间隙型Gd-Si-Ge系磁致冷材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于磁致冷材料及其制备技术领域，特别涉及一种间隙型Ｇｄ－Ｓｉ－Ｇｅ系磁致冷材料及其制备方法。制备方法包含配料与熔炼、热处理步骤，该材料化学通式为间隙型Ｇｄ↓［５］Ｓｉ↓［１．４］Ｇｅ↓［２．６］Ｃ↓［ｘ］化合物，ｘ为０．０１～２；将纯度大于９９．９ａｔ％的原料按Ｇｄ↓［５］Ｓｉ↓［１．４］Ｇｅ↓［２．６］Ｃ↓［ｘ］的配比放于电弧炉内，在高纯氩气保护下翻炼，得到均匀的合金铸锭；熔炼好的铸锭用钽片包裹后密封于经抽真空的石英管中热处理，最后将热处理的样品从高温直接在液氮中淬火，得到Ｇｄ↓［５］Ｓｉ↓［１．４］Ｇｅ↓［２．６］Ｃ↓［ｘ］化合物；本方法还包括添加间隙原子Ｃ的步骤。该材料具有更低的温度滞后和磁滞后，更好的热稳定性和大磁热效应，很好的重复性、均匀性，性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种磁致冷材料及其制备
，特别涉及一种间隙 型Gd-Si-Ge系^磁致冷材料及其制备方法。
技术介绍
美国能源部下属的Ames实验室于1997年首次报道在GdsSi2Ge2化合 物中存在巨大的；兹热效应(V. K. Pecharsky， & K. A. Gschneidner, Jr.，户/y^ 1997,78,4494.)，在0-5T的磁场变化下，相变处的熵变值可以达 到18 J/kgK，远高于纯稀土金属Gd的8 J/kgK。此后，人们积极研制各种 磁制冷样机，如Zimm等人研制的旋转磁制冷机(C. Zimm et al， /脱 及e/n'gera"ow 2006， 29, 1302.), /f兹制冷机具有节能、高效、环保的优点， 将来有望对传统的制冷机形成有益的补充甚至取代各种传统的制冷机。 虽然现在使用最多的磁致冷材料是稀土金属Gd，但是Gd的磁热效应偏 小，人们希望使用具有更大磁热效应的一级相变材料，例如GdsSi2Ge2。 目前，这类可作为磁致冷材料的5:4系列化合物受到最多地关注，围绕此 类化合物已经开展了大量研究，该类化合物的》兹相图也逐渐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种间隙型Ｇｄ－Ｓｉ－Ｇｅ系磁致冷材料，其特征在于：该磁致冷材料的化学通式为Ｇｄ↓［５］Ｓｉ↓［１．４］Ｇｅ↓［２．６］Ｃ↓［ｘ］，其中ｘ为０．０１～２。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹君鼎，李卫，朱明刚，
申请(专利权)人：钢铁研究总院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]