引线框架电容器制造技术

本发明专利技术公开了一种引线框架电容器，包括隔离的第一引线框架、第二引线框架以及介电基板，所述第一引线框架、所述第二引线框架分别设置有第一电路组件、第二电路组件，所述介电基板两端分别与所述第一引线框架、所述第二引线框架连接，所述第一电路组件、所述第二电路组件之间形成至少一个电容；其中，所述第一电路组件、所述第二电路组件均包括至少一个芯片和第一引脚，所述芯片与所述第一引脚通过引线连接。该引线框架电容器采用引线式电容隔离技术，电容极板铜引线通过聚酰亚胺贴膜固定，采用了引线框架高可靠设计工艺，在缩小芯片面积的同时，最终使隔离电压更高、传输速度更快、信号更稳定、封装可靠性更好、成本更低。成本更低。成本更低。

【技术实现步骤摘要】
引线框架电容器


[0001]本专利技术涉及电子器件电路
，具体涉及一种引线框架电容器。

技术介绍

[0002]集成电路设计器通常可能需要在系统的电子部件之间提供DC隔离。例如，功率转换器可包括功率MOSFET和设计用于更高电压和电流负载的其他部件，以及设计用于具有最小静态电流的快速控制操作的小特征尺寸CMOS逻辑门。又如，电信设备可具有耦接到易受高压瞬态影响的信号线或天线的敏感接收器电子器件。又如，医疗监测系统可具有附接到患者的传感器和引线，这些患者必须被保护以免发生任何电气故障。
[0003]现有技术使用隔离开来的不同基岛区域，隔离基岛分别粘片高压侧芯片和低压侧芯片，隔离电容只能制作在芯片上，这样导致封装面积增大、成本增加，并且为非标准封装。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种引线框架电容器，该引线框架电容器采用引线式电容隔离技术，电容极板铜引线通过聚酰亚胺贴膜固定，采用了引线框架高可靠设计工艺，在缩小芯片面积的同时，最终使隔离电压更高、传输速度更快、信号更稳定、封装可靠性更好、成本更低。
[0005]本专利技术提供的技术解决方案如下：
[0006]一种引线框架电容器，其特殊之处在于：
[0007]包括隔离的第一引线框架、第二引线框架以及介电基板，所述第一引线框架、所述第二引线框架分别设置有第一电路组件、第二电路组件，所述介电基板两端分别与所述第一引线框架、所述第二引线框架连接，所述第一电路组件、所述第二电路组件之间形成至少一个电容；
[0008]其中，所述第一电路组件、所述第二电路组件均包括至少一个芯片和第一引脚，所述芯片与所述第一引脚通过引线连接。
[0009]进一步地，所述第一引线框架设置有至少一个第一基岛，所述第一基岛与所述第一引脚连接；
[0010]所述第二引线框架设置有至少一个第二基岛，所述第二基岛与所述第一引脚连接。
[0011]进一步地，所述介电基板上平行设置有至少一组第二引脚，所述第二引脚分别与所述第一基岛、所述第二基岛连接。
[0012]进一步地，所述第一引线框架、所述第二引线框架设置有多个锁定孔，所述锁定孔用于锁胶。
[0013]进一步地，所述第一基岛、所述第二基岛周侧均填充有填充树脂。
[0014]进一步地，所述第一基岛、所述第二基岛结构相同，数量均为1个。。
[0015]进一步地，所述第一基岛、所述第二基岛表面阵列设置有多个梅花桩。
[0016]进一步地，所述第二引脚与所述填充树脂连接。
[0017]进一步地，所述第一基岛、所述第二基岛均为裸铜基岛；
[0018]所述引线为铜材质，且通过聚酰亚胺贴膜固定。
[0019]进一步地，所述电容的数量为2个，所述电容均为0.20pF。
[0020]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0021]1.本申请提供了一种引线框架电容器，包括第一引线框架、第二引线框架、第一基岛、第二基岛以及多个引脚，该引线框架电容器采用引线式电容隔离技术，电容极板铜引线通过聚酰亚胺贴膜固定，采用了引线框架高可靠设计工艺，在缩小芯片面积的同时，最终使隔离电压更高、传输速度更快、信号更稳定、封装可靠性更好、成本更低；
[0022]2.本申请提供了一种引线框架电容器，使用裸铜基岛以增大层间结合力、采用梅花桩设计以扩充不同材料接触面积、锁定孔以形成锁定作用的环氧树脂柱、减小不适当层间结合的局部镀银环，使得塑封器件可靠性大大提升；
[0023]3.本申请提供了一种引线框架电容器，该引线框架电容器利用传统引线框架设计方法和制作工艺，完成电容隔离放大器所需的精密小电容的制作；利用贴膜工艺形成良好的铜引线共面性，从而满足电容之间的良好匹配性。
附图说明
[0024]图1为本专利技术实施例中引线框架电容器的电路结构示意图；
[0025]图2为本专利技术实施例中引线框架电容器结构示意图。
