发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板技术

本申请公开了一种发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板。其中，转移方法包括：在生长基板的表面形成发光芯片；在暂态基板上形成转移膜层；在转移膜层远离暂态基板的一侧形成电极固定结构，并在转移膜层开设与电极固定结构相邻的通线孔；将生长基板上的发光芯片的电极与暂态基板上的电极固定结构连接；剥离掉生长基板、以及暂态基板的至少部分结构，以形成发光转移结构；将发光转移结构与驱动背板对置，以使发光转移结构上的通线孔与驱动背板上的绑点电极对应；形成连接线，连接线的一部分通过通线孔与绑点电极连接，另一部分连接电极固定结构。本申请的技术方案能够有效减少驱动背板上线路断裂，减少显示异常的情况发生。减少显示异常的情况发生。减少显示异常的情况发生。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板


[0001]本申请属于显示面板
，具体涉及一种发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板。

技术介绍

[0002]Micro LED（Micro Light Emitting Diode Display，微型发光二极管）具有较高稳定性、长寿命以及更高分辨率，在显示面板中逐渐得以应用。在制作Micro LED的显示面板时，需要将几百万到几千万的 LED芯片从生长基板转移到驱动背板之上。在转移过程中，需要采用激光剥离的方式去除掉生长基板。但是，在剥离生长基板的过程中，激光会照射到驱动背板上，驱动背板上的线路受到激光照射，容易发生断裂，导致显示面板的显示异常。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板，能够有效减少驱动背板上线路断裂，减少显示异常的情况发生。
[0004]本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
[0005]根据本申请实施例的一个方面，本申请提供一种发光芯片的转移方法，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：在生长基板的表面形成发光芯片；在暂态基板上形成转移膜层；在所述转移膜层远离所述暂态基板的一侧形成电极固定结构，并在所述转移膜层开设与所述电极固定结构相邻的通线孔；将所述生长基板和所述暂态基板对置，以使所述生长基板上的所述发光芯片的电极与所述暂态基板上的电极固定结构连接；剥离掉所述生长基板、以及所述暂态基板的至少部分结构，以形成发光转移结构；将所述发光转移结构与驱动背板对置，以使所述发光转移结构上的通线孔与所述驱动背板上的绑点电极对应；形成连接线，所述连接线的一部分通过所述通线孔与所述绑点电极连接，另一部分连接所述电极固定结构。2.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述在所述转移膜层远离所述暂态基板的一侧形成电极固定结构的步骤，包括：在所述转移膜层的表面设置导电层，所述导电层背离所述转移膜层的一侧设置导电胶，其中，所述发光芯片的电极通过所述导电胶与所述导电层连接。3.根据权利要求2所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述导电层在所述转移膜层的正投影面积大于所述导电胶在所述转移膜层的正投影面积，所述导电胶在所述转移膜层的正投影面积大于所述发光芯片的电极在所述转移膜层的正投影面积。4.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述在所述转移膜层开设与所述电极固定结构相邻的通线孔的步骤，包括：在所述转移膜层的表面设置剥离层，在所述剥离层背离所述转移膜层的一侧设置蚀刻阻挡层，所述剥离层覆盖所述电极固定结构；在所述蚀刻阻挡层上开设蚀刻孔，并在所述剥离层对应所述蚀刻孔的位置开设蚀刻通道，所述蚀刻孔在所述转移膜层的正投影位于所述电极固定结构在所述转移膜层的正投影区域之外；对所述转移膜层进行蚀刻，通过所述蚀刻孔和所述蚀刻通道蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲洋，叶利丹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：