
[0009]本技术解决技术问题所采用的解决方案是：
[0010]一种高分子基材反射式光栅盘，包括由上至下依次层叠设置的薄膜组件、胶层、基板；
[0011]所述薄膜组件远离吸光胶层的一侧设置有形成光发射取和光吸收区的光栅图案。
[0012]相比现有技术在基板上直接通过蚀刻出光栅图案，本技术通过设置薄膜组件，将光栅图案设置有薄膜组件上，避免了直接在基板上蚀刻出现较大粗糙度，造成光形成漫反射，从而降低光反射区和光吸光区的对比度，影响测量精度的问题出现；
[0013]同时相比现有技术，薄膜组件相比基板重量更轻，体积更小，使得光栅图案的制作精度更高。
[0014]在一些可能的实施方式中，
[0015]所述薄膜组件为PI镀铝薄膜。
[0016]在一些可能的实施方式中，
[0017]所述PI镀铝薄膜包括设置在吸光胶层上的PI膜、设置在PI膜上的铝膜；所述光栅图案设置在铝膜上。
[0018]在一些可能的实施方式中，为了使得PI膜具有良好的强度；
[0019]所述PI膜的厚度为0.1
‑
0.25mm。
[0020]在一些可能的实施方式中，
[0021]所述胶层为吸光胶层。
[0022]在一些可能的实施方式中，
[0023]所述吸光胶层内填充有色光吸收剂、染料中的一种或多种。
[0024]在一些可能的实施方式中，
[0025]所述基板采用铝板或钢板制成。
[0026]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0027]本技术采用在PI镀铝薄膜蚀刻光栅图案，由于PI基材具有稳定的化学特性，在蚀刻工艺环境无须进行专门的考虑，试剂选择范围较广，降低了工艺复杂度，提高了产品成品率；
[0028]本技术中PI膜具有极好的平面度；基板也可以采用成熟加工工艺保证平面度；解决了传统铝薄板材形变后难以恢复的问题；
[0029]本技术在使用时装配后，无脆性，具有极高的抗冲击能力；
[0030]本技术结构简单、实用性强。
附图说明
[0031]图1为本技术的结构示意图；
[0032]其中：1、铝膜；2、PI膜；3、胶层；4、基材。
具体实施方式
[0033]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。本申请所提及的"第一"、"第二"以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，"一个"或者"一"等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。在本申请实施中，“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。例如，多个定位柱是指两个或两个以上的定位柱。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0034]下面对本技术进行详细说明。
[0035]如图1所示：
[0036]一种高分子基材4反射式光栅盘，包括由上至下依次层叠设置的薄膜组件、胶层3、基板；
[0037]所述薄膜组件远离吸光胶层3的一侧设置有形成光发射取和光吸收区的光栅图案。
[0038]相比现有技术在基板上直接通过蚀刻出光栅图案，本技术通过设置薄膜组
件，将光栅图案设置有薄膜组件上，避免了直接在基板上蚀刻出现较大粗糙度，造成光形成漫反射，从而降低光反射区和光吸收区的对比度，影响测量精度的问题出现；
[0039]同时相比现有技术，薄膜组件相比基板重量更轻，体积更小，使得光栅图案的制作精度更高。
[0040]在一些可能的实施方式中，
[0041]所述薄膜组件为PI镀铝薄膜。
[0042]在一些可能的实施方式中，
[0043]所述PI镀铝薄膜包括设置在吸光胶层3上的PI膜2、设置在PI膜2上的铝膜1、以及用于粘接PI膜2和铝膜1的粘接层；所述光栅图案设置在铝膜1上；光栅图案将贯穿铝膜1。
[0044]PI膜2为聚酰亚胺薄膜，质轻，厚度薄；具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性，能在－269℃～280℃的温度范围内长期使用，短时可达到400℃的高温。
[0045]PI膜2具有稳定的化学特性，在蚀刻工艺环境无须进行专门的考虑，蚀刻试剂选择范围较广；相比采用金属基材4作为光栅盘时，避免了使用化学、电化学抛光工艺，会过度腐蚀已经成形的刻线，导致精度低的问题出现；本技术将降低了工艺复杂度，提高了产品成品率；
[0046]PI膜2具有低粗糙度表面，蚀刻后的表面无须进行专门处理即可形成镜面反射；相比采用现有技术中采用的金属基板，避免了在发生形变后难以恢复的问题出现；
[0047]在进行具有光栅图案的PI镀铝薄膜制作时，其制作方法可为：首先在PI镀铝薄膜的表面上涂覆光刻胶，光栅图案在铝膜1上显影，固化指定区域内的光刻胶；清洗铝膜1上未固化的光刻胶；蚀刻裸露出的铝膜1，蚀刻裸露出的铝膜1所对应位置的PI膜2露出作为光吸收区；清洗掉固化的光刻胶露出未蚀刻的铝膜1作为光反射区；切割出光栅盘形状，完成制备；
[0048]在进行具有光栅图案的PI镀铝薄膜制作时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高分子基材反射式光栅盘，其特征在于，包括由上至下依次层叠设置的薄膜组件、胶层、基板；所述薄膜组件远离吸光胶层的一侧设置有形成光发射取和光吸收区的光栅图案；所述薄膜组件为PI镀铝薄膜；所述PI镀铝薄膜包括设置在吸光胶层上的PI膜、设置在PI膜上的铝膜；所述光栅图案设置在铝膜上。2.根据权利要求1所述的一种高分子基材...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德麾，姜世平，谢伟民，张宜文，钟勇，
申请(专利权)人：四川云盾光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：