一种纳米级图形转移的工艺方法及其应用技术

本发明专利技术涉及半导体领域，公开了一种纳米级图形转移的工艺方法及其应用，该方法包括：(1)采用防粘试剂I对硅模板进行防粘处理I，得到模板I；(2)将PET膜覆盖在结构面含有快速模板胶稀释剂的所述模板I上，得到中间材料，然后采用压印设备对所述中间材料进行纳米压印I，得到柔性软模板；所述快速模板胶稀释剂中快速模板胶的含量为74

【技术实现步骤摘要】
一种纳米级图形转移的工艺方法及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种纳米级图形转移的工艺方法及其应用。

技术介绍

[0002]纳米压印技术是新一代的纳米图形转移技术，具有图形转移效果好的优势，在衍射产品半导体加工领域逐渐占据主导的加工地位。
[0003]但是，在目前的制备方法中，硅纳米结构直接转移到快速模板胶上面会存在材料成膜结构塌陷于原始结构中，单纯清洗工艺无法对硅内的快速模板胶进行完全去除。
[0004]CN115542664A公开了一种复制Si微结构的方法，包括以下步骤：将Si微结构进行防粘处理，然后旋涂紫外固化光刻胶，将第一PET膜放置在紫外固化光刻胶上，压印分离，得到印有与微结构相反的PET膜，进行防粘处理，在其表面放置旋涂纳米压印光刻胶的第二PET膜，压印分离，得到印有微结构的PET膜，进行防粘处理，表面旋涂H
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PDSM(迈瑞尔生产的高模量硅胶)，注浇PDMS(聚二甲基硅氧烷)，热固化后，分离得到PDMS柔性膜，将其放置于压印设备中，在表面放置旋涂有光刻压印胶的光学玻璃，压印，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米级图形转移的工艺方法，其特征在于，该方法包括：(1)采用防粘试剂I对硅模板进行防粘处理I，得到模板I；(2)将PET膜覆盖在结构面含有快速模板胶稀释剂的所述模板I上，得到中间材料，然后采用压印设备对所述中间材料进行纳米压印I，得到柔性软模板；所述快速模板胶稀释剂中快速模板胶的含量为74
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76wt％；(3)采用防粘试剂II对所述柔性软模板进行防粘处理II，得到模板II；(4)采用所述压印设备并利用所述模板II对涂覆有紫外纳米压印胶的衬底片进行纳米压印II，得到压印产品；所述防粘处理I与所述防粘处理II的条件各自独立地满足：温度为50
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65℃，压力为＜2.5
×
10
‑3Pa，时间为800
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950s；且所述防粘处理I的温度比所述防粘处理II的温度低4
‑
6℃，所述防粘处理I的时间比所述防粘处理II的时间低40
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60s；所述防粘试剂I与所述防粘试剂II种类相同，且均为购自璞璘科技有限公司的牌号为PL
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R
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AT的商品；所述快速模板胶为购自璞璘科技有限公司的牌号为PL
‑
R
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UPM的商品；所述紫外纳米压印胶为购自璞璘科技有限公司的牌号为PL
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R
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OHR的商品。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述纳米压印I的步骤依次包括：紫外光固化处理I、压印处理I和分离处理I；和/或，所述紫外光固化处理I的条件包括：光固化波长为365nm，光强为300
‑
350mW/cm2，时间为20
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30s；和/或，所述压印处理I的条件包括：压印力度为30
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70N，速度为0.8
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1.2s/10mm。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述纳米压印II的步骤依次包括：紫外光固化处理II、压印处理II和分离处理II；和/或，所述紫外光固化处理II的条件包括：光固化波长为365nm，光强300
‑
350mW/cm2，时间为20
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30s；和/或，所述压印处理II的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢国辉，李孟轩，孙金梅，林宏达，翟虎，
申请(专利权)人：东旭科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：