衬底回收方法、再生的光掩模基版及光掩模版的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种衬底回收方法、再生的光掩模基版及光掩模版的制造方法，所述衬底回收方法用于对报废的光掩模版进行衬底回收，所述光掩模版包括衬底和形成于所述衬底上的掩模结构，所述衬底回收方法包括：提供一等离子体刻蚀系统；将所述等离子体刻蚀系统设定为等离子体化学刻蚀模式，以去除所述掩模结构且避免损伤所述衬底表面；将所述等离子体刻蚀系统设定为等离子体超级抛光模式，以对所述衬底表面进行抛光。本发明专利技术的技术方案能够降低成本且最大程度避免损伤衬底表面，使得光掩模版的品质得到提升，且能多次回收衬底再生使用。且能多次回收衬底再生使用。且能多次回收衬底再生使用。

【技术实现步骤摘要】
衬底回收方法、再生的光掩模基版及光掩模版的制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种衬底回收方法、再生的光掩模基版及光掩模版的制造方法。

技术介绍

[0002]由于光掩模版中的衬底（通常是高纯度合成石英）成本较高，为了降低成本，通常会对废弃的光掩模版的衬底实行回收。目前，衬底回收方法包括：首先，采用湿法蚀刻、激光烧蚀或等离子蚀刻等工艺去除衬底上的图案材料（通常为金属和金属氧化物）；然后，采用化学机械抛光工艺去除衬底受损的表层；然后，采用超级抛光工艺对衬底表面进行（光学级）的抛光，以使得衬底具有平滑的表面；然后，再湿法清洗衬底表面。
[0003]其中，湿法蚀刻对衬底上的图案材料具有高度选择性，蚀刻后的衬底表面均匀性好，且具有与衬底低诱导扩散以及成本低的优点，但是，需要提供湿法蚀刻的工作台以及耗费大量的酸溶液；激光烧蚀采用的是逐点烧蚀，导致烧蚀后的衬底表面粗糙和不均匀的缺陷，且与衬底高诱导扩散；等离子蚀刻对衬底具有高选择性，蚀刻后的衬底表面均匀性好，且直流偏置电压的存在使得蚀刻速率高，但是，等离子体轰击会导致衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底回收方法，用于对报废的光掩模版进行衬底回收，所述光掩模版包括衬底和形成于所述衬底上的掩模结构，其特征在于，所述衬底回收方法包括：提供一等离子体刻蚀系统；将所述等离子体刻蚀系统设定为等离子体化学刻蚀模式，以去除所述掩模结构且避免损伤所述衬底表面；将所述等离子体刻蚀系统设定为等离子体超级抛光模式，以对所述衬底表面进行抛光。2.如权利要求1所述的衬底回收方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀系统包括：远程等离子体发生器，所述远程等离子体发生器用于向所述光掩模版表面发射等离子体。3.如权利要求2所述的衬底回收方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀系统还包括：阳极，设置于所述光掩模版上方；卡盘，用于承载所述光掩模版；反应腔室，所述远程等离子体发生器设置于所述反应腔室外部，且所述远程等离子体发生器与所述反应腔室连通，所述阳极和所述卡盘均设置于所述反应腔室中。4.如权利要求3所述的衬底回收方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀系统还包括：直流电源，与所述阳极和所述卡盘连接，以用于在所述阳极与所述卡盘之间产生直流偏压。5.如权利要求4所述的衬底回收方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀系统还包括：线圈，设置于所述反应腔室外围，所述线圈用于产生平行于所述衬底表面的磁场。6.如权利要求3所述的衬底回收方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀系统包括一个所述反应腔室，所述等离子体化学刻蚀模式与所述等离子体超级抛光模式共用所述反应腔室；或者，所述等离子体刻蚀系统包括至少两个所述反应腔室，所述等离子体化学刻蚀模式与所述等离子体超级抛光模式使用不同的所述反应腔室。7.如权利要求2所述的衬底回收方法，其特征在于，当将所述等离子体刻蚀系统设定为所述等离子体化学刻蚀模式时，所述远程等离子体发生器向所述光掩模版表面发射的为电离含氟气体和/或含氯气体产生的高化学活性的等离子体；当将所述等离子体刻蚀系统设定为所述等离子体超级抛光模式时，所述远程等离子体发生器向所述光掩模版表面发射的为电离惰性气体产生的无化学活性的等离子体。8.如权利要求5所述的衬底回收方法，其特征在于，当将所述等离子体刻蚀系统设定...

【专利技术属性】
技术研发人员：季明华，黄早红，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：