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本发明属于磁致冷材料及其制备技术领域，特别涉及一种间隙型Ｇｄ－Ｓｉ－Ｇｅ系磁致冷材料及其制备方法。制备方法包含配料与熔炼、热处理步骤，该材料化学通式为间隙型Ｇｄ↓［５］Ｓｉ↓［１．４］Ｇｅ↓［２．６］Ｃ↓［ｘ］化合物，ｘ为０．０１～２；将纯...
该专利属于钢铁研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过钢铁研究总院授权不得商用。

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