[0026]附图标记如下：
[0027]1‑
第一引线框架，2
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第二引线框架，3
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第一基岛，4
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第二基岛，5/6
‑
第一引脚，7
‑
梅花桩，8
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锁定孔，9/10
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第二引脚，11
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第一衬底，12
‑
填充树脂，100
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基板，101
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第一电路，102
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第二电路，103
‑
发送芯片，104
‑
接收芯片，105/106
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电容，107
‑
第二衬底。
具体实施方式
[0028]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，下面所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此，以下结合附图提供的本申请实施例的详细描述旨在仅仅表示本申请的选定实施例，并非限制本申请要求保护的范围。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的其他所有实施例，都属于本申请保护的范围。
[0030]需要理解的是，在本专利技术的实施方式的描述中，术语“第一”、“第二”、等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
[0031]在本专利技术的实施方式的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术的实施方式中的
具体含义。
[0032]图1为本专利技术实施例中引线框架电容器的电路结构示意图；图2为本专利技术本专利技术实施例中引线框架电容器结构示意图。
[0033]电容值主要由电极间距离d、电极边缘长度L、介电材料的介电常数决定。当制造引线框架时，电极边缘长度L与电极间距离d可以控制，并且可以实现不同的电容值。增加电极边缘长度L或介电成型材料的介电常数可以增加电容值，而随着电极分离距离d的距离增加，一般是降低电容值。其中，介电材料是指在外电场作用下能发生极化、电导、损耗和击穿等现象的材料。介电材料属于绝缘体，用于制造电容器，为了使电容器的静电电容器尽量地大而体积又小，一般要求所用电介质的介电常数越大越好，电极间距越小越好，电极面积越大越好。
[0034]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架电容器，其特征在于：包括隔离的第一引线框架、第二引线框架以及介电基板，所述第一引线框架、所述第二引线框架分别设置有第一电路组件、第二电路组件，所述介电基板两端分别与所述第一引线框架、所述第二引线框架连接，所述第一电路组件、所述第二电路组件之间形成至少一个电容；其中，所述第一电路组件、所述第二电路组件均包括至少一个芯片和第一引脚，所述芯片与所述第一引脚通过引线连接。2.根据权利要求1所述的引线框架电容器，其特征在于：所述第一引线框架设置有至少一个第一基岛，所述第一基岛与所述第一引脚连接；所述第二引线框架设置有至少一个第二基岛，所述第二基岛与所述第一引脚连接。3.根据权利要求2所述的引线框架电容器，其特征在于：所述介电基板上平行设置有至少一组第二引脚，所述第二引脚分别与所述第一基岛、所述第二基岛连接。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫景涛，徐尚军，王钰中，刘志鹏，同军军，
申请(专利权)人：天水七四九电子有限公司，
类型：发明
国别省市：