共振器、线性加速器配置以及具有环形共振器的离子植入系统技术方案

一种装置可包括被布置成发射离子束的漂移管总成。所述漂移管总成可包括：第一接地电极；射频(RF)漂移管总成，设置在第一接地电极的下游；以及第二接地电极，设置在射频漂移管总成的下游。所述射频漂移管总成可界定三重间隙配置。所述装置可包括共振器，其中所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到射频漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。到射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。到射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】共振器、线性加速器配置以及具有环形共振器的离子植入系统


[0001]本公开一般来说涉及离子植入装置，且更具体来说涉及高能束线离子植入机。

技术介绍

[0002]离子植入是通过离子轰击将掺杂剂或杂质引入衬底中的工艺。离子植入系统可包括离子源及一系列束线组件。离子源可包括其中产生离子的腔室。离子源还可包括电源及与腔室相邻地设置的提取电极总成。束线组件可包括例如质量分析器、第一加速或减速级、准直器、及第二加速或减速级。非常类似于用于操纵光束的一系列光学透镜，束线组件可对具有特定种类物、形状、能量和/或其他质量的离子或离子束进行过滤、聚焦及操纵。离子束穿过束线组件且可被朝向安装在压板(platen)或夹具上的衬底引导。
[0003]能够产生近似1MeV或大于1MeV的离子能量的植入装置常常被称为高能离子植入机或高能离子植入系统。一种类型的高能离子植入机被称为线性加速器(linear accelerator)(或者LINAC)，其中被布置成管的一系列电极沿着一连串管传导离子束且将离子束加速到越来越高的能量，其中电极接收交流(alternating本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：漂移管总成，被布置成发射离子束，所述漂移管总成包括：第一接地电极；射频漂移管总成，设置在所述第一接地电极的下游；以及第二接地电极，设置在所述射频漂移管总成的下游，其中所述射频漂移管总成界定三重间隙配置；以及共振器，所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到所述射频漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到所述射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。2.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈具有第一半部及第二半部，所述第一半部包括第一匝数目，所述第一匝数目等于所述第二半部的第二匝数目。3.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈界定椭圆形横截面。4.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈界定D形横截面。5.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈包括具有恒定管直径的导电管。6.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈包括导电管，所述导电管具有不均匀的管直径，其中沿着所述环形线圈的外侧设置的外管直径具有第一尺寸，且其中沿着所述环形线圈的内侧设置的内管直径具有比所述第一尺寸小的第二尺寸。7.根据权利要求1所述的装置，所述共振器还包括调谐器，其中所述调谐器包括调谐器本体，所述调谐器本体分别沿着所述环形线圈的第一侧及所述环形线圈的第二侧设置在第一部件及第二部件中。8.根据权利要求1所述的装置，还包括设置在所述环形线圈内部的励磁线圈，所述励磁线圈具有连接到接地的第一支路及耦合到射频功率总成的第二支路。9.一种离子植入机，包括：离子源，用于产生离子束；以及线性加速器，用于传输并加速所述离子束，所述线性加速器包括多个加速级，其中所述多个加速级中的给定加速级包括：射频功率总成，被布置成输出射频信号；漂移管总成，被布置成发射所述离子束且耦合到所述射频功率总成，所述漂移管总成界定三重间隙配置；以及共振器，所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到所述漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到所述漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。10.根据权利要求9所述的离子植入机，所述环形线圈具有第一半部...

【专利技术属性】
技术研发人员：科斯特尔，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：