一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统技术方案

一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统，包括：在对集成电路进行高能离子辐照的条件下，按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较；如果读出数据与写入数据的值不一致，则输出标识信号；对所述标识信号进行采集计数并显示所述标识信号。本发明专利技术可以对集成电路内部存储器全部地址空间进行测试，满足单粒子翻转测试要求。粒子翻转测试要求。粒子翻转测试要求。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统


[0001]本专利技术涉及集成电路片内存储器
，特别涉及一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统。

技术介绍

[0002]太空的辐照环境复杂多变，其中的高能粒子会使应用在航天器中的专用集成电路产生辐照效应，集成电路内部的存储单元是单粒子敏感单元，更容易受单粒子效应影响而产生单粒子翻转。卫星上使用的可编程逻辑门阵列由于内部存储单元多，单粒子翻转效应明显，严重时导致电路功能中断失效，威胁航天器安全，为此采用经过抗辐射加固设计的专用集成电路，代替FPGA执行关键功能，降低单粒子翻转的危害。
[0003]专用集成电路与通用集成电路不同，一般采用定制的功能逻辑和时序进行控制，没有形成通用的指令集或者内存访问命令，无法在外部直接对内部存储单元进行测试。传统的专用集成电路内部存储单元多采用独立封装成芯片进行测试，这样增加了研发成本和测试成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是：针对集成电路内部存储器没有形成通用的指令集或者内存访问命令，无法直接在外部对集成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法，其特征在于，包括：在对集成电路进行高能离子辐照的条件下，按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较；如果读出数据与写入数据的值不一致，则输出标识信号；对所述标识信号进行采集计数并显示所述标识信号。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较，具体包括：对存储器全部地址空间进行写0值操作；依次对存储器地址i进行读出值、写1值、读出值操作，i＝1,2,
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,N；N是存储器地址的最大数量；比较每个地址写入的数据与紧接着从该地址读出的数据；依次对存储器地址i进行读出值、写0值、读出值操作，i＝1,2,
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,N，N是存储器地址的最大数量；比较每个地址写入的数据与紧接着从该地址读出的数据。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较，具体包括：对存储器全部地址空间进行写0值操作；依次对存储器地址j进行读出值、写1值、读出值操作，j＝N,N
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,1，N是存储器地址的最大数量；比较每个地址写入的数据与紧接着从该地址读出的数据；依次对存储器地址j进行读出值、写0值、读出值操作，j＝N,N
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,1；N是存储器地址的最大数量；将每个地址写入的数据与紧接着从该地址读出的数据相比较；依次对存储器地址j进行读出值操作，j＝N,N
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,1；N是存储器地址的最大数量；将每个地址的读出数据与0值比较。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较，具体包括：依次对存储器地址i写i值，i＝1,2,
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,N，N是存储器地址的最大数量；依次将读取存储器地址i的数据值与写入存储器地址i的数据值进行比较，直到全部存储器地址比较完毕。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较，具体包括：依次对存储器地址j写j值，j＝N,N
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1，N是存储器地址的最大数量；依次将读取存储器地址j的数据值与写入存储地址j的数据值进行比较，直到全部存储地址比较完毕。6.一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估系统，其特征在于，包括：测试控制模块、...

【专利技术属性】
技术研发人员：董涛，武永俊，李哲，毕潇，缑纯良，张健鹏，黄斯翀，郑宏超，徐雷霈，王亮，张雪，
申请(专利权)人：北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：