【技术实现步骤摘要】
均衡器测试方法、电路、装置、设备及存储介质
[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种均衡器测试方法、电路、装置、电子设备及可读存储介质。
技术介绍
[0002]在动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)电路中，通常设置大量的存储单元，这些存储单元排成阵列，并在行方向和列方向利用多条位线和字线写入各个存储单元或从各个存储单元中读取。存储单元阵列中一列通常接到一对位线(Bit Line，BL)上。在DRAM工作过程中，需要将位线预充电到预定的电压，即进行预充电(Precharge)操作。通常利用均衡器对一对位线进行预充电，因此，如何判断均衡器是否正常工作成为亟待解决的问题。
[0003]在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0004]本公开的目的在于提供一种均衡器测试方法、电路、装置、电子设备及可读存储介质。
[0005]本公开的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种均衡器测试方法，其特征在于，包括：在关闭芯片的当前字线供电电源后，向灵敏放大器施加灵敏放大器控制电压以保持所述灵敏放大器开启，所述当前字线连接所述芯片的存储晶体管的栅极，所述存储晶体管的漏极连接所述芯片的位线，所述灵敏放大器位于所述位线和对应的互补位线之间，以使在向均衡器施加均衡控制电压后，测量所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗，获得芯片功耗测量结果，所述均衡器位于所述位线与所述互补位线之间，并根据所述芯片功耗测量结果获得所述均衡器的状态，以对所述均衡器进行测试。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在关闭芯片的当前字线供电电源后，向灵敏放大器施加灵敏放大器控制电压以保持所述灵敏放大器开启，包括：响应于进入测试模式控制信息，在响应于预充电信号执行的关闭所述当前字线供电电源操作后，向所述灵敏放大器施加所述灵敏放大器控制电压以保持所述灵敏放大器开启，所述预充电信号用于为所述位线与所述互补位线预充电；在向均衡器施加均衡控制电压后，测量所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗，包括：在响应于所述预充电信号执行向所述均衡器施加所述均衡控制电压的操作后，测量所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，响应于进入测试模式控制信息，在响应于预充电信号执行的关闭芯片的当前字线供电电源操作后，向所述灵敏放大器施加所述灵敏放大器控制电压以保持所述灵敏放大器开启，包括：接收响应于所述进入测试模式控制信息发送的位线组选定信息，所述位线组选定信息包括选定所述位线与所述互补位线的信息；在响应于预充电信号执行的关闭当前字线供电电源操作后，根据所述位线组选定信息向所述灵敏放大器施加所述灵敏放大器控制电压以保持所述灵敏放大器开启。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述芯片功耗测量结果获得所述均衡器的状态，以对所述均衡器进行测试，包括：判断所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗是否小于预设功耗阈值；若所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗小于预设功耗阈值，则获得所述均衡器的状态为失效。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，若所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗小于预设功耗阈值，获得所述均衡器的状态为失效，包括：若所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗小于预设功耗阈值，则获得所述均衡器的状态为失效，并输出位线组失效信息，所述位线组失效信息用于指示所述位线和/或所述互补位线失效。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述芯片功耗测量结果获得所述均衡器的状态，以对所述均衡器进行测试，还包括：若所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗不小于预设功耗阈值，则获得所述均衡器的状态为有效，并输出位线组有效信息，所述位线组有效信息用于指示所述位线和/或所述互补位线有效；其中，所述位线组失效信息包括低电平，所述位线组有效信息包括高电平。
7.一种均衡器测试电路，其特征在于，包括灵敏控制器和负载电阻，其中：所述灵敏控制器与灵敏放大器的PMOS源极供电电源和/或所述灵敏放大器的NMOS漏极供电电源相连接；所述灵敏控制器用于在关闭芯片的当前字线供电电源后，向灵敏放大器施加灵敏放大器控制电压以保持所述灵敏放大器开启的情况下，在向均衡器施加均衡控制电压后，通过测量通过所述负载电阻的电流或测量所述负载电阻两端的电压，测量所述芯片在所述灵敏放大器控制电压下的功耗，获得芯片功耗测量结果，所述当前字线连接所述芯片的存储晶体管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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