【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括整合在碳化物主体的多晶钻石尖端的高平整度接合工具
[0001]本专利技术涉及一种接合工具,更特别地,涉及用于安装半导体组件的接合工具。
技术介绍
[0002]带式自动接合(Tape automated bonding,TAB)或薄膜覆晶(chip
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on
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film,COF)技术使用接合工具以热压接合诸如显示驱动IC(display driver IC,DDI)的半导体组件与薄膜上的引线。
[0003]图1为示意性地示出传统的典型接合工具的例的图。
[0004]参照图1,接合工具包括结合至接合装置的支架的主体部分12,以及固定至所述主体部分的前端部分。前端部分可以由钻石制成,例如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)钻石、单晶钻石(monocrystalline diamond)或钻石烧结体(diamond sintered body),以获得工具表面的平整度、耐磨性、温度分布的均匀性等。
[0005]例如,在图1中,使用CV ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接合工具,被结合至接合装置的支架以热压布线组件和半导体组件,其特征在于,所述接合工具包括:单一碳化物主体,具有形成在其一侧的支架结合部,以被结合至所述接合装置的支架上,所述单一碳化物主体具有形成于其内侧的加热器插入孔;以及多晶钻石尖端,结合至所述碳化物主体的另一侧。2.根据权利要求1所述的接合工具,其特征在于,所述碳化物主体具有非接合结构。3.根据权利要求1所述的接合工具,其特征在于,所述多晶钻石尖端通过高温高压烧结而被接合至所述碳化物主体。4.根据权利要求3所述的接合工具,其特征在于,所述多晶钻石尖端通过所述碳化物主体中的金属扩散而被接合。5.根据权利要求1所述的接合工具,其特征在于,所述碳化物主体具有被设置在所述另一侧的突起,使得所述多晶钻石尖端被安装在所述突起上。6.根据权利要求5所述的接合工具,其特征在于,所述突起具有延伸横跨所述碳化物主体的表面的带形状。7.根据权利要求1所述的接合工具,其特征在于,当所述多晶钻石尖端具有25mm或更长的长度时,所述接合工具具有2μm或更小的平整度。8.一种制...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴起标,李相龙,文焕均,李殷妃,柳旼镐,
申请(专利权)人:日进金刚石株式会社,
类型:发明
国别省市:
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